「crystal-melt interface」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

METHOD AND APPARATUS FOR GROWING SILICON CRYSTAL BY CONTROLLING MELT-SOLID INTERFACE SHAPE AS FUNCTION OF AXIAL LENGTH例文帳に追加

軸方向長さの関数としてメルト−固体界面形状を制御することによってシリコン結晶を成長させる装置及び方法 - 特許庁

To provide a single crystal growth device capable of stably producing a single crystal having excellent quality by, in the process of single crystal growth, allowing the central-symmetric natural convection of a melt and thereby inhibiting variation in temperature of the melt at the growth interface, and also to provide a single crystal growth method using the device.例文帳に追加

単結晶育成中に、融液の自然対流が中心対称性を得られるようにして、結晶の成長界面における融液の温度変動を抑制することにより、優れた品質の単結晶を安定して育成することができる単結晶育成装置と、それを用いた育成方法を提供する。 - 特許庁

The distribution of temperatures in the vicinity of the solid/ liquid interface 9 between a langasite melt 8 and a seed crystal 2 is measured during growing the single crystal (during descending of a crucible) by providing a five-point type thermocouple 10 in the vicinity of the solid/liquid interface 9.例文帳に追加

るつぼ３内のランガサイト融液８と種結晶２との固液界面９近傍に５点式熱電対１０を設けて、単結晶育成中（るつぼ下降中）に固液界面９近傍温度分布を測定する。 - 特許庁

To increase the crystal growth speed of a group III nitride crystal and to grow the group III nitride crystal having a practical crystal size at a low cost by positively utilizing the fluctuation of the liquid surface (gas-liquid interface) of a mixed melt.例文帳に追加

混合融液の液面（気液界面）の変動を積極的に利用することで、III族窒化物結晶の結晶成長速度を高め、実用的な結晶サイズのIII族窒化物結晶を低コストで成長させる。 - 特許庁

To make an even magnetic field obtainable in a silicon melt, make impurities preventable from concentrating on the central surface of the silicon melt, and to effectively control a solid-liquid interface form directly below a silicon single crystal rod.例文帳に追加

シリコン融液に均一な磁場が得られ、不純物がシリコン融液の中央表面に集中することを防止でき、かつシリコン単結晶棒直下の固液界面形状を有効に制御する。 - 特許庁

To provide a method for improving performances of a crystal growth program based on the temperature gradient at the crystal growth front (crystal-melt interface) in the Czochralski process.例文帳に追加

チョクラルスキー法において、結晶成長フロント(結晶−融液界面)での温度勾配にもとづいた結晶成長プログラムの性能改善方法を提供する。 - 特許庁

To suppress thermal strain in a single crystal to be grown by suppressing a thermal convection during pulling a single crystal by Czochralski (Cz) method, to loosen the temperature gradient on a crystal growth interface of the melt.例文帳に追加

チョクラルスキー（Ｃｚ）法による単結晶引き上げにおいて、熱対流を抑制することにより、融液の結晶成長界面における温度勾配を緩くして、成長させる単結晶の熱歪みを抑制する。 - 特許庁

While a GaN crystal is grown by an Na flux method, the distance from the GaN crystal surface in a mixture melt to a gas-liquid interface is kept to 10 mm or less, and a crucible and a seed crystal are independently rotated in the following rotation mode.例文帳に追加

Ｎａフラックス法によるＧａＮ結晶育成中、混合融液中のＧａＮ結晶表面から気液界面までの距離を１０ｍｍ以下に保持し、坩堝と種結晶とを下記回転モードでそれぞれ独立に回転させた。 - 特許庁

The natural convection S overcomes a forced convection formed near the solid-liquid interface by a relative rotation of the GaAs single crystal 3 and the crucible 7 and becomes the dominant convection in the GaAs melt 6, which enables the solid-liquid interface to be convexly curved toward the GaAs melt 6.例文帳に追加

これにより、ＧａＡｓ単結晶３とルツボ７との相対回転に起因する固液界面付近の強制対流に打ち勝って、ＧａＡｓ融液６内の対流は自然対流Ｓが支配的となり、固液界面形状をＧａＡｓ融液６側に凸面に制御可能となる。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a compound semiconductor single crystal, by which the solid-liquid interface can be controlled in such a manner that the solid-liquid interface becomes a shape perpendicular to the crystal growth axis direction or a shape protruded toward the raw material melt side during crystal growth.例文帳に追加

固液界面が結晶成長全般に亘り、結晶成長軸方向に垂直の形状、または原料融液側に凸形状となるような固液界面制御を可能とする化合物半導体単結晶の製造方法を提供する。 - 特許庁

To improve the yield of production of an entire-area single crystal by preventing the surface of a melt at the solid-liquid interface from becoming concave by specifying the relationship between the length of the non-heat-generating region of a heater and the liquid phase height of the raw material melt in a method for producing a compound semiconductor single crystal by the LEC method.例文帳に追加

ＬＥＣ法による化合物半導体単結晶の製造方法において、ヒータの非発熱領域長さと原料融液の液相高さとの関係を規定することにより、固液界面の融液面に対する凹面化を防ぎ、全域単結晶の生産歩留りを向上させる。 - 特許庁

The manufacturing apparatus for the single crystal is provided with a heater 120 for heating a solid-liquid interface that heats at least the solid-liquid interface 14 between raw material melt 11 and the single crystal 13 in a crystal growth furnace 100, a heater 130 for heating the crystal that heats the single crystal 13 after solidification and a cooling device 150 that cools the backside of the heater 130 for heating the crystal.例文帳に追加

結晶成長炉１００内に、少なくとも原料融液１１と単結晶１３の固液界面１４を加熱する固液界面加熱用ヒータ１２０と、固化後の単結晶１３を加熱する結晶加熱用ヒータ１３０と、結晶加熱用ヒータ１３０の裏側領域を冷却する冷却装置１５０とが配設されている単結晶の製造装置。 - 特許庁

To grow a single crystal having a low dislocation density in a good yield by preventing that the solid-liquid interface becomes a shape recessed to the melt side when the single crystal is grown by a vertical Bridgman method.例文帳に追加

垂直ブリッジマン法を用いるに当たり、固液界面の形状が融液側に凹面になってしまうのを抑制することにより、転位密度の低い単結晶を歩留まり良く育成する。 - 特許庁

To provide a method for producing a compound single crystal through an LEC (liquid encapsulated Czochralski) method, whereby a solid-liquid interface can be controlled to be convexly curved toward a melt, even when growing a large-diameter single crystal.例文帳に追加

大口径の単結晶を育成する際にも、固液界面形状を融液側に凸面に制御可能としたＬＥＣ法による化合物単結晶の製造方法を提供する。 - 特許庁

A deposition preventing means 6 to prevent impurity crystals 2 generated by natural nucleus production from depositing on the seed crystal 3 is provided between a gas-liquid interface 5A of the growth source melt 5 containing the flux and the seed crystal 3.例文帳に追加

フラックスを含む育成原料融液５の気液界面５Ａと種結晶３との間に、自然核発生により生じた雑晶２の種結晶３への付着を防止する付着防止手段６を設ける。 - 特許庁

A hollow core in the insulation material directly beneath the seed well provides cooling in the center of the growing crystal, which enables uniform, level growth of the crystal ingot and obtains a flat crystal-melt interface, which results in crystal wafers with uniform electrical properties.例文帳に追加

シード・ウェルの直下に位置する断熱材中の中空コアによって成長している結晶の中心部が冷却され得、結晶インゴットの均一・水平な成長と、平坦な結晶−溶融帯の界面が得られ、従って、均一な電気的特性を備えたウェーハを得る事が出来る。 - 特許庁

When a silicon single crystal is pulled from a silicon melt, a defect-free crystal is produced stably with good reproducibility by controlling the relation between the form of solid-liquid interface being the boundary of the silicon melt and the silicon single crystal and the temperature distribution at the side face or the single crystal being pulled to be optimum.例文帳に追加

シリコン融液からシリコン単結晶を引き上げるにあたって、シリコン融液とシリコン単結晶の境界である固液界面の形状と、引き上げ中の単結晶の側面における温度分布と、の関係を適切に調整することによって、無欠陥結晶を安定かつ再現性よく製造することを可能にする。 - 特許庁

The method for pulling up the silicon single crystal is that a solid-liquid interface 26 between the silicon melt 12 and the ingot 25 is controlled to be upward convex by convection in the silicon melt 12 which is caused by the flowing velocity of the inert gas at an inside space between the cylindrical body 48 and the ingot 25.例文帳に追加

引上げ方法は、筒体４８とインゴット２５の間の内空間における不活性ガスの流速によりシリコン融液１２に対流を起こさせてシリコン融液１２とインゴット２５との固液界面２６が上凸状になるように調整する。 - 特許庁

To prevent that the solid-liquid interface becomes a recessed face to the surface of a melt and polycrystallization caused by the volatilization of As from a crystal surface when the crystal diameter is changed in a method for manufacturing a compound semiconductor single crystal by an LEC method.例文帳に追加

ＬＥＣ法による化合物半導体単結晶の製造方法において、結晶直径を変更した場合の、固液界面の融液面に対する凹面化を防ぎ、且つ結晶表面からのＡｓが揮発することによる多結晶化を防ぐ。 - 特許庁

To provide an apparatus for growing a compound semiconductor single crystal, in which the solid-liquid interface can be prevented from being concaved by accelerating the dissipation of heat transferred to the compound semiconductor single crystal from a melt of the compound semiconductor; and to provide a method for manufacturing the compound semiconductor single crystal.例文帳に追加

化合物半導体融液から化合物半導体単結晶に伝達された熱の放熱を促進することにより固液界面の凹化を抑止することができる化合物半導体単結晶成長装置及び化合物半導体単結晶の製造方法を提供する。 - 特許庁

Further, the pulling rate of the silicon single crystal 11 is controlled, whereby the thermal stress at a central part of the silicon single crystal 11 located on the solid-liquid interface 33 between the silicon single crystal 11 and the silicon melt 15 is controlled to be ≤50 MPa.例文帳に追加

またシリコン単結晶１１の引上げ速度を制御することにより、シリコン単結晶１１とシリコン融液１５との固液界面３３上であってシリコン単結晶１１の中心部での熱応力を５０ＭＰａ以下とする。 - 特許庁

In the method for growing the group III nitride crystal, comprising growing the group III nitride crystal from a mixed melt containing a flux and at least a group III metal and nitrogen by reacting the group III metal and nitrogen, at least one melt of the group III metal and the flux is filled in the interface for growing the group III nitride crystal.例文帳に追加

フラックスと少なくともIII族金属を含む混合融液と窒素とから、前記III族金属と前記窒素とを反応させて構成されるIII族窒化物を結晶成長させるIII族窒化物結晶成長方法において、前記III族窒化物を結晶成長させる界面に、III族金属またはフラックスの少なくとも１方の融液を充填する。 - 特許庁

Stable growth of the crystal is realized by suppressing compositional supercooling by providing a mechanism capable of stirring a melt in a crucible with ultrasonic waves and diffusing the impurities segregated in the vicinity of the interface.例文帳に追加

坩堝内の融液を超音波により攪拌することができる機構を設け、偏析による界面付近の不純物を拡散することにより、組成的過冷却を抑え、以って安定した結晶成長を行うことができることとした。 - 特許庁

A target melt-solid interface shape corresponding to a substantially flat V/I curve is identified for each of a plurality of axial direction positions along the longitudinal direction of the crystal.例文帳に追加

結晶の長手方向に沿った複数の軸方向位置のそれぞれについて、実質的にフラットなV/I曲線に対応する目標メルト−固体界面形状を特定する。 - 特許庁

When the crucible 1 and the crucible shaft 9 move in the vertical direction, the position of a growing interface varies which is the boundary face between the melt 13 of a raw material and the crystal 15 of the raw material.例文帳に追加

坩堝１、及び坩堝軸９の垂直方向への移動によって、原料の融液１３と、原料の結晶１５との境界面である成長界面の位置が可変する。 - 特許庁

To make it possible to reduce the defect by the contact of a solid-liquid interface with the basilar part of a crucible by that the radiant heat from a raw material melt is intercepted by a heat insulating material and the convex degree of a convex shape of a solid-liquid interface is balanced in the manufacturing method of a compound semiconductor single crystal by a LEC method.例文帳に追加

ＬＥＣ法による化合物半導体単結晶の製造方法において、原料融液からの輻射熱を断熱材で遮断することで、固液界面の凸面形状の凸度のバランスをとり、固液界面とルツボ底部との接触による不良を低減することを可能にする。 - 特許庁

To markedly improve the yields of a GaAs single crystal by highly reproducibly controlling a solid-liquid interface profile so as for the interface to be convex toward the melt side throughout the entire growth process, especially, during the period till the pass of a seeding part through a liquid encapsulant.例文帳に追加

成長過程全般、特に種付け部が液体封止剤中を通過するまでの固液界面形状を再現性良く融液側に凸形状に制御することで、ＧａＡｓ単結晶の収率を大幅に向上させることができるようにする。 - 特許庁

To highly reproducibly control the solid/liquid interface temperature gradient in the crystal growth direction throughout the entire growth process so as for the interface profile to be convex toward the melt side to thereby markedly improve the yields of a compound semiconductor single crystal in the growth of the compound semiconductor crystal by the LEC method.例文帳に追加

ＬＥＣ法での化合物半導体単結晶の成長において、固液界面の結晶成長方向の温度勾配を適正値に規定することにより、成長過程全般での固液界面形状を、再現性良く融液側に凸形状に制御し、これにより化合物半導体単結晶の収率を大幅に向上させる。 - 特許庁

After the temperature gradient G in the axis direction in the vicinity of the solid-liquid interface 24 in a single crystal ingot 15 to be pulled from a melt 12 melted by a heater 18 in a chamber 11 is estimated by using a computer utilizing a comprehensive heat transfer analyzing program and a melt convection analyzing program, the pulling speed of the single crystal ingot is determined by simulation.例文帳に追加

チャンバ１１内のヒータ１８により融解された融液１２から引上げられる単結晶インゴット１５内の固液界面２４近傍の軸方向温度勾配Ｇを、総合伝熱解析プログラム及び融液対流解析プログラムを用いてコンピュータにより予測した後に、単結晶インゴットの引上げ速度をシミュレーションにより決定する。 - 特許庁

Since the flow is efficiently convected in straightening like this, after nitrogen is dissolved in the melt liquid near the gas/liquid interface, the melt liquid can be rapidly supplied in the whole growing vessel, and a step-flow growth occurs on the growing surface of the seed crystal substrate and a flat and smooth nitride single crystal of good quality is formed.例文帳に追加

このように、整流でかつ効率よく対流させることができるため、気液界面付近で窒素を融液に溶解させた後に、その融液を育成容器の全体にすみやかに供給することができ、種結晶基板の育成面にステップフロー成長がおこり、品質の良い平滑な窒化物単結晶が形成される。 - 特許庁

To drastically improve the yield of a compound semiconductor single crystal by controlling the shape of the solid-liquid interface to be a convex form projected to the melt side in the whole growth process with a good reproducibility in a production method of the compound semiconductor single crystal by an LEC method.例文帳に追加

ＬＥＣ法による化合物半導体単結晶の製造方法において、成長過程全ての固液界面形状を再現性良く融液側に凸形状に制御することで、化合物半導体単結晶の収率を大幅に向上させることを可能にする。 - 特許庁

To provide an apparatus for growing a compound semiconductor single crystal by an LEC method, which prevents the solid-liquid interface from becoming a surface recessed toward a melt and improves the production yield of the whole area single crystal by specifying the relation between the internal circumference and the total length of each slit width of a cylindrical heater.例文帳に追加

円筒形ヒータの内周とスリット幅合計長さの関係を規定することにより、固液界面の融液面に対する凹面化を防ぎ、全域単結晶の生産歩留りを向上し得るＬＥＣ法による化合物半導体単結晶成長装置を提供すること。 - 特許庁

To provide a control method of the position of an axial direction on a phase interface where a melt crystallizes, in a method for producing a single crystal of a semiconductor material by melting granules of a semiconductor material on a dish having a run-off tube made of the semiconductor material and growing a single crystal downward.例文帳に追加

半導体材料の顆粒物を半導体材料からなる流出管を備えた皿上で溶融させ、単結晶を下方に成長させる単結晶の製造方法において、融液が結晶化する相界面の軸方向位置の制御方法を提供する。 - 特許庁

To drastically improve the yield of a compound semiconductor single crystal by controlling the shape of the solid-liquid interface to be a convex shape projected toward the melt side with a good reproducibility over the whole growing process in a method for manufacturing the compound semiconductor single crystal by an LEC method.例文帳に追加

ＬＥＣ法による化合物半導体単結晶の製造方法において、成長過程全ての固液界面形状を再現性良く融液側に凸形状に制御することで、化合物半導体単結晶の収率を大幅に向上させることを可能にする。 - 特許庁

The silicon single crystal ingot having a desired oxygen concentration and suppressed in defects is produced by independently controlling the temperature distribution and the oxygen concentration distribution of a silicon melt by applying an unbalanced magnetic field to the silicon melt so that the magnetic field intensity of an oxygen gushing region is different from that of a solid-liquid interface region.例文帳に追加

シリコン融液に不均衡磁場(Unbalanced Magnetic)を印加することにより、酸素湧出部位と固液界面部位の磁場の強さを互いに異なるように制御し、シリコン融液の温度分布とシリコン融液の酸素濃度分布を独立的に制御することによって、希望する酸素濃度で、かつ欠陥の抑制されたれたシリコン単結晶インゴットを製造する。 - 特許庁

A control system is responsive to the stored profile to generate one or more control signals to control one or more output devices such that the melt-solid interface shape follows the target shapes as defined by the profile during crystal growth.例文帳に追加

制御システムは、記録したプロファイルに対応して制御信号を発生させ、結晶成長の間、前記プロファイルによって規定されるようにメルト−固体界面形状を目標形状に従わせて出力デバイスを制御する。 - 特許庁

The central part of the growing crystal is cooled by a hollow core 2030 in the insulating material 2060 located directly under the seed well 4030, and a uniform and horizontal growth of a crystal ingot and the interface of a flat crystal-melt zone are obtained, therefore, a wafer provided with a uniform electrical characteristic is obtained.例文帳に追加

シード・ウェル４０３０の直下に位置する断熱材２０６０中の中空コア２０３０によって成長している結晶の中心部が冷却され得、結晶インゴットの均一・水平な成長と、平坦な結晶−溶融帯の界面が得られ、従って、均一な電気的特性を備えたウェーハを得る事が出来る。 - 特許庁

The method for producing a semiconductor single crystal using a Czochralski (Cz) method for growing a semiconductor single crystal through a solid-liquid interface by dipping a seed into a semiconductor melt housed in a quartz crucible, and pulling the seed while rotating the quartz crucible and applying a strong horizontal magnetic field, wherein the seed is pulled while the quartz crucible is rotated with a rate of from 0.6 to 1.5 rpm.例文帳に追加

石英るつぼに収容された半導体メルト（ｍｅｌｔ）にシード（ｓｅｅｄ）を浸した後、前記石英るつぼを回転させるとともに水平強磁場を印加しながら引き上げ、固液界面を通じて半導体単結晶を成長させるチョクラルスキー（Ｃｚ）法を用いた半導体単結晶の製造方法であって、前記石英るつぼを０.６〜１.５ｒｐｍの速度で回転させながら引き上げる。 - 特許庁