grain boundary faceとは 意味・読み方・使い方

The toner particles carrying roller for carrying toner particles is provided with a flat bottom and a side face adjacent to the bottom and has a recessed part having roundness of which the radius of curvature is a half and more of a volume average grain size of a toner particle is formed on the surface of a boundary part between the bottom and the side face.例文帳に追加

トナー粒子を担持するためのトナー粒子担持ローラであって、平坦な底面と該底面に隣接する側面を備え、該底面と該側面との境界部に、その曲率半径がトナー粒子の体積平均粒径の半分以上である丸み、が設けられている凹部、を表面に有することを特徴とする。 - 特許庁

The structure is constituted so that crystals of ≥2 kinds of the brittle materials such as ceramics or metalloids are dispersed, a part composed of the brittle material is polycrystalline, the crystal constituting the polycrystalline part has not crystal orientation and a grain boundary layer composed of a vitreous material does not exist practically in the boundary face among the crystals.例文帳に追加

構造物は、２種以上のセラミックスや半金属などの脆性材料の結晶が分散し、前記脆性材料からなる部分は多結晶であり、この多結晶の部分を構成する結晶は実質的に結晶配向性がなく、また前記結晶同士の界面にはガラス質からなる粒界層が実質的に存在しない構成となっている。 - 特許庁

The ZrB_2 or TiB_2 single crystal containing 0.05-3 wt.% at least either MoB_2 or WB_2 is freed from a subordinate grain boundary, so that it can be used as a substrate having the principal face for growing a semiconductor layer.例文帳に追加

ＺｒＢ_２又はＴｉＢ_２の単結晶には、０．０５〜３重量％以下のＭｏＢ_２若しくはＷＢ_２の少なくとも一つを含有し、単結晶には、亜粒界を含まないので、半導体層を成長形成するための主面を有する基板とすることができる。 - 特許庁

To provide a material to be used for a highly precise optical system using UV light and vacuum UV light without degrading working precision or productivity even when the material is a fluoride single crystal having a sub-grain boundary in a {111} crystal face perpendicular to the optical axis direction.例文帳に追加

光軸方向と直交する｛１１１｝結晶面にサブグレインバウンダリーが存在するフッ化物単結晶であっても、加工精度や生産性を悪化させることなく、紫外光および真空紫外光を用いた高精度な光学系に使用できるものを提供する。 - 特許庁

When the surface of crystalline semiconductor film is removed by etching, a crystalline semiconductor film having a side face covered with the sidewall of the recess and not containing a crystal grain boundary other than a twin is formed in the recess region.例文帳に追加

この結晶性半導体膜の表面をエッチング除去することで、凹部領域には、側面が凹部側壁によって覆われ、双晶以外の結晶粒界を含まない結晶性半導体膜が形成され、これをチャネル領域とする半導体素子およびＴＦＴを作製することが可能となる。 - 特許庁

The hydrogen ion conductor is formed on the base board and partially contains an sp2 bonding crystal and a functional group having high affinity to hydrogen ion is introduced in the grain boundary part and the inside part of the sp2 bonding crystal and an angle between the base board face and the sp2 bond face is 60-120°.例文帳に追加

基材上に形成された、ｓｐ２結合性結晶を少なくとも一部含む水素イオン伝導体であって、該ｓｐ２結合性結晶の粒界部および内部に水素イオンと親和性の高い官能基が導入されており、基材面とｓｐ２結合面とがなす角度は６０°〜１２０°であることを特徴とする水素イオン伝導体を提供すること。 - 特許庁

In the composite ceramic material, the fine particles of a metal silicide or a metal oxide which is different in element species from the essential component of the ceramic material are dispersed at least in the boundary face of the crystal particles or a grain boundary phase of the ceramic or the metal, and the concentration of the dispersed particles gradually decreases throughout the inside from the surface of the dispersed phase to form a gradient.例文帳に追加

セラミックスあるいは金属の、少なくとも結晶粒子の界面または粒界相内に、主成分を構成する元素種とは異なる、金属ケイ化物、酸化物の微粒子が分散しており、その分散相の表面から内部にわたって分散粒子の濃度が傾斜状に次第に薄くなっていることを特徴とする、複合セラミックス材料。 - 特許庁

An intermediate layer 2 is provided between the hard carbon layer 3 on a surface and a backing layer base material 1, and a dispersion of inclinations of grain boundary in columnar domain structure exhibited by the intermediate layer 2 is brought within a specified range, that is, a standard deviation of inclination angles of a domain wall face 2a falls within 12°, in the sliding member.例文帳に追加

表面の硬質炭素層３と下地基材１の間に中間層２を設け、その中間層２が呈する柱状のドメイン構造における粒界の傾きのばらつきが特定範囲内、すなわちドメイン壁面２ａの傾き角度の標準偏差が１２°以内に収まるようにする。 - 特許庁