WA-Wとは 意味・読み方・使い方

The conveyor belts 11, 11 heat the feed part of materials W, W... to be treated through the induction coils 21, 21 and presses the materials W, W... to continuously reduce the vol. of them to form a sheet like vol. reduced treated material Wa and this treated material Wa can be discharged from the discharge side.例文帳に追加

コンベヤベルト１１、１１は、誘導コイル２１、２１を介して被処理物Ｗ、Ｗ…の搬送部分を加熱し、被処理物Ｗ、Ｗ…を加圧してシート状の減容処理物Ｗaに連続的に減容処理し、排出側から排出することができる。 - 特許庁

A plurality of core pieces Wa are arranged by depressing the peripheral face of the core W where the plurality of core pieces Wa are laminated to a radial direction.例文帳に追加

複数枚のコア片Ｗａが積層された状態のコアＷの周面を径方向に押圧することにより、コア片Ｗａを整列させる。 - 特許庁

Two sides Wa, Wb of the workpiece W come into contact with the positioning members 41 to 44 by itself by a component force due to self-weight according to the inclination of the workpiece W to position the workpiece W.例文帳に追加

ワークＷの２つの辺Ｗａ，ＷｂがワークＷの傾斜に従った自重による分力で位置決め部材４_1〜４_4に自ら当接して位置決めされる。 - 特許庁

In advance of the application of the punch machining to the workpieces W, a through-hole Wa is punched through the stacked workpieces W by a punching mechanism 16.例文帳に追加

ワークＷに対するパンチ加工に先立って、打ち抜き機構１６により積層ワークＷに貫通孔Ｗａを打ち抜く。 - 特許庁

After adjusting the quantities of the illumination light, an image of the front surface Wa of the perforated plate W is captured, and the front surface Wa of the perforated plate W is inspected for a defect on the basis of the thus captured image.例文帳に追加

そして、光量の調節がなされた状態で、多孔板Ｗの表面Ｗａを撮像して、その撮像した画像に基づいて多孔板Ｗの表面Ｗａの欠陥を検査する。 - 特許庁

In a coil forming step performed after the end sealing step, even when the end Wa of the spring material W is gripped and the spring material W is wound around a rod, the formation of a gap at the end Wa can be prevented.例文帳に追加

端部封止工程後のコイル成形工程では、ばね材Ｗの端部Ｗａを把持してばね材Ｗをロッドに巻き付ける場合でも、端部Ｗａでの隙間形成が防止される。 - 特許庁

In the plasma treatment apparatus, a semiconductor substrate W is separated from a stage 5 and part of the oxygen plasma to be exposed on the surface Wb of the semiconductor substrate W is made to sneak into the rear surface Wa of the semiconductor substrate W so as to expose the sneaking plasma on the rear surface Wa of the semiconductor substrate W.例文帳に追加

半導体基板Ｗをステージ５から離間させ、半導体基板Ｗの表面Ｗｂに曝す酸素プラズマの一部を、同半導体基板Ｗの裏面Ｗａに回り込ませようにして、半導体基板Ｗの裏面Ｗａにその回り込んだプラズマを曝すようにした。 - 特許庁

Consequently, under the condition that the wafer w is made to float on a surface 30a of the material 30 stayed within the container 1, and the surface Wa of the wafer W is epitaxially grown on the surface Wa of the wafer W.例文帳に追加

これにより、処理容器１内に貯留された溶融半導体材料３０の表面３０ａに半導体ウエハＷが浮遊させられた状態で、半導体ウエハＷの表面Ｗａに半導体層がエピタキシャル成長させられる。 - 特許庁