compensated semiconductorとは 意味・読み方・使い方

To provide a semiconductor memory device in which transfer voltage to a word line can be compensated even when a property of a drive transistor of a word line is deteriorated.例文帳に追加

ワード線の駆動トランジスタの特性が劣化した場合においてもワード線への転送電圧を補正することが可能な半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁

When the output level of the output light is reduced from prescribed reference, the output of the semiconductor laser is compensated, so as to obtain set gain.例文帳に追加

出力光の出力レベルが所定の基準より低下すると、設定された利得が得られるように半導体レーザーの出力が補償される。 - 特許庁

By forming a plurality of p-type semiconductor regions 13 on the main surface side of an n-type semiconductor substrate 10 separately or so as to be partially overlapped, and forming an n-type semiconductor region 17 shallow over the adjacent p-type semiconductor regions 13, the mutually opposing shallow regions of the adjacent p-type semiconductor regions 13 are compensated by an overlap with the n-type semiconductor region 17.例文帳に追加

ｎ型の半導体基板１０の主面側に複数のｐ半導体領域１３を離してまたは一部が重なるように形成し、隣り合うｐ半導体領域１３にまたがってｎ半導体領域１７を浅く形成することによって、隣り合うｐ半導体領域１３の相対峙する浅い領域をｎ半導体領域１７との重なりによって補償する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device wherein deterioration of current supply ability caused by substrate bias effect is compensated, and deterioration of charge transfer ability is restrained.例文帳に追加

基板バイアス効果による電流供給能力の低下を補償するとともに、電荷転送能力の低下を抑制することのできる半導体装置を提供する。 - 特許庁

To provide a wavelength multiplexer/demultiplexer using a semiconductor material with which the polarization dependency generated due to the error in a manufacturing process or the machining error is compensated without being accompanied by the deterioration in characteristic.例文帳に追加

製造プロセス時のエラーや加工誤差により生じた偏波依存性を、特性劣化を伴うことなく補償できる半導体系材料を用いた波長合分波器を提供する。 - 特許庁

In a method of producing the semiconductor element having a light-emitting semiconductor layer or a light-emitting semiconductor element, two contact locations, and a vertically or horizontally patterned carrier substrate, the carrier substrate is patterned in such a way that the thermal stresses are reduced or compensated sufficiently to ensure that the element does not fail.例文帳に追加

光出射半導体層、又は、光出射半導体素子、２つのコンタクト個所及び垂直又は水平に構造化された支持体基板を有する半導体構成素子の製造方法において、支持体基板は、熱応力を、構成素子が故障しないように十分に小さくし、乃至、補償するように構造化する。 - 特許庁

Errors produced in the data, when the failures generated in semiconductor memory 703, are compensated readily, and operation as a desired RAM, even if the failures are present in the data input/output, is performed.例文帳に追加

半導体メモリ７０３に故障が発生した際にデータに生じる誤りを容易に補償することができ、またデータ入出力に故障が存在しても所望のＲＡＭとして動作できる。 - 特許庁

The heating condition of impurity activation is set on the result of measurement of the gate threshold voltage, whereby, the irregularity of characteristics of an unit of FET structure is compensated, and the characteristics of semiconductor device can be made uniform.例文帳に追加

ゲート閾値電圧の測定結果に基づいて不純物活性化の加熱条件を設定することで、単位ＦＥＴ構造の特性の不揃いを補償し、半導体装置の特性を揃えることができる。 - 特許庁