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diamond junctionとは 意味・読み方・使い方
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「diamond junction」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 11件
STRUCTURE FOR PROTECTING JUNCTION BETWEEN DIAMOND SURFACE AND METAL PIECE例文帳に追加
ダイヤモンド表面と金属片との接合保護構造 - 特許庁
DIAMOND P-N JUNCTION DIODE AND ITS MANUFACTURE例文帳に追加
ダイヤモンドｐｎ接合ダイオードおよびその作製方法 - 特許庁
The structure for protecting junction between the diamond surface and the metal piece protects the junction between the diamond surface and the metal piece by providing an Ru coating for covering the entire metal piece and having an area larger than the area of the metal piece, on a non-junction surface between the metal piece and the diamond surface.例文帳に追加
ダイヤモンド表面と金属片との接合を、金属片とダイヤモンド表面の非結合面に、当該金属片を覆いつくす当該金属片より面積の大きいRu被膜を設けることにより保護したダイヤモンド表面と金属片との接合保護構造。 - 特許庁
The diamond electrode structure achieves electrical junction by providing a diamond on which an electrode made of ruthenium (Ru) or ruthenium oxide (RuO_2) is provided.例文帳に追加
ダイヤモンド表面にルテニウム（Ru）もしくは酸化ルテニウム（RuO_2）からなる電極を設けることにより、電気的接合を行うことを特徴とするダイヤモンド電極構造。 - 特許庁
To provide a diamond electrode structure which exhibits functions, while maintaining the quality of a junction between a metal and diamond even at high temperatures, or even in a strong reactive chemical substance.例文帳に追加
高温あるいは強反応性化学物質中においても金属、ダイヤモンド接合の品質を保持したまま、機能を発揮するダイヤモンド電極構造を提供する。 - 特許庁
To provide a diamond semiconductor element capable of increasing output with a rectification property kept in a pn-junction.例文帳に追加
ｐｎ接合において整流性を保った状態で高出力化が図れるダイヤモンド半導体素子を提供すること。 - 特許庁
To realize a p-n junction by using ion implantation so as to use a diamond semiconductor as an electronic device.例文帳に追加
イオン注入法を用いてｐｎ接合を実現し、ダイヤモンド半導体を電子デバイスとして活用できるようにする。 - 特許庁
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「diamond junction」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 11件
An N-type diamond semiconductor crystal layer 4, doped with sulfur which serves as donor atoms, is formed through a CVD method on a P-type diamond semiconductor crystal 2 which is formed of high-pressure synthetic diamond doped with boron or natural IIb diamond to form a P-N junction 6.例文帳に追加
ホウ素ドープした高圧合成ダイヤモンド又は天然のＩＩｂ型ダイヤモンドから形成されたｐ型ダイヤモンド半導体結晶２上に、例えばプラズマＣＶＤ法によってドナー原子となるイオウをドープしたｎ型ダイヤモンド半導体結晶層４を成長させてｐｎ接合６を形成したものである。 - 特許庁
To provide a capacitive element, having little variations in capacitive value, capable of improving junction strength of the capacitive element and preventing short circuiting between the capacitive element and adjacent components, short circuit between a first electrode and a second electrode, and occurrence of metal flash at an end of the second electrode, when the capacitive element is cut from a mother board with a diamond blade.例文帳に追加
容量素子の接合強度を向上させるとともに隣接する他の部品と短絡および第一の電極と第二の電極との短絡を防ぎ、また母基板から容量素子をダイヤモンドブレードによって切断する際に第二の電極端部に金属バリが発生しにくくなり、さらに容量値のバラツキが小さいものとすることにある。 - 特許庁
To provide a capacitive element having improved junction strength and having small variation of capacitive value, capable of preventing short circuit between the capacitive device and adjacent components, short circuit between a first electrode and a second electrode, and the occurrence of metal flash at an end of the second electrode section, when the capacitive element is cut from a mother board with a diamond blade.例文帳に追加
容量素子の接合強度を向上させるとともに、隣接する他の部品と短絡したり第一の電極と第二の電極とが短絡するのを防ぎ、また母基板から容量素子をダイヤモンドブレードによって切断する際に第二の電極端部に金属バリが発生しにくくなり、さらに容量値のバラツキが小さいものとすること。 - 特許庁
The micro electronic device is formed of a first film covering a substrate, a first polishing-resistant layer covering the first film, a second film covering the first polishing-resistant layer, and a junction which is generally vertical between the first and second films and where the first and second polishing-resistant layers contain diamond-like carbons.例文帳に追加
基板を覆う第１の膜と、第１の膜を覆う第１の研磨耐性層と、第１の研磨耐性層を覆う第２の膜と、第２の膜を覆う第２の研磨耐性層と、第１および第２の膜の間の一般的には垂直な接合部であって、第１および第２の研磨耐性層はダイヤモンド・ライク・カーボンを含む接合部とを具備するマイクロ電子デバイスのための形成方法および構造。 - 特許庁
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