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avalanche effectとは 意味・読み方・使い方
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「avalanche effect」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 17件
AVALANCHE FIELD EFFECT TRANSISTOR AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加
アバランシェ電界効果トランジスタとその製造方法 - 特許庁
Did you forget the effect of permanent trap, avalanche?例文帳に追加
バカな... 永続トラップ アバランチの効果を忘れたのか。 - 映画・海外ドラマ英語字幕翻訳辞書
To provide a semiconductor device with its electric characteristics protected from variation due to avalanche performance by not allowing the avalanche current to pass near the gate electrodes of a power MOS field effect transistor or the like during avalanche performance, and to provide a method for manufacturing the same.例文帳に追加
パワーMOS電界効果トランジスタ等のアバランシェ動作時の電流経路をゲート電極近傍ではないものとして、アバランシェ動作による電気的特性の変動を防止することができる半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁
Further, a field effect distribution is improved by the thick field oxide layer in the distal region, and an electron avalanche yield voltage can be stably expected.例文帳に追加
更に末端領域の厚いフィールド酸化層によって電界分布が改善され、電子なだれ降伏電圧がより安定した予想可能なものとなる。 - 特許庁
Further, an avalanche diode 300 is connected in parallel to the insulating gate type field effect transistor 200 to prevent the same transistor 200 from being destroyed.例文帳に追加
また、絶縁ゲート型電界効果トランジスタ200にアバランシェダイオード300を並列に接続して、絶縁ゲート型電界効果トランジスタ200の破壊を防ぐ。 - 特許庁
An APD 15B receives luminous flux more than the PD 15A via the lens 3B and the light guide 5B and converts it into a current by the avalanche effect.例文帳に追加
APD15Bはレンズ3Bとライトガイド5Bを介して、PD15Aより多くの光束を受光し、アバランシェ効果により電流に変換する。 - 特許庁
To provide an insulation gate field-effect transistor with vertical field plate structure capable of alleviating concentration of an avalanche current caused by a parasitic bipolar transistor.例文帳に追加
縦型のフィールドプレート構造を有する絶縁ゲート電界効果トランジスタにおいて、寄生バイポーラトランジスタによるアバランシェ電流の集中を緩和する。 - 特許庁
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「avalanche effect」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 17件
As for the photoconductor, for example, a photoconductor having a current amplifying a mechanism by the avalanche effect is used, and c-Si, a-Se, a-SiC or the like can be used.例文帳に追加
この光導電体としては、例えばアバランシェ効果による電流増幅機構を有するものがあり、具体的にはc−Si、a−Se、又はa−SiC等を用いることができる。 - 特許庁
Thereby, generation of whole avalanche can be prevented, the material cost and construction cost can be reduced to be superior in effect to cost performance, because of small size of the protrusion body 3.例文帳に追加
これにより全層雪崩の発生を防止することができ、突起物本体3が小型になるため、材料コストや施工コストの低減が可能となり、費用対効果に優れたものとなる。 - 特許庁
A carrier injection layer 14 of the avalanche field effect transistor is formed by an InAlAs, an InAINAs, or a GaInNAs layer, thus enabling quick, efficient, and low-noise amplification operation.例文帳に追加
アバランシェ電界効果トランジスタのキャリア注入層14をInAlAs層、InAlNAs層、あるいはGaInNAs層で形成することで、高速・高効率・低雑音の増幅動作が可能となる。 - 特許庁
The generated light is injected onto the electrode surface protruding in the discharge space of the arc tube, and an electron is discharged from the electrode surface by a photoelectric effect, and thereby an electron avalanche is induced to start discharging.例文帳に追加
この発生した光を前記発光管の放電空間に突出した電極表面に入射させ、光電効果により前記電極表面から電子を放出さることにより、電子なだれを誘起して放電を開始する。 - 特許庁
To provide a buffer for a net body of a guard fence, which can enhance the effect of absorbing an impact by the net body, by increasing the amount of deformation of the net body, in the action of an impact force of a rock fall, earth slide, an avalanche, etc.例文帳に追加
落石や土砂崩れ,雪崩等の衝撃力が作用した際、網体の変形量を大きくすることにより、網体による衝撃吸収効果を向上することができる防護柵の網体用緩衝装置を提供する。 - 特許庁
A vapor deposition film formed on the inside wall of a neck part 10 prevents local increase in potential in the inside wall of the neck part 10 and in an insulating support body 6 because of secondary electron emission avalanche suppressing effect, so that electrical discharge inside the neck part 10 is prevented.例文帳に追加
ネック部10の内壁に形成された蒸着膜は、2次電子放出なだれ抑制効果により、ネック部10の内壁および絶縁支持体6の部分的な電位上昇を阻止し、ネック部10内における放電を防止する。 - 特許庁
To provide a technology of simultaneously achieving improvement of recovery characteristic of a reflux diode and sure maintenance of avalanche resistance of MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor) in a semiconductor device with the MOSFET and SBD (Schottky Barrier Diode) in reverse parallel with the MOSFET formed on the same semiconductor substrate.例文帳に追加
MOSFETと、MOSFETと逆並列となるSBDとが同一半導体基板に形成された半導体装置において、還流ダイオードのリカバリ特性の改善と、MOSFETのアバランシェ耐量の確保との両立が可能な技術を提供する。 - 特許庁
To provide a near-field light probe capable of demonstrating an avalanche effect, improving photodetection sensitivity, improving the efficiency of detecting scattered light or the like generated by near-field light and lowering the noise of photodetection, and its manufacturing method.例文帳に追加
本発明は、アバランシェ効果を発揮し、光検出感度を高めることができ、近接場光により発生した散乱光等の検出効率を高めることができると共に光検出の低雑音化を図れる近接場光プローブ及びその製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁
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