biased plasmaとは 意味・読み方・使い方

This method comprises ionizing inclusion fullerene products to form plasma comprising an inclusion fullerene ion and an impurity ion, and selectively depositing the inclusion fullerene ion onto a substrate on which a biased voltage is impressed.例文帳に追加

内包フラーレンの生成物を電離して、内包フラーレンイオンと不純物イオンからなるプラズマを形成し、バイアス電圧を印加した基板上に選択的に内包フラーレンイオンを堆積させることにした。 - 特許庁

In a driving method of the plasma display device, a waveform having a reset function, an address function, and a sustain discharge function is applied to the scanning electrode while the sustain electrode is biased with a ground voltage.例文帳に追加

プラズマ表示パネルの駆動方法において、維持電極を接地電圧でバイアスした状態で、走査電極にリセット機能、アドレス機能、及び維持放電機能を有する波形を印加する。 - 特許庁

The layer which is deposited on a substrate by pyrolyzing a tantalum-containing organic metallic compound by a chemical vapor deposition method and contains much carbon is exposed to a plasma while the substrate is biased, by which the tantalum-carbon-base thin film of the low specific resistance useful as the barrier layer is obtained.例文帳に追加

化学気相堆積法によりタンタル含有有機金属化合物を熱分解して基板上に堆積させた炭素を多く含む層を、基板にバイアスを印加しつつプラズマに暴露することにより、バリア層として有用な低比抵抗のタンタル−炭素系薄膜を得る。 - 特許庁

In this driving method of an AC type PDP(plasma display panel), in an address period TA when addressing is performed, scanning electrodes Y are made to be in states, in which their electric conduction with a power source line become high impedance over at least the time of one parts of selection waite periods, prior to the time when they are biased to a selection potential Vya1.例文帳に追加

アドレッシングを行うアドレス期間ＴＡにおいて、スキャン電極Ｙを、当該スキャン電極Ｙが選択電位Ｖｙａ１にバイアスされる以前である選択待ち期間内の少なくとも一部の時間にわたって、電源ラインとの通電が高インピーダンスとなる状態にする。 - 特許庁

An opening of a regulation part for regulating a vapor deposition region is biased toward an exit side of substrate carrying part to increase an oblique incident component of evaporated material incident on a substrate at the closing period of a thin film-forming process, by the above, crystallinity of the MgO thin film and electron emitting property is improved, and gas discharge responsiveness of a plasma display panel is heightened.例文帳に追加

蒸着領域を規制する規制部の開口を基板搬送の出口側に偏在させて、薄膜形成過程の終期において蒸発材料の基板への斜め入射成分を多くすることにより、保護膜としてＭｇＯ薄膜の結晶性を高めて電子放出性能を向上させ、プラズマディスプレイパネルのガス放電応答性を高める。 - 特許庁

The silicon nitride film formed on a substrate 19 by plasma processing and used in a semiconductor element is constituted by laminating a biased silicon nitride film 31 which is formed by applying a bias to the substrate 19, and an unbiased silicon nitride film 32 which is formed by not applying a bias to the substrate 19 when the silicon nitride film comes in contact with a film 41 who wants to avoid hydrogen supply.例文帳に追加

プラズマ処理により基板１９上に形成され、半導体素子に用いる窒化珪素膜において、当該窒化珪素膜が、水素の供給を遮断したい膜４１と接する場合、当該窒化珪素膜を、基板１９にバイアスを印加して形成したバイアス窒化珪素膜３１と基板１９にバイアスを印加しないで形成したアンバイアス窒化珪素膜３２とを積層して構成すると共に、アンバイアス窒化珪素膜３２を膜４１に接する側に配置する。 - 特許庁