The semiconductor optical element 100 has the buried optical waveguide structure wherein a mesa-type optical waveguide layer is provided on a semiconductor substrate 101 and the optical waveguide layer is buried.例文帳に追加

半導体光素子１００は、メサ状の光導波層が半導体基板１０１上に設けられており、光導波層が埋設されている埋込光導波路構造を有する。 - 特許庁

Each optical waveguide 1, 2, 3a and 3b is constituted of a core buried in a clad layer 4.例文帳に追加

各光導波路１，２，３ａ，３ｂはクラッド層４に埋設されたコアにより構成されている。 - 特許庁

To provide a semiconductor optical element having a mesa-type buried optical waveguide structure for controlling irregular growth of the buried layer of a curving waveguide region while acquiring thickness of the buried layer of a linear waveguide region by easily controlling growth rate of the curving waveguide region and that of the linear waveguide region.例文帳に追加

メサ状の埋込光導波路構造を有する半導体光素子において、曲線導波路領域の成長速度と直線導波路領域の成長速度とを容易に制御して、直線導波路領域の埋込層の層厚を確保しつつ、曲線導波路領域の埋込層の異常成長を抑制する半導体光素子を提供する。 - 特許庁

To provide an array waveguide grid element which is easily integrated together with an LD/SW/Gate/AMP/waveguide type PD and is easily connected to an optical fiber by connecting a high mesa waveguide structure and a buried waveguide structure.例文帳に追加

ハイメサ導波路構造と埋め込み導波路構造を接続することによって、ＬＤ／ＳＷ／Ｇａｔｅ／ＡＭＰ／導波路型ＰＤなどとの集積が容易であり、また、光ファイバーとの接続も容易となるアレイ導波路格子素子を提供すること。 - 特許庁

A wedge-shaped optical resin member 112 formed of a silicone-based or epoxy-based optical resin is buried in the input-side fan-shaped slab waveguide 5.例文帳に追加

入力側扇型スラブ導波路５には、シリコン系やエポキシ系の光学樹脂を用いた楔型の光学樹脂部材１２が埋設されている。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a buried type plastic optical waveguide which is easily manufactured and has a low optical transmission loss.例文帳に追加

製造工程が容易で、光伝搬損失量の少ない埋め込み型プラスチック光導波路の製造方法を提供する。 - 特許庁

The first and the second optical waveguides 2 and 4 and the curved waveguide 3 are buried by clad layers 5 and are formed in a laminated manner on a substrate 11.例文帳に追加

第１および第２の光導波路２，４と曲がり導波路３とは、クラッド層５によって埋設され、基板１１上に積層形成されている。 - 特許庁

The optical waveguide is a deep buried type in which the burying depth is 7 μm or greater, and the specific refractive index difference between the central part of the optical waveguide and the glass substrate part is so large as 0.75% or larger.例文帳に追加

光導波路は、その埋込深さが７μｍ以上と深い埋込型であり、且つ光導波路の中心部とガラス基板の比屈折率差が０．７５％以上と大きい。 - 特許庁

Such as optical waveguide element 10 is manufactured by forming a buried optical waveguide 14 by providing an ion transmission prevention film pattern 26 immediately on an surface type optical waveguide (an increased refractive index portion) 24 formed on the surface of the glass substrate 12 and burying the surface type optical waveguide in the glass substrate by an electric field impression method.例文帳に追加

このような光導波路素子１０は、ガラス基板１２の表面に形成した表面型光導波路（屈折率増加部分）２４の直上にイオン透過防止膜パターン２６を設け、該表面型光導波路を電界印加法によりガラス基板中に埋め込むことによって埋込型光導波路１４を形成することで製造できる。 - 特許庁

The local equivalent refractive index of a core 3 of the planar optical waveguide provided with a clad 2 and the core 3 buried in the clad 2 is continuously changed in the lengthwise direction of the core 3.例文帳に追加

クラッド２と、このクラッド２内に埋設されたコア３を備えた平面光導波路のコア３の局所等価屈折率を、コア３の長手方向に連続的に変化させる。 - 特許庁

The optical fiber 102 is buried in a ring optical waveguide code 101a having a refractive index which is almost equal to that of the clad of the fiber 102, and the excited light from the semiconductor laser 103 is guided to the fiber 102 through a light guiding section 104 and subjected to excitation on side face.例文帳に追加

光ファイバ１０２のクラッドとほぼ等しい屈折率を持つリング光導波路コア１０１ａに光ファイバ１０２を埋め込み、導光部１０４を通して半導体レーザ１０３から励起光を導光して側面励起する。 - 特許庁

When the core 31 of the optical waveguide is formed, a core layer is formed up to the middle part, the plasmon probe 30 is formed in a part near the center of the core 31 from above and, when the core layer is formed after a remaining core layer is formed, the thick plasmon probe 30 is buried in the optical waveguide.例文帳に追加

光導波路のコア３１を形成する際、その途中までコア層の成膜を行い、その上からコア３１の中心近傍部分にプラズモンプローブ３０を形成し、残りのコア層の成膜を行った後、コア層を所定のコア形状に加工すると、厚みのあるプラズモンプローブ３０が光導波路内に埋め込まれた状態となる。 - 特許庁

In the optical circuit provided with a plurality of waveguides which have a buried structure on a plane substrate, variation in a refractive index and the polarization dependency thereof is specifically adjusted for each waveguide circuit and the polarization dependency of the variation in the refractive index is adjustable to be eliminated.例文帳に追加

平面基板上への埋めこみ構造の導波路を複数備える光回路は、屈折率変化量及びその偏波依存性が導波路毎に固有に調整され、屈折率変化量の偏波依存性をなくすように調整可能である。 - 特許庁

The extremely small optical waveguide is formed of an oxide film which is partially buried in a metallic substrate and has a width and a height equal to or less than the wavelength of light and is characterized by that the metallic substrate is formed of a composite laminated film of different kinds of metals such as titanium, aluminum, and silver.例文帳に追加

本発明による 極微小光導波路は、金属基板中に部分的に埋め込まれ、光の波長以下の幅と高さを有する酸化膜よりなるとともに、金属基板がチタン、アルミニウム、銀等の異種金属の複合積層膜より形成されることを特徴とする。 - 特許庁

Each of a forward-distributed feedback active region 101, a center-distributed feedback active region 102, and a backward-distributed feedback active region 103 is equipped with a diffraction grating 5 buried in a p-type InP clad layer 4 in the proximity of an upper surface 3a of an optical waveguide layer 3.例文帳に追加

前方分布帰還型活性領域１０１、中央分布帰還型活性領域１０２および後方分布帰還型活性領域１０３の各々には、光導波層３の上面３ａに近接するようにｐ型ＩｎＰクラッド層４内に埋め込まれた回折格子５が設けられている。 - 特許庁

To reduce the parasitic capacitance of the electrode pad of an element where a mesa stripe including an optical waveguide layer is buried by a semi-insulating InP based embedding layer having an upper surface consisting of a flat portion, an inclining portion and a fine growth portion and the electrode pad is formed on the embedding layer 4.例文帳に追加

光導波路層を含むメサストライプを、上面が平坦な平坦部、傾斜部及び微成長部からなる半絶縁性のＩｎＰ系埋込み層により埋め込み、埋込み層４上に電極パッドが形成された素子の電極パッドの寄生容量を小さくする。 - 特許庁

In the method for manufacturing a ridge type or buried optical waveguide, a core part formation part on a flat lower clad layer 2 is coated with a primer in advance, and a dispenser is used to directly write with a transparent resin having a refractive index higher than that of the lower clad layer on the primer coated part, thus forming a core part.例文帳に追加

リッジ型又は埋め込み型光導波路の製造方法において、平坦な下部クラッド層２上のコア部形成部分に、予めプライマーを塗布し、プライマー塗布部の上に下部クラッド層よりも屈折率の高い透明樹脂を、ディスペンサーを使用して直接描画することにより、コア部３を形成することを特徴とする光導波路の製造方法。 - 特許庁

To realize a manufacturing method for a semiconductor optical element in which a mesa structure containing an active layer formed by a selective growth operation is used as a waveguide without being etched, in which a buried structure comprising a current blocking structure can be formed without a need of the strict control of an etching rate and without a need of an alignment operation in a photolithographic operation and whose reproducibility, uniformity and throughout are superior.例文帳に追加

選択成長により形成した活性層を含むメサ構造をエッチングすることなく導波路として用い、なおかつ厳密なエッチングレートの管理やフォトリソグラフィ時の位置合わせを必要せずに電流ブロック構造を有する埋め込み構造を形成できる、再現性、均一性およびスループットに優れた半導体光素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide such a semiconductor laser in a normal mesa ridge buried waveguide semiconductor laser that can reduce a resistance in elements on the top of the normal mesa ridge pinched by current block layers and realize a high output, by ensuring the stability in the horizontal mode by reducing a width of the bottom of the normal mesa ridge and by eliminating optical absorption loss by ensuring enough thickness of a clad layer.例文帳に追加

順メサリッジ埋込導波型半導体レーザにおいて、順メサリッジの基底部の幅を狭くして横モードの安定性を確保し、かつ上クラッド層の厚みを充分確保して光の吸収ロスを少なくしつつ、電流ブロック層で挟まれた順メサリッジ頂上部の素子抵抗の少ない高出力の半導体レーザを提供する。 - 特許庁

In the method for manufacturing the optical waveguide that comprises the underclad, core, and underclad formed on a main surface of a substrate and has the core buried between the underclad and over clad, the coefficient of the over clad is adjusted for the coefficient of linear expansion of the substrate to minimize the residual stress in the over clad nearby the core and also prevent the core from sinking in the underclad.例文帳に追加

基板と、該基板の主面に形成された、アンダー・クラッドとコア及びオーバー・クラッドから成る、該コアが該アンダー・クラッド及び該オーバー・クラッドの間に埋め込れた構造の光導波路の製造方法であって、該基板の線膨張係数に対して該オーバー・クラッドの線膨張係数を調整し、該オーバー・クラッド内の該コアの近傍における残留応力を極小化すると共に、該アンダー・クラッド内への該コアの沈み込みを防止する。 - 特許庁