grain boundary effectとは 意味・読み方・使い方

NO-GRAIN-BOUNDARY MAGNETORESISTANCE-EFFECT MATERIAL AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME例文帳に追加

無粒界型磁気抵抗効果素材及びその製造方法 - 特許庁

Further, in the semiconductor device, the barrier film and the seed film are specified, and a proportion (frequency) of a corresponding (CSL) grain boundary in which the grain boundary Σ value is 3 in the whole crystal grain boundary of the Cu wiring is set at ≥40%, thereby an effect similar to surface defect reduction can be acquired.例文帳に追加

または、該半導体装置において、バリア膜及びシード膜を特定すると共に、Ｃｕ配線の全ての結晶粒界に占める、粒界Σ値３の対応（ＣＳＬ）粒界の割合（頻度）を４０％以上とすることにより、表面欠陥低減の同様の効果を得ることができる。 - 特許庁

This effect can substantially elongate a leakage path via the grain boundary of the upper and lower electrodes and thus realizes thin-film capacitor which has low leakage.例文帳に追加

この効果によって上下電極の粒界を経由したリークパスを実質的に長くすることが可能となり、低リークの薄膜キャパシタを実現できる。 - 特許庁

To provide a no-grain-boundary magnetoresistance-effect material and a method of manufacturing the same, capable of forming an element and a thin film, without increasing the electrical resistance.例文帳に追加

電気抵抗を増大させることなく、素子化・薄膜化することができる無粒界型磁気抵抗効果素材及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a thin-film transistor, wherein the variation of its characteristic is suppressed by reducing relatively the effect of its crystal grain boundary to enable its circuit to operation at a high speed possible.例文帳に追加

結晶粒界の影響を相対的に小さくすることで特性のバラツキを抑え、高速での回路動作が可能な薄膜トランジスタを提供する。 - 特許庁

Especially, in general-purpose sintering process performing the baking at a temperature of 700°C over in unoxidative atmosphere such as inert gas, fine structure will be progressed and extremely large Seebeck effect can be obtained by grain boundary effect.例文帳に追加

特に汎用的な焼結プロセスでは、焼成を７００°Ｃ以上の温度で、不活性ガスのような非酸化性雰囲気中で行なうと、緻密化が進み粒界効果によってきわめて大きなゼーベック係数が得られる。 - 特許庁

Although electrons cannot smoothly pass as a grain boundary and crystal defect exists in the channel region of the poly-crystal silicon film 3, by providing the single crystal region 102, the electrons mainly pass the single crystal region 102 and raise a field effect mobility.例文帳に追加

多結晶シリコン膜３のチャネル領域には結晶粒界や結晶欠陥があるため電子はスムーズに通過できないが、単結晶領域１０２を設けることで、電子は主に単結晶領域１０２を通過するようになるため、電界効果移動度を高くすることができる。 - 特許庁