channel dopingとは 意味・読み方・使い方

In the case boron doping to P channel transistors is not desired the ion is implanted with the additional mask.例文帳に追加

また、Ｐチャネルトランジスタにボロンを入れたくない場合には、マスクを追加した状態でイオン注入する。 - 特許庁

Furthermore, the method includes a doping step of forming a channel region 306 of a second conductivity type by doping the semiconductor substrate after forming the trench 310.例文帳に追加

又、この方法は、前記トレンチ３１０を形成した後に、前記半導体基板にドーピングを行って第２導電型のチャネル領域３０６を形成するドーピングステップを具える。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing an electro-optical device having a process of manufacturing an TFT which can prevent deterioration of a gate insulation film when conducting channel doping accompanying execution of the channel doping and improve reliability of the TFT.例文帳に追加

チャネルドープの際、該チャネルドープに伴うゲート絶縁膜の劣化を防ぐことができ、ＴＦＴの信頼性向上を図ることのできるＴＦＴの製造工程を有する電気光学装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

Specifically, an exemplary device 300 may comprise a source region 306, a channel region 310, and a drain region 308 in a thin semiconductor layer, and the source, channel, and drain regions may all share a single doping type of varying concentrations.例文帳に追加

特に、典型的なデバイス３００は、薄い半導体層にソース３０６、チャネル３１０、およびドレイン３０８と、異なる濃度の単一のドーピングタイプを全て共有する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device having a MOS transistor capable of controlling a threshold voltage easily without channel doping or micromachining to a channel region.例文帳に追加

チャネルドープまたはチャネル領域を微細加工することなく、容易にしきい値電圧の制御が可能なＭＯＳトランジスタを具備する半導体装置を提供することを課題とする。 - 特許庁

This is a thin film transistor circuit board wherein an n channel region 9N to form an n-type transistor 8N and a p channel region 8P to form a p-type transistor are formed on the board, and channel doping is done at least in either the n-channel region 9N or the p channel region 9P.例文帳に追加

基板上にＮ型トランジスタ８Ｎを形成するＮチャネル領域９Ｎと、Ｐ型トランジスタを形成するＰチャネル領域８Ｐとが形成され、Ｎチャネル領域９ＮとＰチャネル領域９Ｐとの少なくとも一方の半導体層にチャネルドープがなされた薄膜トランジスタ回路基板である。 - 特許庁

To provide a semiconductor element capable of adjusting a threshold voltage by a channel length and a doping condition of an extension source region and a drain region.例文帳に追加

チャンネル長および延長ソース／ドレイン領域のドーピング条件によって閾値電圧を調製できる半導体素子の提供。 - 特許庁

A surface channel layer 5 positioned at the lower part of a gate oxide film 7 is formed with a doping concentration of nitrogen of 1×1015 cm-3 or less.例文帳に追加

ゲート酸化膜７の下部に位置する表面チャネル層５を、窒素のドーピング濃度が１×１０^15ｃｍ^-3以下で形成する。 - 特許庁