amorphous Geとは 意味・読み方・使い方

Further described is the use of [{nBuC(iPrN)_2}_2Ge] or Ge butyl amidinate to form GeTe smooth amorphous films for phase change memory applications.例文帳に追加

さらに、相変化型メモリー用途用のＧｅＴｅ平滑非晶質膜を形成するための、［｛ｎＢｕＣ（ｉＰｒＮ）_2｝_2Ｇｅ］又はＧｅブチルアミジネートの使用が記載されている。 - 特許庁

The amorphous material composition comprises one or more amorphous materials selected from a heavy metal oxide glass containing at least Ho and Pr, a halogen compound glass, a chalcogen compound glass, a halogen oxide glass, amorphous Si and amorphous Ge and particularly has 0.01-20 wt.% Ho concentration and 0.01-20 wt.% Pr concentration.例文帳に追加

ＨｏおよびＰｒを少なくとも含有する重金属酸化物ガラス、ハロゲン化合物ガラス、カルコゲン化合物ガラス、ハロゲン酸化物ガラス、非晶質Ｓｉ、非晶質Ｇｅから選ばれる少なくとも一種類以上の非晶質材料で、特にＨｏ濃度が０．０１〜２０ｗｔ％で、かつＰｒ濃度が０．０１〜２０ｗｔ％の範囲とする。 - 特許庁

The amorphous optical semiconductor contains further one or more element selected from C, Si, Ge and Sn or one or more elements selected from Be, Mg, Ca, Zn and Sr.例文帳に追加

この非晶質光半導体は、更にＣ，Ｓｉ、Ｇｅ、Ｓｎから選ばれた一つ以上の元素、又はＢｅ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｚｎ、Ｓｒから選ばれた一つ以上の元素を含む。 - 特許庁

The charge generating layer comprises one or two or more compositions selected from a group of S, Se, Te, Si, SiC, and Ge, and is constituted of an amorphous film.例文帳に追加

電荷発生層がＳ・Ｓｅ・Ｔｅ・Ｓｉ・ＳｉＣ・Ｇｅの群から選択される１種もしくは２種以上の組成物からなり、かつ非晶質膜で構成されていることを特徴とする。 - 特許庁

To put it concretely, the hardened layer mainly composed of an amorphous alloy including Au and at least either element of Si and Ge is formed, or the hardened layer mainly composed of an amorphous alloy including Au, at least either element of Si and Ge, and at least one or more kinds of elements among Ag, Cu, Ni, Pd and Pt is formed.例文帳に追加

具体的にはＡｕにＳｉまたはＧｅのうちから少なくとも一方の元素を含有したアモルファス合金を主体とする硬化層あるいは、ＡｕにＳｉまたはＧｅのうちから少なくとも一方の元素とＡｇ、Ｃｕ、Ｎｉ、ＰｄまたはＰｔのうちから少なくとも１種類以上の元素を含有したアモルファス合金を主体とする硬化層を形成させること。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a photoelectric conversion device capable of improving electric power generation characteristics of a solar cell having a hetero junction cell composed of a p-type crystal Ge (substrate), an i-type amorphous silicon semiconductor layer, and an n-type amorphous silicon semiconductor layer.例文帳に追加

ｐ型結晶Ｇｅ（基板）／ｉ型非晶質シリコン半導体層／ｎ型非晶質シリコン半導体層からなるヘテロ接合セルを有する太陽電池の発電特性を向上させることのできる光電変換装置の製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

When the heat treatment in the temperature of 700-900°C is applied successively to this, the amorphous region 13 is turned into single crystal state by having single crystal part in the vicinity of the surface of the Ge epitaxial film 11 as seeds.例文帳に追加

これに続いて、７００乃至９００℃の温度範囲で熱処理を施すと、Ｇｅエピタキシャル膜１１の表面付近の単結晶部分が種となり、アモルファス領域１３が単結晶化する。 - 特許庁

After forming a high-melting-point metal film 25 in the surface of the obtained structure, near the surface of the crystallized semiconductor film 15 is made amorphous by introducing Si or Ge through the high-melting-point metal film 25.例文帳に追加

得られた構造の表面に高融点金属膜２５を形成した後、前記高融点金属膜２５を介してＳｉ又はＧｅを導入して前記結晶化半導体膜１５の表面近傍を非結晶化する。 - 特許庁