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W. Bondとは 意味・読み方・使い方
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意味・対訳 ウィリアム・ボンド (W. Bond) は、月の表側にある巨大なクレーターであり、月の北部に位置する。
「W. Bond」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 20件
A vacuum member 12 to press-bond the work W and a heater 14 to heat the work W are separately constituted.例文帳に追加
ワークWを圧着させるためのバキューム部材12と、ワークWを加熱するためのヒータ14とを別構成とする。 - 特許庁
The metal bond wheel uses the bond where the thermal conductivity is 2 W/(mK) or more and 100 W/(mK) or less, the melting point is 400°C or more and 800°C or less, and a 50 wt.% or more intermetallic compound is included in the metal bond.例文帳に追加
メタルボンドは、熱伝導率が2W/(m・K)以上100W/(m・K)以下、融点が400℃以上800℃以下で、かつ、メタルボンド中に金属間化合物が50重量%以上含有されるものを用いる。 - 特許庁
The branched polymer comprising at least one polymerizable double bond consists of residues of (i) a monofunctional monomer having one polymerizable double bond per molecule, (ii) 0.3-100% w/w polyfunctional monomer having at least two polymerizable double bonds per molecule, (iii) 0.0001-50% w/w chain transfer agent, and optionally (iv) a free-radical, polymerization initiator.例文帳に追加
また、i)1分子当たり1個の重合性二重結合を有する一官能性モノマー、ii)1分子当たり少なくとも2個の重合性二重結合を有する多官能性モノマー0.3〜100%w/w、iii)連鎖移動剤0.0001〜50%w/w、および、所望により、iv)ラジカル重合開始剤、の残基からなり、少なくとも1個の重合性二重結合を含む枝分かれポリマー。 - 特許庁
The process for producing a refined aminosilane having a Si-N bond and no Si-halogen bond includes at least: a step of treating an aminosilane containing 1 ppm (w/w) or more of halogens as impurities with an alkylmetal reagent; and a step of distilling the treated aminosilane.例文帳に追加
Si−N結合を有し、かつSi−ハロゲン結合を持たないアミノシランであり、不純物として1ppm(w/w)以上のハロゲンを含有するアミノシランを、アルキル金属試薬で処理する工程と、処理されたアミノシランを蒸留する工程を少なくとも含む精製されたアミノシランの製造方法を提供する。 - 特許庁
A wafer W is placed on the mounting surface of a mounting means 3 via an adhesive B applied over the surface WB of the wafer W to bond and hold the wafer W with the adhesive B cured after the mounting, and the need for a sucking and holding mechanism in the mounting means 3 is therefore eliminated to simplify the structure of the mounting means 3.例文帳に追加
ウェハWの表面WBに塗布した接着剤Bを介して当該ウェハWを載置手段3の載置面に載置し、載置後に硬化させた接着剤BによってウェハWを接着保持することで、載置手段3における吸着保持機構が不要にできて載置手段3の構造が簡単化できる。 - 特許庁
An adhesive layer, having a thickness of about 0.1 μm to 1 μm, is used to bond an LED stack and a high heat-dissipating substrate, wherein the substrate has thermal conductivity equal to or higher than 100 W/mk.例文帳に追加
約0.1μm乃至1μmの厚さを有する粘着層は、LEDスタックと熱損失が高い基板を接着するように使用され、ここで基板の熱伝導率は100W/mk以上である。 - 特許庁
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「W. Bond」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 20件
Even when an organic adhesive substance adheres to the back face of the wafer W, the internal bond of the organic adhesive substance is cut by the irradiation of the ultraviolet ray, and the organic adhesive substance is destroyed at a molecular level.例文帳に追加
ウエハWの裏面に有機付着物が付着していても、この紫外線の照射により、有機付着物の内部結合が切断されて、この有機付着物が分子レベルで破壊される。 - 特許庁
A slide mechanism 3 having a handling part 4 for mounting a workpiece W is driven by drive means by a magnetic bond separating a bulkhead 21 for isolating a vacuum environmental space from a drive system mounting space.例文帳に追加
ワークWを載せるハンドリング部4を有するスライド機構3が、真空環境空間と駆動系載置空間とを隔離する隔壁21を隔てて磁気的結合による駆動手段(61,62)により駆動されるようにする。 - 特許庁
In details, the boundary section between the outer peripheral section of a flange section 1d and a receiving section 111a is irradiated with a laser L or an electron beam, and a metal fused section W is formed at the boundary section to bond the inlet valve 1A and the pump body 100A.例文帳に追加
さらに詳しくは、フランジ部1dの外周部と受け部111aとの境界部分にレーザLまたは電子ビームを照射し、かかる境界部分に金属溶融部Wを形成することによって接合されている。 - 特許庁
The derivatized polysaccharide-protein conjugates are purified capsular polysaccharides from Neisseria meningitidis serogroups A, C, W-135, and Y, derivatized chemically activated, and forms polysaccharide-protein conjugates capable of eliciting long-lasting immunity to a variety of Neisseria meningitidis strains by selectively attached to a carrier protein by means of a covalent chemical bond.例文帳に追加
誘導体化多糖類−タンパク質コンジュゲートは、髄膜炎菌(Neisseria meningitidis)血清群A、C、W-135およびY由来の精製莢膜多糖類であり、誘導体化し、化学的に活性化し、共有化学結合によってキャリヤータンパク質に選択的に結合させることにより、多様な髄膜炎菌株に対して長期持続性の免疫を誘起できる多糖類−タンパク質コンジュゲートを形成する。 - 特許庁
The general formula (I) is (Rf-X-)_mAr(-W)_n , and in the formula (I); Ar represents an aromatic heterocycle or an aromatic hydrocarbon ring; X represents a single bond or bivalent linking group; Rf is an alkyl group partly or totally replaced by fluorine atoms; W represents a sulfo group or a carboxyl group; m expresses 1 to 4; and n expresses 1 or 2.例文帳に追加
一般式(I) (Rf−X−)_mAr(−W)_n(式(I)中、Arは芳香族ヘテロ環又は芳香族炭化水素環を表し、Xは単結合又は2価の連結基を表し、Rfは一部又は全部がフッ素原子で置換されたアルキル基を表し、Wはスルホ基又はカルボキシル基を表し、mは1〜4を表し、nは1又は2を表す。) - 特許庁
This hydrogen storage powder is the aggregate of a particle 1, at least a part of the surface of which comprises a metal oxide MxOy (wherein, x is the number of a metal atoms M and is ≥1; and y is the number of oxygen atoms O and is <w when the stoichiometric number of oxygen atoms in the chemical bond of atoms M and O is defined as w).例文帳に追加
水素貯蔵粉末は,少なくとも表面の一部が金属酸化物MxOyよりなる粒子1の集合体であって,金属原子Mの数xがx≧1であり,また酸素原子Oの数yが,金属原子Mと酸素原子Oとの化学結合における化学量論に基づく酸素原子Oの数をwとしたとき,y<wである。 - 特許庁
For depositing a gate oxide film 8, such as tantalum oxide film, etc., on the surface of a work W such as semiconductor wafer, etc., a raw material of tantalum pentachloride solid at room temperature is dissolved in a solvent, e.g. diethyl sulfur in a coordinate bond condition, and it is vaporized and fed into a processing chamber.例文帳に追加
半導体ウエハ等の被処理体Wの表面に、タンタル酸化膜などのゲート酸化膜8を堆積するに際して、原料として常温で固体の五塩化タンタルを溶媒、例えばジエチル硫黄に配位結合状態で溶解させて、これを気化して処理室へ供給する。 - 特許庁
The method contains a step for producing W/O type emulsion obtained by containing a component (A) of at least one sort selected from epoxy resins, (B) at least one sort selected from monomers each having ethylenic double bond and (C) at least one sort selected from emulsifiers; a step for the phase inversion of the emulsion to O/W type emulsion; and a step for radical polymerization.例文帳に追加
成分(A):エポキシ樹脂から選択される少なくとも一種、成分(B):エチレン性二重結合を有する単量体から選択される少なくとも一種、及び成分(C):乳化剤から選択される少なくとも一種を含んで成るW/O型エマルションを形成する工程;そのW/O型エマルションをO/W型エマルションに転相させる工程;及びラジカル重合する工程を含むエポキシ樹脂水分散体の製造方法である。 - 特許庁
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