inductive biasとは 意味・読み方・使い方

A flux guide layer 22 is laminated on the bias magnetic field inductive layer 21, and magnetically couple to the free layer 12, one end thereof constituting a flux probing part 221.例文帳に追加

フラックスガイド層２２はバイアス磁界誘導層２１と積層されるとともに、フリー層１２に磁気的に結合され、一端がフラックスプローブ部２２１を構成する。 - 特許庁

The starting element for the magneto-resistance effect device is further provided with a dummy element 20D, a dummy bias magnetic field inductive layer 8D and a front flux probing layer 10D.例文帳に追加

磁気抵抗効果装置用素材は、更に、ダミー素子２０Ｄと、ダミーのバイアス磁界誘導層８Ｄおよびフロントフラックスプローブ層１０Ｄを有している。 - 特許庁

In an inductive-coupling plasma processing apparatus 1, the protecting plate 41 functions as an anode electrode to a bias electric field formed by a high-frequency power supplied to a susceptor 22 from a high-frequency power supply 29.例文帳に追加

また、誘導結合プラズマ処理装置１では、保護プレート４１が、高周波電源２９からサセプタ２２に対して供給される高周波電力によって形成されるバイアス電界に対するアノード電極として作用する。 - 特許庁

To provide a switching power supply circuit in which a switching element and an inductive load can be protected against deterioration and breakdown, by preventing generation of a power supply in-rush current, when control of power supply starting process is switched in a self-bias switching power supply.例文帳に追加

自己バイアス方式のスイッチング電源において、電源起動過程の制御切り換え時に電源突入電流の発生を防止して、スイッチング素子や誘導性負荷の劣化・破壊からの保護が可能なスイッチング電源回路の提供を行う。 - 特許庁

The feedback loop 4 comprises a capacitor 41 and a resistive element 44 in a RF path and an inductive element 42 in a DC feed path, wherein the resistive element comprises a feedback transistor 45 arranged as variable resistor within the feedback loop, and a bias control circuit 46.例文帳に追加

帰還ループ４は、ＲＦ経路にコンデンサ４１および抵抗性要素４４を、ＤＣ給電経路に誘導性要素４２を備え、前記抵抗性要素は、帰還ループ内に可変抵抗として構成された帰還トランジスタ４５およびバイアス制御回路４６を備える。 - 特許庁

Furthermore, a crystal vibrator 2 is connected to the input terminal of the amplifier 1, an inductive reactance circuit 3 in place of an extension coil L is inserted between the crystal vibrator 2 and ground and a varactor diode CD is connected to a terminal A via a bias resistor RD whose resistance is comparatively higher.例文帳に追加

さらに前記増幅器１の入力端に水晶振動子２を接続し、水晶振動子２とアース間に伸長コイルＬの替わりに誘導性リアクタンス回路３を挿入し、比較的大きなバイアス抵抗ＲＤを介し可変容量ダイオードＣＤを接続した構成をとる。 - 特許庁

An amplifier circuit 3 comprises: a buffer amplifier transistor Tr1; an oscillation transistor Tr2; bias resistors R1 to R4; capacitors C4 to C7; bypass capacitors C1, C3, a coupling capacitor C2; a choke coil SL1; a resonance capacitor C8; and a resonance inductor SL3 acting as an inductive element.例文帳に追加

増幅回路３は、緩衝増幅用トランジスタＴｒ１と、発振用トランジスタＴｒ２と、バイアス抵抗Ｒ１〜Ｒ４と、コンデンサＣ４〜Ｃ７と、バイパスコンデンサＣ１，Ｃ３と、結合コンデンサＣ２と、チョークコイルＳＬ１と、共振用コンデンサＣ８と、インダクタンス素子である共振用インダクタＳＬ３とで構成されている。 - 特許庁

To provide an inductive coupling plasma processing device capable of effecting uniform plasma processing by high-density plasma, without generating any deterioration of plasma density with respect to a large-size substrate due to capacitive coupling constituent, and without generating any unevenness in the plasma density due to the bias of an electric field distribution.例文帳に追加

大型基板に対して容量結合成分によるプラズマ密度の低下および電界分布の偏りによるプラズマ密度の不均一が生じずに、より高密度なプラズマで均一なプラズマ処理を行うことができる誘導結合プラズマ処理装置を提供すること。 - 特許庁