annular transistorとは 意味・読み方・使い方

TRANSISTOR EQUIPPED WITH ANNULAR GATE ELECTRODE例文帳に追加

環状型ゲート電極を備えたトランジスタ - 特許庁

A transistor comprises an arrangement of annular trench, a source metal film 224 and a gate metal film 524.例文帳に追加

トランジスタは、環状の溝の配置と、ソース金属膜２２４およびゲート金属膜５２４とを備えている。 - 特許庁

To provide a transistor having an annular gate electrode, which includes a connection pad connectable to a secondary gate electrode without severely influencing the transistor characteristics.例文帳に追加

環状型ゲート電極を持つトランジスタであって、トランジスタ特性に大きな影響を与えることなく、２次ゲート電極に接続可能な接続パッドを備えるものを提供する。 - 特許庁

An annular heat radiation plate 3 is directly fitted, by press- inserting, to a central lead leg 2c of a transistor 2 which becomes hot.例文帳に追加

トランジスタ２の高温となる中央のリード脚２ｃに、リング状の放熱板３を圧入により直接取り付ける。 - 特許庁

Related to an insulated gate field effect transistor 11, an annular source region 15 is formed as an island in a base region 14 exposed in a circle in an n-type drift region.例文帳に追加

絶縁ゲート型電界効果トランジスタ１１において、Ｎ形のドリフト領域に円形に露出したベース領域１４に、環状のソース領域１５を島状に形成する。 - 特許庁

The transistor having an annular gate electrode includes the connection pad for the secondary gate electrode where a part of the annular gate electrode extends onto at least one of a source electrode and a drain electrode while interposing an insulating layer between the source electrode and the drain electrode.例文帳に追加

環状型ゲート電極を備えたトランジスタであって、環状型ゲート電極の一部を、ソース電極及びドレイン電極の少なくとも一方の上に、ソース電極及びドレイン電極との間に絶縁層を介在させながら延在させて成る２次ゲート電極の接続パッドを備えることを特徴とする。 - 特許庁

To inhibit vitiation in the overlap area between a gate and a drain due to deviation in a photomask, either one of the gate electrode of a transistor and the source or drain electrode is set to an annular structure.例文帳に追加

フォトマスクの合わせずれによるゲ−ト−ドレイン間のオ−バラップ面積の変動を抑制するために、トランジスタのゲ−ト電極と、ソ−ス又はドレイン電極のうちどちらか一方のみとを、環状の構造となるようにする。 - 特許庁