line of magnetizationとは 意味・読み方・使い方

To enhance a magnetization efficiency of a liquid and an attraction efficiency of an iron powder by making a density of a magnetic line crossing a fluid dense.例文帳に追加

流体を横切る磁力線の密度を密にして、液体の磁化効率及び鉄粉の吸着効率を向上する。 - 特許庁

The distance between the center of the portion wherein the magnetization state of the magnetic resistance element is changed and the center of the portion wherein the current of the word line flows mainly is made smaller than the distance between the center of the portion wherein the magnetization state of the magnetic resistance element is changed and the center of the portion wherein the current of the bit line flows mainly.例文帳に追加

そして、磁気抵抗素子の磁化状態が変化する部分の中心とワード線の主に電流が流れる部分の中心との距離は、磁気抵抗素子の磁化状態が変化する部分の中心とビット線の主に電流が流れる部分の中心との距離より短くなっている。 - 特許庁

The permanent magnets are magnetized in the direction of the line so that the adjacent permanent magnets have an opposite direction of magnetization.例文帳に追加

永久磁石を線方向に、隣り合う永久磁石同士が、反対の磁化方向を有するように着磁する。 - 特許庁

In writing operation, a current is supplied to between the ferromagnetic word line and nonmagnetic bit line and then spins are accumulated in the nonmagnetic bit line from the ferromagnetic word line to invert the magnetization direction of a free layer of the magneto-resistance effect element.例文帳に追加

書き込み動作時には、強磁性ワード線と前記非磁性ビット線との間に電流を流し、強磁性ワード線から非磁性ビット線にスピンを蓄積させることで磁気抵抗効果素子の自由層の磁化方向を反転させる。 - 特許庁

In a recording and reproducing method, the magnetization direction of the first magnetic layer is initialized in the prescribed direction, a current is made to flow in the write line, the magnetization direction of the second magnetic layer of the magnetic resistive element is decided and information is recorded, an absolute value of resistance of the magnetic resistance element is detected, and recorded information is reproduced.例文帳に追加

記録再生方法は、第１の磁性層の磁化方向を所定方向に初期化し、書込み線に電流を流して、磁気抵抗素子の第２磁性層の磁化方向を決定して情報を記録し、磁気抵抗素子の抵抗の絶対値を検出して、記録情報を再生する。 - 特許庁

To provide a magnetoresistance memory using a perpendicular magnetization film in which an integration degree is not lowered by revising a sectional shape of a write line so that an area of a memory cell is not increased, and efficiently generating a magnetic field in a magnetoresistance element made of the perpendicular magnetization film.例文帳に追加

書込み線の断面形状をメモリセル面積が大きくならないように改良し、効率的に磁界を垂直磁化膜からなる磁気抵抗素子に発生させることによって、集積度を落とさない垂直磁化膜を用いた磁気抵抗メモリを提供する。 - 特許庁

The magnets 301 have opposite magnetization directions of each other and form a static magnetic field in parallel to the longitudinal direction of the microwave strip line 302 over the microwave strip line 302.例文帳に追加

それぞれの磁石３０１の磁化方向はお互いに逆方向であり、マイクロ波ストリップライン３０２上方に、マイクロ波ストリップライン３０２の長軸方向と平行な静磁界を形成する。 - 特許庁

The ternary content addressable memory cell 1 is provided with a first magnetic tunnel junction 2 being formed from a storage layer 23, a sense layer 21 having a magnetization direction adjustable relative to the magnetization of the storage layer, an insulating layer 22 between the storage layer and the sense layer, a sense line 3 coupled with the storage layer, a first field line 4 and second field line 5.例文帳に追加

三値連想メモリセル１は、ストレージ層２３から形成されている第１磁気トンネル接合２、ストレージ層の磁化に対して調整可能な磁化方向を有するセンス層２１、及び、ストレージ層とセンス層との間の絶縁層２２を有し、ストレージ層に接続されているセンス線３を有し、第１フィールド線４及び第２フィールド線５を有する。 - 特許庁