critical lengthとは 意味・読み方・使い方

Concerning a semiconductor element having a gate length which is not shorter than the critical gate length and not longer than the upper-limit gate length, the impurity concentration distribution of the semiconductor element is led out based on the representative impurity concentration distribution.例文帳に追加

限界ゲート長以上であり、かつ上限ゲート長以下の長さのゲート長を有する半導体素子について、代表不純物濃度分布に基づいて、当該半導体素子の不純物濃度分布を導出する。 - 特許庁

The superconducting cable 1 with an optical fiber 3o incorporated is to be an inspection object, and a critical current Ic_all for a whole length of the cable 1 is measured.例文帳に追加

光ファイバ3oを内蔵した超電導ケーブル1を検査対象とし、ケーブル1の全長における臨界電流Ic_allを測定する。 - 特許庁

The composite may contain a means for modifying at least one of these properties in order to reduce the critical fiber length.例文帳に追加

この複合体は臨界繊維長さを減少させるためにこれらの性質の１以上の性質を変化させるための手段を含むことができる。 - 特許庁

The method for controlling the operation schedule of the elevator cage controls a time when the elevator cage stays in a predetermined critical zone in the presence of the condition, so that the time when the elevator cage stays in the predetermined critical zone cannot exceed a predetermined length of time.例文帳に追加

エレベータかご運行スケジュール制御の制御は、エレベータかごが所定の臨界ゾーンにいる時間が所定の長さを超えないように、この条件が存在する際にエレベータかごが所定の臨界ゾーンにいる時間を制御する。 - 特許庁

To provide a cell arrangement method for a semiconductor integrated circuit, that can shorten delay and wire length by reducing the number of critical nets.例文帳に追加

クリティカルネットの数を減少させ、ディレイ短縮、及び、配線長短縮を図ることを可能とした半導体集積回路のセル配置方法を提供する。 - 特許庁

To enlarge the field of application of a floor slab bridge using square steel pipes by increasing the critical length without increasing the conventional girder height.例文帳に追加

角形鋼管を使用した床版橋において、従来の桁高を高くすることなく限界長を長くすることで、該床版橋の適用分野を拡大する。 - 特許庁

On measuring length of the resist film having the above pattern formed thereon by using a CD-SEM (critical dimension scanning electron microscope), first an objective chip region 11a for length measurement is designated among a plurality of chip regions, and the position of the length measurement pattern 13a placed in the left side is identified.例文帳に追加

このようなパターンの形成が行われたレジスト膜に対して、ＣＤ−ＳＥＭを用いて測長を行う場合には、複数のチップ領域のうちから測長対象チップ領域１１ａを指定した後、その左方に位置する測長パターン１３ａの位置を特定する。 - 特許庁

To form a damascene wiring which has separated fine wiring lines of a Blech critical length and is high in EM and SM immunities, without causing increase in wiring resistance.例文帳に追加

配線抵抗の増加を招かずに、Ｂｌｅｃｈの臨界長以下の微細配線に分断されたＥＭ耐性およびＳＭ耐性の高いダマシン配線を形成すること - 特許庁