「line of magnetization」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

Magnetization vibration can be excited by spin transfer from the magnetization fixed layer to the magnetization free layer through conduction in the direction perpendicular to the surface of the multilayer film, and noise is lowered in the vicinity of oscillation frequency by narrowing the oscillation line width of the magnetic oscillation element.例文帳に追加

多層膜の膜面に対して垂直方向の通電によって磁化固定層から磁化フリー層へのスピントランスファによる磁化振動が励起でき、磁性発振素子の発振線幅を狭くすることによって発振周波数付近の雑音を低下させる。 - 特許庁

Erasure of the information is carried out by means of setting the magnetization direction of the magnetization free layer 12C to a first direction, according to the current-induced magnetic field from the word line WL, and also carried out to the plurality of magnetoresistive elements 12 collectively.例文帳に追加

情報の消去は、ワード線ＷＬからの電流誘導磁場により磁化自由層１２Ｃの磁化の方向を第１の方向に設定することで行われ、かつ複数の磁気抵抗素子１２に対して一括して行われる。 - 特許庁

To enhance a magnetization efficiency of a liquid and an attraction efficiency of an iron powder by making a density of a magnetic line crossing a fluid dense.例文帳に追加

流体を横切る磁力線の密度を密にして、液体の磁化効率及び鉄粉の吸着効率を向上する。 - 特許庁

The distance between the center of the portion wherein the magnetization state of the magnetic resistance element is changed and the center of the portion wherein the current of the word line flows mainly is made smaller than the distance between the center of the portion wherein the magnetization state of the magnetic resistance element is changed and the center of the portion wherein the current of the bit line flows mainly.例文帳に追加

そして、磁気抵抗素子の磁化状態が変化する部分の中心とワード線の主に電流が流れる部分の中心との距離は、磁気抵抗素子の磁化状態が変化する部分の中心とビット線の主に電流が流れる部分の中心との距離より短くなっている。 - 特許庁

The permanent magnets are magnetized in the direction of the line so that the adjacent permanent magnets have an opposite direction of magnetization.例文帳に追加

永久磁石を線方向に、隣り合う永久磁石同士が、反対の磁化方向を有するように着磁する。 - 特許庁

In writing operation, a current is supplied to between the ferromagnetic word line and nonmagnetic bit line and then spins are accumulated in the nonmagnetic bit line from the ferromagnetic word line to invert the magnetization direction of a free layer of the magneto-resistance effect element.例文帳に追加

書き込み動作時には、強磁性ワード線と前記非磁性ビット線との間に電流を流し、強磁性ワード線から非磁性ビット線にスピンを蓄積させることで磁気抵抗効果素子の自由層の磁化方向を反転させる。 - 特許庁

In a recording and reproducing method, the magnetization direction of the first magnetic layer is initialized in the prescribed direction, a current is made to flow in the write line, the magnetization direction of the second magnetic layer of the magnetic resistive element is decided and information is recorded, an absolute value of resistance of the magnetic resistance element is detected, and recorded information is reproduced.例文帳に追加

記録再生方法は、第１の磁性層の磁化方向を所定方向に初期化し、書込み線に電流を流して、磁気抵抗素子の第２磁性層の磁化方向を決定して情報を記録し、磁気抵抗素子の抵抗の絶対値を検出して、記録情報を再生する。 - 特許庁

To provide a magnetoresistance memory using a perpendicular magnetization film in which an integration degree is not lowered by revising a sectional shape of a write line so that an area of a memory cell is not increased, and efficiently generating a magnetic field in a magnetoresistance element made of the perpendicular magnetization film.例文帳に追加

書込み線の断面形状をメモリセル面積が大きくならないように改良し、効率的に磁界を垂直磁化膜からなる磁気抵抗素子に発生させることによって、集積度を落とさない垂直磁化膜を用いた磁気抵抗メモリを提供する。 - 特許庁

The magnets 301 have opposite magnetization directions of each other and form a static magnetic field in parallel to the longitudinal direction of the microwave strip line 302 over the microwave strip line 302.例文帳に追加

それぞれの磁石３０１の磁化方向はお互いに逆方向であり、マイクロ波ストリップライン３０２上方に、マイクロ波ストリップライン３０２の長軸方向と平行な静磁界を形成する。 - 特許庁

The ternary content addressable memory cell 1 is provided with a first magnetic tunnel junction 2 being formed from a storage layer 23, a sense layer 21 having a magnetization direction adjustable relative to the magnetization of the storage layer, an insulating layer 22 between the storage layer and the sense layer, a sense line 3 coupled with the storage layer, a first field line 4 and second field line 5.例文帳に追加

三値連想メモリセル１は、ストレージ層２３から形成されている第１磁気トンネル接合２、ストレージ層の磁化に対して調整可能な磁化方向を有するセンス層２１、及び、ストレージ層とセンス層との間の絶縁層２２を有し、ストレージ層に接続されているセンス線３を有し、第１フィールド線４及び第２フィールド線５を有する。 - 特許庁

An MIS junction laminated film is formed of a diode, a spin injection magnetization inversion inducing layer, and a tunneling type magneto-resistive element, and a bit line and a word line are connected to the laminated film.例文帳に追加

ダイオードとスピン注入磁化反転誘起層とトンネル型磁気抵抗効果素子からなるＭＩＳ接合積層膜を形成し、ビット線とワード線をこの積層膜に接続させる。 - 特許庁

When the magnetic anisotropic magnet is manufactured which has an easy magnetization direction of magnet powder oriented at one point on a curved surface of a magnet surface to a direction of a straight line perpendicular to a tangential plane at the point, the magnetic powder is molded first in a magnetic field to form a flat plate molding having the easy magnetization direction of the magnet powder oriented to the direction of the straight line perpendicular to a molding plane comprising mutually parallel planes.例文帳に追加

磁石表面の曲面上の一点で、その点での接平面に垂直な直線の方向に磁石粉末の容易磁化方向が配向された磁気異方性磁石の製造に当たって、まず、磁石粉末を磁場中で成形して磁石粉末の容易磁化方向が互いに平行な平面からなる成形面に垂直な直線の方向に配向された平板成形体を形成する。 - 特許庁

To eliminate limitations of a potential to be applied to a word line which decides direction of magnetization, to shorten the word line or a bit-line used to read a resistance of an MRAM memory cell and to suppress the number of steps necessary for a manufacture in the MRAM memory cell.例文帳に追加

本発明の目的は、ＭＲＡＭメモリセルにおいて、磁化の向きを決めるワード線に加えられる電位が制限されないようにすること、セルの抵抗を読み取るために用いられるワード線あるいはビット線を短くすること、製造に必要な工程数を最小限に抑えることなどである。 - 特許庁

When the data is written, write current is supplied to a selection digit line (DL) by a digit line drive circuit (2), and magnetization direction of a free layer of a memory cell, coupled with the digit line by a current induction magnetic field, is set in the direction opposite to a fixed layer.例文帳に追加

データ書込時、デジット線ドライブ回路（２）により、選択デジット線（ＤＬ）に書込電流を供給し、その電流誘起磁界により、デジット線に結合されるメモリセルの自由層の磁化方向を、固定層と反対の方向に設定する。 - 特許庁

Then, the change in acceleration in the line of acting direction of the magnetic repulsion is detected as the change in the permeability or in the remaining amount of magnetization of the magnetostriction member 18, based on the change of the magnetic repulsive force.例文帳に追加

そして、前記磁気反発力の作用線方向の加速度変化を、前記磁気反発力の変化に基づく前記磁歪部材１８の透磁率又は残留磁化量の変化として検出するようにした。 - 特許庁

To provide a magnetic force line direction detector which detects the direction of a magnetic flux emerging from a magnet by a simple structure and a magnet inspector which inspects the magnetization unevenness of a magnet on the basis of the deflection of the detected magnetic flux direction.例文帳に追加

簡単な構成により磁石から出る磁束の方向を検出する磁力線方向検出装置を提供し、また、この検出した磁束方向の振れにより磁石の着磁ムラを検査する磁石検査装置を提供する。 - 特許庁

The magnetic thin film 10 of an MI element body is formed in an elongated zigzagging pattern like a linear line horizontally folded back a plurality of times, and an axial direction of easy magnetization is set along a longitudinal direction of the zigzagging pattern.例文帳に追加

ＭＩ素子本体の磁性薄膜１０は、直線を複数回平行に折り返した細長いつづら折り状のパターンに形成され、磁化容易軸方向がつづら折り状パターンの長手方向に沿うように設定されている。 - 特許庁

The magnetization is sine waveform on an apparent line at a equal distance from the polar tooth 15a of the stator, and magnetic pole center parts 11Nc, 11Ns showing the peak of magnetic force intensity can be surely started in relation to the mutual action of the auxiliary pole 15b.例文帳に追加

ステータの極歯１５ａから等距離にある見掛け線上では着磁は正弦波形となり、磁力強度のピークを示す磁極中心部１１Nc，１１Scが確実に補極１５ｂとの相互作用に関わり始動不能になることはない。 - 特許庁

Therefore, the distance of the thickness direction of the magnetization free layer 25 and a first current line 60 can be uniform and precise over the whole based on the thickness of the cap layer 30.例文帳に追加

このため、磁化自由層２５と第１電流線４１との厚み方向の距離を、キャップ層３０の厚みに基づき、全体に亘って均一かつ正確なものとすることができる。 - 特許庁

The semiconductor storage device stores data in a plurality of magnetic resistance elements 52 by using word lines 50 and bit lines 51, and is so constituted as to change the magnetization state of the magnetic resistance element by current directions of each bit line.例文帳に追加

半導体記憶装置は、複数の磁気抵抗素子５２にワード線５０とビット線５１とを用いてデータを記憶し、ビット線の電流方向により磁化状態が変化するように構成されている。 - 特許庁

Defects can be detected efficiently by performing defect examination S22 detecting magnetization inversion part based on variation of a base line of a signal read out from the medium in this state.例文帳に追加

この状態にて媒体から読み出される信号のベースラインの変動に基づいて、磁化反転部分を検出する欠陥調査Ｓ２２を実施することで、欠陥を効率的に検出することができる。 - 特許庁

By locating magnets in the midstream of supply pipes, natural water instead of magnetizing water can be supplied to the mold and also because water magnetization is performed in-line successively, cooling with magnetizing water is carried out efficiently.例文帳に追加

供給配管の途中に磁石１０を設けることにより、自然水を磁化水に変えてモールドに供給でき、しかも磁化水化がインラインで連続的に行えるので、磁化水による冷却を効率的に行える。 - 特許庁

Further, since the data line DIO and the sense amplifier 120 are isolated by a capacitor 110, the sense amplifier can be operated within an optimum input voltage range independently of the magnetization characteristic of the memory cells.例文帳に追加

さらに、データ線ＤＩＯとセンスアンプ１２０との間はキャパシタ１１０によって絶縁されているので、メモリセルの磁化特性と切離して、センスアンプを最適な入力電圧範囲で動作させることができる。 - 特許庁

Texture processing of 0.05 to 0.2 nm center line average roughness (Ra) is carried out on the disk substrate, the soft magnetic underlayer is made to be amorphous state and to have 2.5 to 10 nm film thickness and the saturation magnetization (Hs) of the perpendicular magnetic recording layer is made to have ≤7 kOe.例文帳に追加

ディスク基板に中心線平均粗さ（Ra）が0.05 nm以上0.2 nm以下のテクスチャ加工を施し、軟磁性下地層を、非晶質で、かつ膜厚が2.5 nm以上10 nm以下とし、垂直磁気記録層の飽和磁界(Hs)を7 kOe以下とする。 - 特許庁

In the memory cell, the current line 8 has a first function for passing a first current component 31 for heating the junction and a second function for passing a second current component 41 for switching the magnetization of the first magnetic layer 21.例文帳に追加

電流ライン８が、接合部を加熱するための第一の電流成分３１を流す第一の機能と、第一の磁気レイヤ２１の磁化を切り換えるための第二の電流成分４１を流す第二の機能とを有する。 - 特許庁

A data write current for applying a data write magnetic field along an axis of hard magnetization to a selected memory cell is supplied to a write word line WWWLi corresponding to a selected row.例文帳に追加

選択行に対応するライトワード線ＷＷＬｉには、磁化困難軸に沿ったデータ書込磁界を選択メモリセルに印加するためのデータ書込電流が供給される。 - 特許庁

When the actual asteroid curve (solid line) deviates by Ho to the direction of the hard axis, the corrected synthetic magnetic field H1+H2+Ho is generated during the writing operation, by which the magnetization inversion is surely performed.例文帳に追加

実際のアステロイド曲線（実線）が困難軸方向へＨｏだけずれている場合、書き込み動作時に、修正された合成磁界Ｈ１＋Ｈ２＋Ｈｏを発生させることにより、磁化反転を確実に行う。 - 特許庁

A pair of magnetic heads where one of the heads having a smaller angle of a magnetization pattern line to a magnetization orientation direction of a magnetic particle in a tape for recording an electromagnetically converted signal, has a 5 to 10% larger recording/reproduction efficiency than that of another magnetic head forming the pair are mounted on a cylinder.例文帳に追加

磁気ヘッドの磁化パターンのラインと電磁変換された信号を記録するテープの磁性粒子の磁化配向方向とで成す角度が小さい方の磁気ヘッドの記録再生効率が、一対を構成する他方の磁気ヘッドの記録再生効率よりも５〜１０％大きい磁気ヘッドをペアにしてシリンダーに搭載する。 - 特許庁

A magnetic resistance effective memory has a magnetic resistance film consisting of a first magnetic layer, a non-magnetic layer, and a second magnetic layer formed on a substrate, a conductor line for recoding information arranged near this magnetic resistance film or a conductor line for both recording and reproducing information, and a magnetization fixing layer near a magnetic resistance film.例文帳に追加

基板上に形成される第１磁性層／非磁性層／第２磁性層からなる磁気抵抗膜と、この磁気抵抗膜近傍に配置された情報記録用の導体線あるいは情報の記録・再生兼用の導体線と、磁気抵抗膜の近傍に磁化固定層を有する磁気抵抗効果メモリ。 - 特許庁

In the record layer of ends in a direction substantially vertical to the axis to make easy a magnetization, one is disposed inside a projection region which is shaded when the write line 6 is projected toward the write bit line 3, and the other is disposed outside the projection region.例文帳に追加

記録層は、磁化容易軸とほぼ垂直な方向の端部のうち、一方がライト線６を書込みビット線３に向かって投影したときの影になる投影領域の内側に配置され、他方が投影領域の外側に配置されている。 - 特許庁

When an angle formed by a straight line connecting a central position in the radial direction of the magnet and a central position in the radial direction of the FG pattern with respect to a central axis of a driving shaft is taken as θ, and an angle formed by a direction of the FG magnetization with respect to the central axis of the driving shaft is taken as A, 0 degree<A≤θ is satisfied.例文帳に追加

磁石の半径方向中央位置とＦＧパターンの半径方向中央位置とを結ぶ直線が駆動軸の中心に対してなす角度θ、ＦＧ着磁の方向が駆動軸の中心に対してなす角度Ａが、０度＜Ａ≦θを満足する。 - 特許庁

A magnetic field H1 in the direction of a hard axis and a magnetic field H2 in the direction of an easy axis are simultaneously acted on a TMR (Tunneling Magneto-Resistive) element 1 having an ideal asteroid curve (broken line), by which the magnetization direction of the memory layer of the TMR element 1 can be inverted.例文帳に追加

理想的なアステロイド曲線（破線）を有するＴＭＲ素子に対して、困難軸方向の磁界Ｈ１と容易軸方向の磁界Ｈ２とを同時に作用させることにより、ＴＭＲ素子の記憶層の磁化方向を反転させることができるものとする。 - 特許庁

A method for recording a magnetic memory cell comprises a step of disposing a write line 3 near a side face of the magnetoresistance effect element 2 of a structure, in which a nonmagnetic layer 23 is interposed between a first magnetic layer 21 and a second magnetic layer 22 each having an axis of easy magnetization in a film surface perpendicular direction via an insulating film.例文帳に追加

膜面垂直方向に磁化容易軸を持つ第１磁性層２１及び第２磁性層２２で非磁性層２３を挟んだ構造の磁気抵抗効果素子２の側面近傍に、絶縁膜を介して書込み線３を配置する。 - 特許庁

The crystals 34 of the anisotropic magnetic powder contained in the molded object 32 are uniformly dispersed while turning the magnetization facilitating axes thereof toward the same direction and magnetism is enhanced as the whole of the molded object 32 and the strength of the weld line 33 is increased.例文帳に追加

成形体３２に含有される異方性磁紛の各結晶体３４が磁場の作用で回転し、その磁化容易軸を同一方向へ向けつつ均一に分散するようになり、成形体３２全体として磁性が高まり、またウエルドライン３３における強度が増すようになる。 - 特許庁

The magnetic RAM comprises: a MOS transistor; a memory layer, to which the source of the MOS transistor is connected and in which data are recorded; a heating means, which heats the memory layer; and a recording line, to which a magnetic field is applied in order to change a magnetization state of the heated area of the memory layer when data recording.例文帳に追加

ＭＯＳトランジスタと、このソースと連結され、データの記録されるメモリ層と、メモリ層を加熱するための加熱手段と、データ記録時に前記メモリ層の加熱された領域の磁化状態を変えるため磁気場を印加するように備えられた記録ラインを備える。 - 特許庁

When a current is fed to the current support line (33) regardless of a current flowing through the MTJ (37); switching of the MTJ (37) between the first and second states is supported by applying a magnetic field along the hard axis of magnetization in the ferromagnetic layer, and the switching current can be reduced.例文帳に追加

ＭＴＪ（３７）の中を流れる電流とは無関係に支援電流線（３３）に電流を流すと、強磁性層内の磁化困難軸に沿う磁界を与えて、ＭＴＪ（３７）を第１の状態と第２の状態との間に切り換えるのを支援し、切換え電流を減らすことができる。 - 特許庁

Write bit lines (WBL0, WBL1) are arranged in a direction orthogonal to an easy axis (EX) of magnetization of a variable magnetoresistive element (VR), and write bit line drive circuits (22U, 22L) supply currents to the bit lines in directions corresponding to write data.例文帳に追加

可変磁気抵抗素子（ＶＲ）の磁化容易軸（ＥＸ）と直交する方向に書込ビット線（ＷＢＬ０，ＷＢＬ１）を配置し、書込ビット線ドライブ回路（２２Ｕ，２２Ｌ）により、書込データに応じた方向に、書込ビット線に電流を流す。 - 特許庁

Furthermore, since the adjacent soft magnetic layer 32 causes a magnetic field generated in the composite bit line 30 to be concentrated, a magnetic field for switching is effectively enhanced in the switching operation, thus reducing the electric current required for changing the direction of the magnetization of the ferromagnetic free layer 70.例文帳に追加

しかも、複合ビット線３０中に発生した磁界が隣接軟磁性層３２により集中されることにより、スイッチング時においてスイッチング用の磁界が効果的に増強されるため、強磁性フリー層７０の磁化方向を変化させるために要する電流が低電流化する。 - 特許庁

The magnetic resistance memory and its manufacturing method is constituted of the memory cell to store an information, a conductive wire to change a magnetization direction of the memory cell by generating a magnetic field, and at least one magnetic flux concentrating island to concentrate flux onto the memory cell located between the conductive line and the memory cell.例文帳に追加

情報を保存するメモリセルと、磁場を発生させて前記メモリセルの磁化方向を変化させる導電線と、導電線とメモリセルの間に位置してメモリセルに磁束を集中させる少なくとも１つの磁束集束アイランドとを備える磁気抵抗メモリおよびその製造方法。 - 特許庁

In DL drivers 6, 7 of MRAM of the semiconductor storage device, a transistor 20 corresponding to a selected digit line group DLG is conducted, and then parallelly-connected four transistors 24.1-24.4 in a sub DL driver 21 corresponding to a selected digit line DL are sequentially conducted to pass magnetization current IDL.例文帳に追加

このＭＲＡＭのＤＬドライバ６，７では、選択されたディジット線グループＤＬＧに対応するトランジスタ２０を導通させた後、選択されたディジット線ＤＬに対応するサブＤＬドライバ２１の並列接続された４つのトランジスタ２４．１〜２４．４を順次導通させて磁化電流ＩＤＬを流す。 - 特許庁

In the motor, the outside diameter of a rotor core on which to mount a sheet-shaped flexible rare earth magnet magnetized into many poles is changed from a conventional perfect circle into a shape constituted of a straight line or a curve, whereby the waveform of rotor magnetization can be adjusted freely, and the magnetic flux density waveform is made into sine wave by reducing the cogging torque and the torque ripples.例文帳に追加

多極着磁したシート状のフレキシブル希土類磁石を装着するロータコアの外径を、従来の真円形状から、直線または曲線により構成した形状にし、これにより、ロータ着磁波形を自在に調整することができ、コギングトリクおよびトルクリップルの低減を行うことによって、磁束密度波形を正弦波状にする。 - 特許庁