ion beam evaporationとは 意味・読み方・使い方

Evaporated particles 20a from an electron beam evaporation source 20 and cluster ions 30a from a cluster ion generator 30 are made incident on the substrate W to be treated held to a holder 2; thus the deposition of a fluoride film by a cluster ion assist is performed.例文帳に追加

ホルダー２に保持された被処理基板Ｗに、電子ビーム蒸発源２０からの蒸発粒子２０ａとクラスターイオン生成装置３０からのクラスターイオン３０ａを入射させることで、クラスターイオンアシストによるフッ化物膜の成膜を行う。 - 特許庁

As those protection layer, capable of forming by a thermal CVD method, a plasma CVD method, or an evaporation method with irradiation of ion beam or electron beam, has high sputtering resistant property and big dielectric glass protection effect, the life of the panel is prolonged.例文帳に追加

このような保護層は、熱ＣＶＤ法、プラズマＣＶＤ法、或はイオンビームや電子ビームを照射しながら蒸着する方法で形成することができ、耐スパッタリング性が高く、誘電体ガラス層の保護効果が大きいのでパネル寿命が向上する。 - 特許庁

In the method for forming the film coated with porous titanium oxide thin film, a winding device for winding up the polymer film substrate is provided and titanium metal or titanium oxide is evaporated from an evaporation source arranged under the substrate and simultaneously the substrate is irradiated with an oxygen radial and a rare-gas ion from a radical beam generation source and an ion beam generation source to deposit the titanium oxide thin film onto the substrate.例文帳に追加

ポリマーフィルム基材を巻き取る巻取装置を備え、その基材の下方に設置された蒸発源から金属チタンあるいは酸化チタンを蒸発させ、同時にラジカルビーム発生源及びイオンビーム発生源から酸素ラジカルおよび希ガスイオンを照射し、前記基材上で酸化チタン薄膜を形成することを特徴とする多孔性酸化チタン薄膜被覆フィルムの形成方法である。 - 特許庁

An inlet of an evaporation pipe 52 is provided behind an ion transport pipe 17 which attracts ions from an atomizing chamber 13 and feeds them to a mass spectrometer 40, and a laser beam source part 50 and a light scattering detection unit 56 of an ELSD 4 are disposed outside a light incoming window 53 and a light outgoing window 54 formed in the evaporation pipe 52.例文帳に追加

また、霧化室１３内からイオンを引き込んで質量分析部４０へと送るイオン輸送管１７よりも後方に蒸発管５２の入口開口を設け、蒸発管５２に形成した光入射窓５３と光出射窓５４の外側にＥＬＳＤ４のレーザ光源部５０と光散乱検出部５６とを配置する。 - 特許庁

The protection film is formed by an electron beam evaporation method, an ion plating method, or a sputtering method by using the material for forming a protection film of plasma display panel formed by sintering a raw material prepared by crushing a single crystal.例文帳に追加

プラズマディスプレイパネルの保護膜形成材料において、単結晶を粉砕したものを原料として、それを燒結した材料を用いて、電子ビーム蒸着法、イオンプレーティング法あるいはスパッタリング法によって保護膜を形成する。 - 特許庁

As an Si atom (silicon atom) that constitutes silicon rubber and the Si atom that constitutes SiO_2 membrane 20 generate high affinity, and in addition, as the SiO_2 membrane 20 is formed by an ion beam assist evaporation method, the SiO_2 membrane 20 is affixed strongly to the adsorption pad body 13.例文帳に追加

シリコーンゴムを構成するＳｉ原子（シリコン原子）と、ＳｉＯ_２膜２０を構成するＳｉ原子と、により高い親和性が生じており、更に、ＳｉＯ_２膜２０はイオンビームアシスト蒸着法によって成膜されているので、吸着パッド本体１３へＳｉＯ_２膜２０が強固に付着されている。 - 特許庁

This radiation image conversion panel has: the substrate formed of a metal or an alloy; an oxide layer formed on the substrate by a vapor phase deposition method such as a sputtering method, an ion plating method or an ion beam assist evaporation method; and a phosphor layer formed on the oxide layer by a vapor phase deposition method.例文帳に追加

本発明の放射線像変換パネルは、金属または合金により構成された基板と、この基板上に、例えば、スパッタリング法、イオンプレーティング法またはイオンビームアシスト蒸着法などの気相堆積法により形成された酸化物層と、この酸化物層上に気相堆積法により形成された蛍光体層とを有するものである。 - 特許庁

Between the place on a stage 30 in a working chamber 23 of the focused ion beam device and a holder 38 of a film-formation chamber 34 of a vacuum evaporation system 23, a target 31 for manufacturing a semiconductor element is moved with a transportation mechanism (a first transportation mechanism 48, an elevating table 64 and a second transportation mechanism 58) through the transportation mechanism chamber 47.例文帳に追加

集束イオンビーム装置の加工室２３のステージ３０上と真空蒸着装置２３の成膜チャンバー３４のホルダー３８との間で、半導体素子製作用ターゲット３１を、搬送機構室４７を介して搬送機構（第１搬送機構４８，昇降テーブル６４及び第２搬送機構５８）により移動させる様に成す。 - 特許庁