g Siとは 意味・読み方・使い方

The photoelectric conversion layer 32 of the bottom cell 3 has an Si density (2.267 g/cm^3) smaller than the Si density (2.315 g/cm^3) of the photoelectric conversion layer 42 of the front cell 4.例文帳に追加

そして、ボトムセル３の光電変換層３２のＳｉ密度（２．２６７ｇ／ｃｍ^３）は、フロントセル４の光電変換層４２のＳｉ密度（２．３１５ｇ／ｃｍ^３）よりも小さい。 - 特許庁

The metal ion selectively-adsorbing material comprises an inorganic/organic hybrid material having a molar ratio of SH group to Si being 0.05 or more to 1.0 or less and the BET specific surface area being 0.2 m2/g or more.例文帳に追加

Siに対するSH基のモル比が0.05以上1.0以下であり、シロキサン結合を含み、BET比表面積が0.2m^2/g以上の無機・有機ハイブリッド材料を含む金属イオン選択吸着材料である。 - 特許庁

Each pixel (size: 2.25 μm square) is constituted of a distribution refractive index lens 1, a color filter 2 for G, Al wiring 3, a signal transmitter 4, a flattened layer 5, a light-receiving element (Si photodiode) 6, and an Si substrate 7.例文帳に追加

各画素（サイズ□２．２５μm）は、分布屈折率レンズ１、G用カラーフィルタ２、Ａl配線３、信号伝送部４、平坦化層５、受光素子（Ｓiフォトダイオード）６、Ｓi基板７から構成されている。 - 特許庁

The Mg-based ferrite material includes Li, Na, K, Pb, Rb, Cs, Ca, Sr, Ba, Y, La, Ti, Zr, Hf, V, Nb, Ta, Al, Ga, Si, Ge, P, Sb, Bi, or their combinations, wherein the saturation magnetization is 30 to 80 emu/g and the dielectric breakdown voltage is 1.5 to 5.0 kV.例文帳に追加

本発明のMg系フェライト材料は、Li, Na, K, Rb, Cs, Ca, Sr, Ba, Y, La, Ti, Zr, Hf, V, Nb, Ta, Al, Ga, Si, Ge, P, Sb, Bi, またはそれらの組み合わせを含み、飽和磁化が30〜80emu/gであり、絶縁破壊電圧が1.5〜5.0 kVである。 - 特許庁

A variable amplifying part 2 amplifies a reproduced input signal SI in accordance with given gain G and outputs it.例文帳に追加

可変増幅部２は再生された入力信号ＳＩを、与えられたゲインＧに応じて増幅し、出力する。 - 特許庁

The organosilicon compound is represented by general formula (I): Q-[S-G-Si(-OCX^1X^2-CX^1X^3-)_3N].例文帳に追加

一般式（Ｉ）Ｑ−［Ｓ−Ｇ−Ｓｉ（−ＯＣＸ^1Ｘ^2−ＣＸ^1Ｘ^3−）_3Ｎ］ （Ｉ）で示される有機珪素化合物。 - 特許庁

An interface 76 is formed after a high-quality a-Si layer 78 is deposited at a low rate of deposition on the g-SiN_x film 74, and then an average quality a-Si layer 80 is deposited, which completes the arrangement of the a-Si layers.例文帳に追加

低い堆積速度で高品質のａ−Ｓｉ層７８をｇ−ＳｉＮ_X層７４の上に堆積して界面７６を形成し、次に、高い堆積速度で平均的な品質のａ−Ｓｉ層８０を堆積してａ−Ｓｉ層を完成させる。 - 特許庁

At this point, an a-Si layer of high quality is deposited on a g-SiNx layer at a low deposition rate to form an interface 56, and an a-Si layer of average quality is deposited thereon at a high deposition rate to have the formation of an a-Si layer 58 completed.例文帳に追加

その際は先ず低堆積速度で高品質のａ−Ｓｉ層をｇ−ＳｉＮ_X層上に堆積して界面５６を形成後、高堆積速度で平均的品質のａ−Ｓｉ層を堆積してａ−Ｓｉ層５８を完成させる。 - 特許庁