kV asとは 意味・読み方・使い方

To provide a semiconductor device with a ferroelectrics which is excellent in switching characteristics of at least 10 kV or less as hysteresis angular ratio.例文帳に追加

半導体デバイスにおいて、ヒステリシスの角形比が１０ｋＶ以下以上のスイッチング特性に優れた強誘電体が必要とされている。 - 特許庁

Furthermore, constant voltage bias of +2[kV] is applied to the conductive Mylar from a power source 103 functioning as a means for applying bias to the conductive part.例文帳に追加

更に、導電性マイラに導電性部バイアス印加手段として電源１０３から＋２［ＫＶ］の定電圧バイアスを印加する。 - 特許庁

In the step S170, a sound volume ratio kv being a ratio of an output sound average amplitude and a musical sound average amplitude is derived as the amount of sound volume correction.例文帳に追加

ただし、Ｓ１７０では、出力音平均振幅と、楽音平均振幅との比率である音量比率ｋｖを音量補正量として導出する。 - 特許庁

In this case, the electric-field-induced strain is percent deformation under application of an electric field of 4 kV/mm, as measured in a direction perpendicular to the electric field.例文帳に追加

ここで、前記電界誘起歪は、４ｋＶ／ｍｍの電界が印加された場合の当該電界と垂直な方向における変形率である。 - 特許庁

The formula (1) is KV=[V]+[Nb]; wherein, [V] and [Nb] are respectively shown as contents (mass%) of V and Nb.例文帳に追加

ＫＶ＝［Ｖ］＋［Ｎｂ］ ・・・（１）（但し、［Ｖ］および［Ｎｂ］は、夫々ＶおよびＮｂの含有量（質量％）を表す。） - 特許庁

Furthermore, as the piezoelectric body formed so as to have the orientation by the sputtering method has high dielectric strength, a voltage applied to the piezoelectric actuator 134 is made high (one example, ≥3 kV/mm and ≤25 kV/mm), and the amount of the displacement of the vibrating plate 130 can be made large.例文帳に追加

更に、スパッタ法により配向を有するように形成された圧電体は、耐電圧が高いので、圧電アクチュエータ１３４印加する電圧を高くして（一例で３ｋＶ／ｍｍ以上、２５ｋＶ／ｍｍ以下）、振動板１３０の変位量を大きくすることできる。 - 特許庁

An annular conductor 18 is provided inside the nonlinear resistor 14 at the intermediate point, and the zinc oxide elements 13 are so stacked as to make the rated voltages of the upper part of the nonlinear resistor 14 located above the annular conductor 18 and the lower part of the nonlinear resistor 14, located below the annular conductor 18 equal to 266 kV and 154 kV, respectively.例文帳に追加

環状導体１８は非直線抵抗体１４の中間部に設けられ、当該環状導体１８よりも上方部が定格電圧２６６ｋＶ、下方部が定格電圧１５４ｋＶとなるように酸化亜鉛素子１３がそれぞれ積層されている。 - 特許庁

In this method for forming a molding die for an optical element to deposit at least a hard carbon film as a release layer on the molding face by an ion beam vapor deposition method, the hard carbon film is deposited under the conditions of 6 to 21 kV acceleration voltage in the initial stage of film deposition and 0.4 to 4 kV acceleration voltage in the final stage of film deposition.例文帳に追加

イオンビーム蒸着法により、成形面に少なくとも硬質炭素膜を離型層として形成する光学素子成形用型の形成方法において、該硬質炭素膜を成膜初期に加速電圧を６〜２１ｋＶとし、成膜終期に加速電圧を０．４〜４ｋＶとして印加し、成膜することを特徴とする。 - 特許庁