「amorphous Ge」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

The SiO_2-base amorphous material having the sufficient life and the second order light nonlinearity is obtained by adding Zn or Cd to the SiO_2-base amorphous material which contains Ge and is expressed by xGeO_2.(1- x)SiO_2 (0.05≤x≤0.65) and further applying electric field impression and UV ray irradiation thereto simultaneously.例文帳に追加

Geを含むSiO_2系非晶質材料であってxGeO_2・(1-x)SiO_2 (0.05≦x≦0.65)であらわされるものに、Zn、または、Cdを添加し、電場印加と紫外光照射を同時に加えることによって、十分な寿命を持つ、２次光非線形性を有するSiO_2系非晶質材料を得る。 - 特許庁

Prior to depositing the electrode film, ion implantation may be performed in order to render the surface amorphous by Ar ions, Ge ions or Xe ions.例文帳に追加

また、電極膜を成膜する前に、ＡｒイオンやＧｅイオンやＸｅイオンによって表面を非晶質化するためのイオン注入をおこなってもよい。 - 特許庁

Further described is the use of [{nBuC(iPrN)_2}_2Ge] or Ge butyl amidinate to form GeTe smooth amorphous films for phase change memory applications.例文帳に追加

さらに、相変化型メモリー用途用のＧｅＴｅ平滑非晶質膜を形成するための、［｛ｎＢｕＣ（ｉＰｒＮ）_2｝_2Ｇｅ］又はＧｅブチルアミジネートの使用が記載されている。 - 特許庁

The amorphous material composition comprises one or more amorphous materials selected from a heavy metal oxide glass containing at least Ho and Pr, a halogen compound glass, a chalcogen compound glass, a halogen oxide glass, amorphous Si and amorphous Ge and particularly has 0.01-20 wt.% Ho concentration and 0.01-20 wt.% Pr concentration.例文帳に追加

ＨｏおよびＰｒを少なくとも含有する重金属酸化物ガラス、ハロゲン化合物ガラス、カルコゲン化合物ガラス、ハロゲン酸化物ガラス、非晶質Ｓｉ、非晶質Ｇｅから選ばれる少なくとも一種類以上の非晶質材料で、特にＨｏ濃度が０．０１〜２０ｗｔ％で、かつＰｒ濃度が０．０１〜２０ｗｔ％の範囲とする。 - 特許庁

The amorphous optical semiconductor contains further one or more element selected from C, Si, Ge and Sn or one or more elements selected from Be, Mg, Ca, Zn and Sr.例文帳に追加

この非晶質光半導体は、更にＣ，Ｓｉ、Ｇｅ、Ｓｎから選ばれた一つ以上の元素、又はＢｅ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｚｎ、Ｓｒから選ばれた一つ以上の元素を含む。 - 特許庁

The charge generating layer comprises one or two or more compositions selected from a group of S, Se, Te, Si, SiC, and Ge, and is constituted of an amorphous film.例文帳に追加

電荷発生層がＳ・Ｓｅ・Ｔｅ・Ｓｉ・ＳｉＣ・Ｇｅの群から選択される１種もしくは２種以上の組成物からなり、かつ非晶質膜で構成されていることを特徴とする。 - 特許庁

To put it concretely, the hardened layer mainly composed of an amorphous alloy including Au and at least either element of Si and Ge is formed, or the hardened layer mainly composed of an amorphous alloy including Au, at least either element of Si and Ge, and at least one or more kinds of elements among Ag, Cu, Ni, Pd and Pt is formed.例文帳に追加

具体的にはＡｕにＳｉまたはＧｅのうちから少なくとも一方の元素を含有したアモルファス合金を主体とする硬化層あるいは、ＡｕにＳｉまたはＧｅのうちから少なくとも一方の元素とＡｇ、Ｃｕ、Ｎｉ、ＰｄまたはＰｔのうちから少なくとも１種類以上の元素を含有したアモルファス合金を主体とする硬化層を形成させること。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a photoelectric conversion device capable of improving electric power generation characteristics of a solar cell having a hetero junction cell composed of a p-type crystal Ge (substrate), an i-type amorphous silicon semiconductor layer, and an n-type amorphous silicon semiconductor layer.例文帳に追加

ｐ型結晶Ｇｅ（基板）／ｉ型非晶質シリコン半導体層／ｎ型非晶質シリコン半導体層からなるヘテロ接合セルを有する太陽電池の発電特性を向上させることのできる光電変換装置の製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

When the heat treatment in the temperature of 700-900°C is applied successively to this, the amorphous region 13 is turned into single crystal state by having single crystal part in the vicinity of the surface of the Ge epitaxial film 11 as seeds.例文帳に追加

これに続いて、７００乃至９００℃の温度範囲で熱処理を施すと、Ｇｅエピタキシャル膜１１の表面付近の単結晶部分が種となり、アモルファス領域１３が単結晶化する。 - 特許庁

After forming a high-melting-point metal film 25 in the surface of the obtained structure, near the surface of the crystallized semiconductor film 15 is made amorphous by introducing Si or Ge through the high-melting-point metal film 25.例文帳に追加

得られた構造の表面に高融点金属膜２５を形成した後、前記高融点金属膜２５を介してＳｉ又はＧｅを導入して前記結晶化半導体膜１５の表面近傍を非結晶化する。 - 特許庁

The thermoelectric transducer 1 has a super-lattice structure 20 formed by alternately laminating first layers 11 containing Si and second layers 12 containing Ge and Au, and both the first and second layers 11, 12 are amorphous.例文帳に追加

超格子構造２０を有する熱電変換素子１であって、超格子構造２０は、Ｓｉを含む第１の層１１と、ＧｅおよびＡｕを含む第２の層１２とを交互に積層することにより形成され、第１の層１１および第２の層１２はいずれもアモルファスである熱電変換素子。 - 特許庁

The semiconductor base material comprises: a base material of an amorphous, a polycrystal, a metal or the like; the crystal nucleus of SiGe or Ge formed on the base material by a heat CVD method using a germanium halide and silanes as raw materials; and a Si polycrystal film formed on the crystal nuclei by a vapor phase deposition method.例文帳に追加

また、本発明の半導体基材は、非晶質、多結晶あるいは金属などの基材と、該基材上にハロゲン化ゲルマニウムとシラン類を原料とする熱ＣＶＤ法で形成されたＳｉＧｅあるいはＧｅの結晶核と、該結晶核上に気相堆積法で形成されたＳｉ多結晶膜とを有する。 - 特許庁

This production method of a semiconductor base material comprises: forming crystal nucleus of SiGe or Ge on a base material, such as an amorphous, a polycrystal and a metal using a heat CVD method which is performed at a temperature of 550°C or lower using a germanium halide and silanes as raw materials; and forming a Si polycrystal film on the crystal nuclei by a vapor phase deposition method.例文帳に追加

５５０℃以下の温度でハロゲン化ゲルマニウムとシラン類を原料とする熱ＣＶＤ法を用いて、非晶質、多結晶あるいは金属などの基材上にＳｉＧｅあるいはＧｅの結晶核を形成し、該結晶核上に気相堆積法でＳｉ多結晶膜を形成する半導体基材の製造方法により、上記課題を解決する。 - 特許庁

During the process of source/drain region formation after the formation of a well region and a gate electrode for the construction of this MOS transistor, Ge or Si ions are first implanted for making amorphous the source/drain forming regions, and then two or more species of impurity ions different in mass number but the same in conductivity type are successively implanted into the regions by using the ion implantation method.例文帳に追加

ＭＯＳ型トランジスタの形成において、ウェル領域、ゲート電極を形成した後、ソース・ドレイン領域を形成する際、Ｇｅ又はＳｉをイオン注入してアモルファス化した後、連続して質量数の異なる２種類以上のイオン種で且つ同じ導電型の不純物をイオン注入法により注入することを特徴とする。 - 特許庁

In the phase change type optical information recording medium having a recording layer made of a phase change type recording material, the phase of which reversibly changes between an amorphous phase and a crystalline phase through the irradiation with electromagnetic waves, the phase change type recording material consists of Ge, Ga, Sb, Te and Mg and/or Ca.例文帳に追加

電磁波の照射により非晶相及び結晶相間を可逆的に相転移する相変化型記録材料からなる記録層を有する相変化型光情報記録媒体において、該相変化型記録材料が、Ｇｅ、Ｇａ、Ｓｂ、Ｔｅ並びにＭｇ及び／又はＣａから構成されていることを特徴とする相変化型光情報記録媒体。 - 特許庁