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flash comparisonとは 意味・読み方・使い方
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ウィキペディア英語版での「flash comparison」の意味 |
Flash comparison
出典:『Wikipedia』 (2011/02/24 22:34 UTC 版)
「flash comparison」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 20件
To improve the voltage comparison accuracy and voltage comparison speed of a voltage comparator used in a flash type A/D converter.例文帳に追加
フラッシュ型A/D変換器などに用いられる電圧比較装置の電圧比較精度および電圧比較速度の向上を図る。 - 特許庁
If there is not abnormality in data comparison between them, a CPU 4c determines that the flash memory is normal.例文帳に追加
これらのデータ比較に異常がなければ、CPU4cはフラッシュメモリ2が正常と判断する。 - 特許庁
Correction data is computed from the comparison of the resistance R_i with an average resistance value R_m and stored in a flash memory.例文帳に追加
抵抗値R_i と平均抵抗値R_m との比較から補正データを算出し、フラッシュメモリ46に記憶する。 - 特許庁
To provide high-speed writing in a semiconductor disk device using a flash memory with low-speed writing in comparison with reading.例文帳に追加
読み出しに比較して書き込みが低速なフラッシュメモリを用いた半導体ディスク装置において、高速な書き込みを提供する。 - 特許庁
When a comparison circuit 14 determines that the calculated luminous energy of the flash discharge tube has attained a predetermined value, the current flowing in the flash discharge tube is shut off via a transistor circuit 9.例文帳に追加
この算出された閃光放電管の発光エネルギーが比較回路14で所定値になったと判断されたとき、閃光放電管を流れる電流がトランジスタ回路9を介して遮断される。 - 特許庁
To provide high-speed write concerning a semiconductor disk device using a flash memory with which the speed of write is low in comparison with that of read.例文帳に追加
読み出しに比較して書き込みが低速なフラッシュメモリを用いた半導体ディスク装置において、高速な書き込みを提供する。 - 特許庁
This flash memory rewrite device has: a data comparator 102 reading and comparing data written in a flash memory 101 and rewrite data stored in a RAM 104 in byte units; and a rewrite circuit 105 controlling erasure and the rewrite of the flash memory 101 by a comparison result.例文帳に追加
フラッシュメモリ101に書き込まれているデータとRAM104上に格納された書換えデータをバイト単位で読み出して比較するデータ比較器102と、比較結果によりフラッシュメモリ101の消去、書換えを制御する書換え回路105とを備える。 - 特許庁
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「flash comparison」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 20件
To solve a problem of great reduction in number of meters connectable to a single power source due to increase in current consumption during deletion in a flash ROM in comparison with a meter having no built-in flash ROM.例文帳に追加
フラッシュROMの消去時は消費電流が増大するので、1台の電源に接続できる計器の数がフラッシュROMを内蔵しない計器に比べて大幅に少なくなるという課題を解決する。 - 特許庁
To provide a programming operation method for a flash memory device, capable of reducing the size of a flash memory device by using a data verification circuit to perform a programming operation of a multi-level cell without a data comparison circuit.例文帳に追加
データ検証回路を用いて、データ比較回路を備えなくてもマルチレベルセルのプログラム動作を実行することにより、フラッシュメモリ装置の大きさを減らすことが可能なフラッシュメモリ装置のプログラム動作方法を提供する。 - 特許庁
The data comparator 102 compares the data written in the flash memory 101 and the rewrite data stored in the RAM 104, and does not rewrite the flash memory 101 when the comparison result shows matching.例文帳に追加
データ比較器102ではフラッシュメモリ101に書き込まれているデータとRAM104上に格納している書換えデータを比較し、比較結果が一致した場合はフラッシュメモリ101の書換えは行わない。 - 特許庁
Flash memory devices include at least one flash memory array and an address comparison circuit that is configured to indicate whether an applied row address associated with a first operation (that is. program, erase) is within or outside the unlock area of at least the one flash memory array.例文帳に追加
フラッシュメモリ装置は、一つ以上のフラッシュメモリアレイ及び第1動作(すなわち、プログラム、消去)と関連付けて供給される供給アドレスが一つ以上のフラッシュメモリアレイの解除領域の内部にあるか外部にあるかを指示するように構成されたアドレス比較回路を含む。 - 特許庁
A comparison of V_IN with reference voltages in one or more flash-type analog/digital (A/D) converters generates the digital output representing V_IN.例文帳に追加
一つ或いは複数のフラッシュタイプアナログ・デジタル(A/D)変換器内で、V_INと参照電圧とを比較することで、V_INを表すデジタル出力が生成される。 - 特許庁
In a semiconductor circuit(MCP) having the flash memory chip 6 and CPU chip 4 mounted on one package, a signature code read out of the flash memory chip 6 and a security resetting data inputted from an outside are compared by a comparison register 4f.例文帳に追加
フラッシュメモリチップ6とCPUチップ4とを1つのパッケージに実装した半導体集積回路(MCP)において、フラッシュメモリチップ6から読み出したシグネチャコードと、外部から入力されたセキュリティ解除用データとがコンペアレジスタ4fにより比較される。 - 特許庁
When the data of the flash memory are in an erasure state even when the comparison result does not show the matching, the rewrite circuit 105 only rewrites the rewriting data in the RAM 104 without performing erasure processing.例文帳に追加
また、書換え回路105は、比較結果が一致しない場合でも、フラッシュメモリのデータが消去状態のとき、消去処理を行わずRAM104上の書換えデータの書換えのみ行う。 - 特許庁
In this processing, two images are chosen from among the plurality of images obtained by the successive photographing to make a comparison therebetween and it is determined whether the flash 21a exists or not by using the size of a portion different in clearness from the others when superposing the two images on each other.例文帳に追加
この処理は、連続的に撮影した複数の画像の中から、二つの画像を選択して比較し、この二つの画像を重ねたときの明るさが異なる部分の大きさを用いてバリ21aの有無を判定する。 - 特許庁
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