charge-coupled memoryとは 意味・読み方・使い方

The image data of the document 1 are read by a CCD(charge coupled device) sensor 11 and stored in an image memory 12.例文帳に追加

帳票１の画像データは、ＣＣＤセンサ１１で読み取られて画像メモリ１２に格納される。 - 特許庁

A data bus DB pre-charged at pre-charge voltage Vpr before read-out of data is coupled electrically to the same voltage as the pre-charge voltage Vpr through a selection memory cell at the time of read-out of data.例文帳に追加

データ読出前にプリチャージ電圧ＶｐｒにプリチャージされたデータバスＤＢは、データ読出時に選択メモリセルを介して、プリチャージ電圧Ｖｐｒと同一の電圧と電気的に結合される。 - 特許庁

This semiconductor memory is provided with a memory cell array in which memory strings including selection transistors and plural memory cells which are coupled with the transistors and have electric charge catching circuits in gate insulating films respectively are arranged in a matrix shape and a bias circuit 12 which supplies a prescribed potential to gates of memory cells to be coupled with nonselected selection transistors when selection transistors are nonselected.例文帳に追加

選択トランジスタ、およびこの選択トランジスタに結合され、それぞれがゲート絶縁膜中に電荷捕獲回路を有する複数のメモリセルとを含むメモリセルストリングがマトリクス状に配置されたメモリセルアレイと、選択トランジスタが非選択のときに、この非選択な選択トランジスタに結合されるメモリセルのゲートに、所定の電位を供給するバイアス回路１２とを具備することを特徴としている。 - 特許庁

MEMORY HAVING CHARGE STORAGE NODE HAVING AT LEAST A PART POSITIONED IN TRENCH OF SEMICONDUCTOR SUBSTRATE AND ELECTRICALLY COUPLED WITH SOURCE/DRAIN REGIONS FORMED ON SUBSTRATE例文帳に追加

半導体基板のトレンチ内に少なくとも一部が位置付けられ、該基板に形成されたソース／ドレイン領域に電気的に結合された電荷蓄積ノードを有するメモリ - 特許庁

A solid image pickup device 1 is a CCD (charge coupled device) element having a all-pixel-reading mode and a horizontal-image-mixture-reading mode, and has a line memory placed between a horizontal transfer CCD and a vertical transfer CCD.例文帳に追加

固体撮像素子１は、全画素読み出しモードと水平画素混合読み出しモードとを有するＣＣＤ素子であり、水平転送ＣＣＤと垂直転送ＣＣＤとの間にラインメモリが配置されている。 - 特許庁

Image pickup signals of an odd numbered line and an even numbered line exposed with the same timing and which are not subjected to summing processing in a vertical direction are obtained from a CCD(charge- coupled device) 103 of an interlace drive system in this image pickup device, when picking up a still image and once stored in an image memory 112.例文帳に追加

静止画撮影時においては、インタレース駆動方式のＣＣＤ１０３から垂直方向に加算処理しない同一タイミングで露光した奇数ラインと偶数ラインの撮像信号を得て、これを画像メモリ１１２に一旦記憶する。 - 特許庁

The memory cell MC includes a first gate electrode WG formed on a channel region 4 in a semiconductor substrate 1 through a gate insulation film 5, a second gate electrode CG formed at a side of the first gate electrode WG and coupled with the first gage electrode WG through an insulation substance, and an electric charge trap film 6 formed at least between the channel region 4 and the second gate electrode CG.例文帳に追加

メモリセルＭＣは、半導体基板１中のチャネル領域４上にゲート絶縁膜５を介して形成された第１ゲート電極ＷＧと、第１ゲート電極ＷＧの側方に形成され絶縁体を介して第１ゲート電極ＷＧとカップリングする第２ゲート電極ＣＧと、チャネル領域４と第２ゲート電極ＣＧとの間に少なくとも形成された電荷トラップ膜６とを有する。 - 特許庁