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意味・対訳 収縮形

JST科学技術用語日英対訳辞書での「contraction pattern」の意味

contraction pattern


「contraction pattern」の部分一致の例文検索結果

該当件数 : 79



例文

The method also comprises the steps of erasing the layout information after the elongation or contraction of the pattern information (S19), and forming the forgery preventive pattern.例文帳に追加

パターン情報の伸縮完了後、レイアウト情報を消去して(S19)、偽造防止パターンを作成する。 - 特許庁

To correctly detect a pattern by using a high sensitivity pattern by reducing the influence due to positional dislocation of an inspection pattern and contraction of a base material in a pattern inspecting device.例文帳に追加

パターン検査装置において検査パターンの位置ずれや基材の収縮等による影響を少なくし、高感度のパターンを用いて誤りなく検出できるようにすること。 - 特許庁

By using the manufacturing device and rotating the flower pattern die 8, the contraction work for the pipe diameter after rolling is conducted with 20% or less diameter contraction rate.例文帳に追加

この製造装置を使用し、花柄ダイス8を回転させながら、縮径率が20%以下で転造後の管の縮径加工を行う。 - 特許庁

This method for manufacturing the micro lens includes processes of: forming a resist pattern on a base surface; forming a thermal contraction membrane on the surface of the resist pattern; performing thermal processing at temperature equal to or higher than glass transition temperature of the resist pattern and equal to or hither than contraction starting temperature of the thermal contraction membrane and exfoliating the thermal contraction membrane.例文帳に追加

基体表面にレジストパターンを形成する工程と、前記レジストパターン表面に、熱収縮性皮膜を形成する工程と、前記レジストパターンのガラス転移温度以上であってかつ、前記熱収縮性皮膜の収縮開始温度以上の温度で熱処理を行う工程と、前記熱収縮性皮膜を剥離する工程とを含む。 - 特許庁

To appropriately write a plurality of pattern blocks on a substrate by a light beam in accordance with the expansion and contraction of a substrate.例文帳に追加

基板の伸縮に合わせて光ビームにより複数のパターンブロックを基板上に適切に描画する。 - 特許庁

This anti-corrosive cap is formed of thermal contraction resin 5, and a pattern 8 for confirming the degree of contraction is displayed on the outer surface of the cap.例文帳に追加

この防食キャップは、熱収縮性の樹脂5によって形成されるとともに、その外面に、収縮の度合いを確認することができる模様8が表示されている。 - 特許庁

例文

To provide a bake device of a resist pattern capable of making uniform the dimension changing amounts of the resist pattern in bake treatment (the contraction amounts of a pattern opening).例文帳に追加

ベーク処理におけるレジストパターンの寸法変化量(パターン開口部の縮み量)を均一にすることができるレジストパターンのベーク装置及びレジストパターンの形成方法を提供する。 - 特許庁

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「contraction pattern」の部分一致の例文検索結果

該当件数 : 79



例文

To set arbitrary sensitivity by reducing the influence of a position shift of an inspection pattern on a pattern inspecting device, the contraction of a base material, etc.例文帳に追加

パターン検査装置において検査パターンの位置ずれや基材の収縮等による影響を少なくし、任意の感度を設定できるようにすること。 - 特許庁

A contraction difference between an insulating substrate 1 and the pattern 2 is absorbed when the bend part 6 is deformed positively.例文帳に追加

絶縁基板1と導体層パターン2との間の収縮差は、曲げ部6が積極的に変形することで吸収する。 - 特許庁

A pattern having the level difference lower than height of a partition pattern is provided adjacent to the partition pattern, so that it is possible to delete or cancel the rise of the partition due to baking contraction when baking.例文帳に追加

隔壁パターンに隣接して隔壁パターンの高さよりも低い段差パターンを設けることで、焼成時の焼成収縮による隔壁の盛り上がりを無くすか、或いは相殺することが可能となる。 - 特許庁

Materials of the package, intermediate substrate, and dielectric substrate are so selected that when the superconducting filter is cooled from room temperature down to the critical temperature of the resonator pattern, the difference between the contraction factor of the intermediate substrate and the contraction factor of the dielectric substrate is smaller than the difference between the contraction factor of the dielectric substrate and the contraction factor of the package.例文帳に追加

パッケージ、中間基板、及び誘電体基板の材料は、室温から共振器パターンの臨界温度まで冷却したとき、中間基板の収縮率と誘電体基板の収縮率との差が、誘電体基板の収縮率とパッケージの収縮率との差よりも小さくなるように選択されている。 - 特許庁

To provide a resin composition for forming a fine pattern which can attain smooth and further stable contraction of a resist pattern by heat treatment, and easy removal thereof by a subsequent alkali aqueous solution treatment.例文帳に追加

熱処理により、レジストパターンを円滑により安定して収縮させることができると共に、その後のアルカリ水溶液処理により容易に除去し得る。 - 特許庁

Then, using the optimized reticle contraction correction model, the pattern is aligned to a target layer of a wafer, which is a next exposure object.例文帳に追加

そして、最適化後のレチクル伸縮補正モデルを用いて、パターンを次の露光対象のウエハのターゲット層に位置合わせする。 - 特許庁

The pattern forming device 100 measures the elongation and contraction of a base material length (step 902) and measures the position of the previous process pattern (step 904) relating to the region where the elongation and contraction ratio ((L+ΔL)/L) of the base material length is not within a prescribed range (No of step 903).例文帳に追加

パターン形成装置100は、基材長の伸縮を測定し(ステップ902)、基材長の伸縮割合((L+ΔL)/L)が所定の範囲内にない領域に関しては(ステップ903のNo)、前工程パターンの位置測定を行う(ステップ904)。 - 特許庁

例文

If the 1st master pattern is disconnected or disappeared when a single pixel is contracted in the 1st master pattern, the pixel contraction processing is discontinued.例文帳に追加

第1のマスタパターン中の画素を1画素分収縮処理することにより、第1のマスタパターンにパターンの断線あるいは消滅が発生する場合は、画素の収縮処理を中止する。 - 特許庁

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