little vとは 意味・読み方・使い方

To readily manufacture a semiconductor laser using a nitride III-V compound semiconductor whose operation current increases extremely little during energization, life is long and deterioration is extremely little over aging.例文帳に追加

通電中の動作電流の増加が極めて少なく、長寿命で経時変化も極めて少ない、窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体を用いた半導体レーザを容易に製造する。 - 特許庁

To provide a back face printing method for a V-ribbed belt making little noise even when used for a system in which a pulley comes in pressure contact with the back face of the belt.例文帳に追加

プーリがベルト背面に圧接するシステムに使用した場合でも、騒音をほとんど発しないＶリブドベルトの背面印刷方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a configuration and a construction method of cross-sectionally V-shape optical path grooves for realizing a uniform light emitting body having high luminance and little irradiation unevenness.例文帳に追加

輝度が高く、照射ムラの無い均一な面状発光体を実現するための断面Ｖ字形光路溝の形状と構成方法を提供する。 - 特許庁

(v) Entities specified by a Cabinet Order as having a little likelihood to harm the rights and interests of individuals considering the volume and the manner of utilization of personal information they handle.発音を聞く 例文帳に追加

五　その取り扱う個人情報の量及び利用方法からみて個人の権利利益を害するおそれが少ないものとして政令で定める者 - 日本法令外国語訳データベースシステム

To provide a group III-V nitride based semiconductor substrate capable of matching lattice constants with an epitaxial growth layer and giving a group III-V nitride based device having little distortion or defect, and to provide a method for inexpensively manufacturing the substrate with high reproducibility.例文帳に追加

エピタキシャル成長層との格子定数がマッチでき、歪みや欠陥の少ないIII-Ｖ族窒化物系デバイスを製造できるIII-Ｖ族窒化物系半導体基板、及びこの基板を安価に再現性良く製造できる製造方法を提供する。 - 特許庁

As a result, a warpage in the substrate 10 is suppressed and a good quality of the nitride III-V compound film having little irregularity in its composition can be made to grow on the substrate 10.例文帳に追加

よって、形成用基板１０の反りは抑制され、形成用基板１０の上に組成のばらつきが少ない良質の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物を成長させることができる。 - 特許庁

A coil electrode 607 is fitted into a V-shaped groove cut in the pressing electrode 608, and the coil electrode 607 is elastically deformed a little so as to be pressed against the upper sub-mount board 602.例文帳に追加

この押さえ電極６０８のＶ字状溝内にはコイル電極６０７が嵌合され、コイル電極６０７は、若干弾性的に変形することにより、上方のサブマウント基板６０２に押圧されている。 - 特許庁

To provide a method by which an electrode structure that has an extremely low contact resistance and shows an ohmic contact which causes little secular change can be manufactured in a nitride-based III-V compound semiconductor device.例文帳に追加

窒化物系III−Ｖ族化合物半導体装置において、接触抵抗が極めて低く、かつ、経時的変化の少ないオーミック接触を示す電極構造の作製方法を提供する。 - 特許庁