interstitial atomsとは 意味・読み方・使い方

By this method, a high-quality growth layer of a PbTe compound semiconductor can be obtained which generates no precipitation of interstitial atoms at low temperatures.例文帳に追加

低温で格子間原子の析出を生じない高品位のＰｂＴｅ系化合物半導体の成長層が得られる。 - 特許庁

Preferably, an average value of interstitial oxygen concentration of the silicon wafer is 5×10^17 atoms/cm^3 or less.例文帳に追加

また、好ましくは、さらに、シリコンウエハの格子間酸素濃度の平均値が、５×１０^１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以下である。 - 特許庁

Since the interstitial oxygen concentration of a silicon wafer 20 is set at 1.4×10^18 atoms/cm^3 or below or the OSF density of the silicon wafer 20 is set at 20,000/cm^2 or below after devices are provided, the silicon wafer 20 can be protected against warpage caused by the interstitial oxygen concentration or OSF density.例文帳に追加

シリコンウェーハ２０の格子間酸素濃度を１．４×１０^１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以下、または、デバイス形成後のシリコンウェーハ２０のＯＳＦ密度を２００００個／ｃｍ^２以下としたので、格子間酸素濃度、ＯＳＦ密度に起因するシリコンウェーハ２０の反りの発生を防止できる。 - 特許庁

The SOI wafer is composed of a carrier wafer and a monocrystalline silicon layer having a thickness of less than 500 nm, excess of interstitial silicon atoms prevailing in the entire volume of the silicon layer.例文帳に追加

支持基板と、５００ｎｍよりも薄い厚さを有する単結晶シリコン層とを有し、前記のシリコン層の全体積中で格子間ケイ素原子の過剰が優勢であるＳＯＩ基板 - 特許庁

The silicon carbide crystal ingot is fabricated by performing acid cleaning of raw material powder containing metal atoms each having a larger atomic radius than silicon in the crystal of silicon carbide powder as at least either of interstitial atoms and substituent atoms, and then by allowing the silicon carbide crystal ingot 5 to vapor-phase grow by using the raw material powder 6.例文帳に追加

前記炭化珪素結晶インゴットは、炭化珪素粉末の結晶中に珪素よりも原子半径の大きな金属原子を格子間原子および置換原子の少なくとも一方として含む原料粉末を酸洗浄した後、前記原料粉末６を用いて炭化珪素結晶インゴット５を気相成長させることにより製造する。 - 特許庁

After introducing nitrogen ions 4 into the surface of a p-type SiC substrate 1, the nitrogen atoms present in an impurity-doped layer 6 are made to diffuse toward the rear surface of the SiC substrate 1, by increasing the number of the interstitial silicon atoms of the SiC substrate 1 by its thermal oxidation, so as to form an n-type impurity diffusion layer 7.例文帳に追加

ｐ型ＳｉＣ基板１の表面に窒素イオン４を導入した後、熱酸化によってＳｉＣ基板１の格子間シリコン原子の数を増加させることにより、不純物ドーピング層６の窒素をＳｉＣ基板１の裏面に向かって拡散させて、ｎ型不純物拡散層７を形成する。 - 特許庁

To provide a silicon on insulator structure having a device layer which is substantially free of defects caused by vacancies of a crystal lattice or agglomeration of self-interstitial atoms in silicon and involves an axially symmetric region substantially having a width in a radial direction.例文帳に追加

結晶格子の空孔またはシリコンの自己格子間原子の凝集から生じる欠陥を実質に含まない、実質的な半径方向の幅の軸対称領域を含有するデバイス層を有するシリコン・オン・インシュレーター構造体の提供。 - 特許庁

A thermal treatment with rapid heating up and down is performed at ≥1,000°C for ≤10 seconds on a wafer obtained by cutting a silicon ingot having a straight drum portion free of a Grown-in defect and having an interstitial oxygen concentration [Oi] of ≥1.4×10^18 atoms/cm^3.例文帳に追加

Ｇｒｏｗｎ−ｉｎ欠陥のない直胴部を持ち、格子間酸素濃度［Ｏｉ］が１．４×１０^１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３ 以上のシリコンインゴットから切り出したウェーハに１０００℃以上で１０秒以下の急速昇降温熱処理を施す。 - 特許庁