compensated semiconductorとは 意味・読み方・使い方

Furthermore, even if characteristics of a semiconductor laser LD is varied, a drive current Ild of the semiconductor laser LD is compensated, and the differential amplifier 11 has a function for suppressing noise to a low level, the semiconductor laser LD is modulated stably.例文帳に追加

また半導体レーザLDの特性が変化しても半導体レーザLDの駆動電流Ildが補正され、差動増幅器１１はノイズを少なく抑える機能があるので、半導体レーザLDを安定して変調できる。 - 特許庁

To provide a wavelength multiplexer/demultiplexer using a semiconductor material with which the polarization dependency generated due to the error in a manufacturing process or the machining error is compensated without being accompanied by the deterioration in characteristic.例文帳に追加

製造プロセス時のエラーや加工誤差により生じた偏波依存性を、特性劣化を伴うことなく補償できる半導体系材料を用いた波長合分波器を提供する。 - 特許庁

Errors produced in the data, when the failures generated in semiconductor memory 703, are compensated readily, and operation as a desired RAM, even if the failures are present in the data input/output, is performed.例文帳に追加

半導体メモリ７０３に故障が発生した際にデータに生じる誤りを容易に補償することができ、またデータ入出力に故障が存在しても所望のＲＡＭとして動作できる。 - 特許庁

To provide, as one object, a driver circuit in which a threshold voltage is compensated in accordance with the degree of change in the threshold voltage, when a thin film transistor whose channel is formed using an amorphous semiconductor is used for a unipolar driver circuit.例文帳に追加

チャネルが非晶質半導体によって構成される薄膜トランジスタを単極性の駆動回路に用いる際、しきい値電圧の変動の程度に応じてしきい値電圧を補正する駆動回路を提供することを課題の一とする。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory device in which transfer voltage to a word line can be compensated even when a property of a drive transistor of a word line is deteriorated.例文帳に追加

ワード線の駆動トランジスタの特性が劣化した場合においてもワード線への転送電圧を補正することが可能な半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁

This semiconductor device comprises a gate 40, a gate oxide layer 41 beneath the gate 40, a source region 42 and a drain region 43 having a junction depth 45, a channel length 44, a halo injection part 46, a compensated injection part 47, and a side distribution tail 48.例文帳に追加

ゲート４０、ゲート４０の下のゲート酸化物層４１、接合深さ４５を有するソース領域４２とドレイン領域４３、チャネル長４４、ハロー注入部４６、補償注入部４７と側部分布テール４８を有する。 - 特許庁

To provide a semiconductor integrated circuit for communication in which dispersion in an oscillation amplitude value of a voltage controlled oscillator for transmission TXVCO is compensated, the dispersion being caused by dispersion in a threshold voltage Vth of a field effect transistor (FET) for oscillation.例文帳に追加

通信用半導体集積回路で、発振用の電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）のしきい値電圧Ｖｔｈのバラツキによる送信用電圧制御発振器ＴＸＶＣＯの発振振幅値のバラツキを補償すること。 - 特許庁

The heating condition of impurity activation is set on the result of measurement of the gate threshold voltage, whereby, the irregularity of characteristics of an unit of FET structure is compensated, and the characteristics of semiconductor device can be made uniform.例文帳に追加

ゲート閾値電圧の測定結果に基づいて不純物活性化の加熱条件を設定することで、単位ＦＥＴ構造の特性の不揃いを補償し、半導体装置の特性を揃えることができる。 - 特許庁