buried oxidationとは 意味・読み方・使い方

To provide a method for manufacturing an electronic device where an anticorrosion coating film composed of BTA is easily eliminated, after a Cu buried wiring has been formed by using a CMP method and before an oxidation protective film composed of SiN or the like is formed, so that peeling of the oxidation protective film is prevented after film formation.例文帳に追加

ＣＭＰによりＣｕ埋込み配線を形成した後、ＢＴＡからなる防食被膜をＳｉＮのような酸化防止膜を成膜する前に容易に除去して、前記酸化防止膜の成膜後の剥離を防止した電子デバイスの製造方法を提供する。 - 特許庁

When the grooves are completely buried by an oxide film grown on a base material surface by the thermal oxidation treatment [Fig.1(c)], an oxidation region 300 becomes a plate-like support structure having a sufficient width with respect to conductive regions 101, 102 to be connected, and has high strength against stress applied to the structure.例文帳に追加

熱酸化処理で母材表面に成長した酸化膜により溝が完全に埋められた場合（ｃ）、酸化領域３００は、接続する導電性領域１０１，１０２に対して十分な幅を持つ板状の支持構造になり、構造体にかかる応力に対して高い強度をもつ。 - 特許庁

A P+ emitter region 41 is formed from above a step difference and an interval 42 is enlarged by the influence of acceleration oxidation to the collector buried layer 29.例文帳に追加

段差の上部からＰ＋エミッタ領域４１を形成すること及びコレクタ埋め込み層２９に対する増速酸化の影響により、間隔４２を拡大する。 - 特許庁

A layer 14 of softening material such as boron which decreases the glass softening point is formed as buried in a CVD oxide film 6 as deep as prescribed by implantation of ions or thermal oxidation carried out in vapor phase, liquid phase or solid phase.例文帳に追加

イオン注入あるいは気相、液相、または、固相での熱酸化により、ホウ素等のガラス軟化点温度を低下させる軟化物質層１４を、ＣＶＤ酸化膜６の表面から所定の深さにかけて形成する。 - 特許庁

As positive oxide film forming treatment including the oxidation prior to the ion implantation to the epitaxial layer 3 is neglected, the number of thermal hysteresis loaded on the buried ion implanted layers 71', 72' is lowered, thereby, the diffusion in the lateral direction is effectively suppressed.例文帳に追加

注入前酸化を含めたエピタキシャル層３への積極的な酸化膜形成処理が排除される結果、埋込イオン注入層７１’，７２’に加わる熱履歴の回数が減って横方向拡散が効果的に抑制される。 - 特許庁

Thermal oxidation is performed in the state that the upper ends of the silicon pillars 15 are held by the coupling parts 18, 19 of the etching mask 12, the silicon pillars 15 are oxidized, a trench 14 is buried, and a wide and uniform oxide bulk 17 is formed.例文帳に追加

シリコン柱１５の上端をエッチングマスク１２の連結部１８，１９により支持した状態で熱酸化をおこない、シリコン柱１５を酸化して、トレンチ１４を埋め、幅の広い均一な酸化物バルク１７を形成する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device capable of preventing oxidation and corrosion of conductive members buried in an interlayer insulating film and keeping satisfactory electrical characteristics of the conductive members.例文帳に追加

層間絶縁膜に埋め込まれる導電部材の酸化および腐食などを防止するとともに、導電部材の電気特性を良好に保つことが可能な半導体装置を提供する。 - 特許庁

To provide a method for recovering damage of a low dielectric constant insulating film, the method sufficiently recovering electrical characteristics of the low dielectric constant insulating film itself while suppressing oxidation of buried metal and generation of pattern defaults.例文帳に追加

埋め込まれた金属の酸化、及びパターン欠損の発生を抑制しつつ、低誘電率絶縁膜自体の電気的特性を十分に回復できる低誘電率絶縁膜のダメージ回復方法を提供すること。 - 特許庁