crystal-melt interfaceとは 意味・読み方・使い方

The distribution of temperatures in the vicinity of the solid/ liquid interface 9 between a langasite melt 8 and a seed crystal 2 is measured during growing the single crystal (during descending of a crucible) by providing a five-point type thermocouple 10 in the vicinity of the solid/liquid interface 9.例文帳に追加

るつぼ３内のランガサイト融液８と種結晶２との固液界面９近傍に５点式熱電対１０を設けて、単結晶育成中（るつぼ下降中）に固液界面９近傍温度分布を測定する。 - 特許庁

To increase the crystal growth speed of a group III nitride crystal and to grow the group III nitride crystal having a practical crystal size at a low cost by positively utilizing the fluctuation of the liquid surface (gas-liquid interface) of a mixed melt.例文帳に追加

混合融液の液面（気液界面）の変動を積極的に利用することで、III族窒化物結晶の結晶成長速度を高め、実用的な結晶サイズのIII族窒化物結晶を低コストで成長させる。 - 特許庁

To make an even magnetic field obtainable in a silicon melt, make impurities preventable from concentrating on the central surface of the silicon melt, and to effectively control a solid-liquid interface form directly below a silicon single crystal rod.例文帳に追加

シリコン融液に均一な磁場が得られ、不純物がシリコン融液の中央表面に集中することを防止でき、かつシリコン単結晶棒直下の固液界面形状を有効に制御する。 - 特許庁

To provide a method for improving performances of a crystal growth program based on the temperature gradient at the crystal growth front (crystal-melt interface) in the Czochralski process.例文帳に追加

チョクラルスキー法において、結晶成長フロント(結晶−融液界面)での温度勾配にもとづいた結晶成長プログラムの性能改善方法を提供する。 - 特許庁

To suppress thermal strain in a single crystal to be grown by suppressing a thermal convection during pulling a single crystal by Czochralski (Cz) method, to loosen the temperature gradient on a crystal growth interface of the melt.例文帳に追加

チョクラルスキー（Ｃｚ）法による単結晶引き上げにおいて、熱対流を抑制することにより、融液の結晶成長界面における温度勾配を緩くして、成長させる単結晶の熱歪みを抑制する。 - 特許庁

While a GaN crystal is grown by an Na flux method, the distance from the GaN crystal surface in a mixture melt to a gas-liquid interface is kept to 10 mm or less, and a crucible and a seed crystal are independently rotated in the following rotation mode.例文帳に追加

Ｎａフラックス法によるＧａＮ結晶育成中、混合融液中のＧａＮ結晶表面から気液界面までの距離を１０ｍｍ以下に保持し、坩堝と種結晶とを下記回転モードでそれぞれ独立に回転させた。 - 特許庁

The natural convection S overcomes a forced convection formed near the solid-liquid interface by a relative rotation of the GaAs single crystal 3 and the crucible 7 and becomes the dominant convection in the GaAs melt 6, which enables the solid-liquid interface to be convexly curved toward the GaAs melt 6.例文帳に追加

これにより、ＧａＡｓ単結晶３とルツボ７との相対回転に起因する固液界面付近の強制対流に打ち勝って、ＧａＡｓ融液６内の対流は自然対流Ｓが支配的となり、固液界面形状をＧａＡｓ融液６側に凸面に制御可能となる。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a compound semiconductor single crystal, by which the solid-liquid interface can be controlled in such a manner that the solid-liquid interface becomes a shape perpendicular to the crystal growth axis direction or a shape protruded toward the raw material melt side during crystal growth.例文帳に追加

固液界面が結晶成長全般に亘り、結晶成長軸方向に垂直の形状、または原料融液側に凸形状となるような固液界面制御を可能とする化合物半導体単結晶の製造方法を提供する。 - 特許庁