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low temperature magnetizationとは 意味・読み方・使い方
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意味・対訳 低温磁化
「low temperature magnetization」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 14件
The 1st magnetic layer 2 is an amorphous rare earth-transition metal film having high perpendicular magnetic anisotropy and low saturation magnetization and the composition has no compensation temperature close to room temperature.例文帳に追加
上記第１の磁性層２は、垂直磁気異方性は大きいが飽和磁化が小さい希土類−遷移金属非晶質膜であり、補償温度は室温近傍にはない組成である。 - 特許庁
A low temperature area, in which the magnetization of the reproducing layer 18' is turned vertical, an intermediate temperature area, in which the magnetization of the recording layer 22 is transferred through the control layer 20' to the reproducing layer 18' by exchange coupling, and the area of a higher temperature than Curie temperature of the control layer 20' are formed inside a laser spot by radiating a prescribed reproducing power.例文帳に追加
所定の再生パワーを照射することにより、レーザスポット内に再生層１８′の磁化が垂直方向を向く低温領域と、記録層２２の磁化が交換結合によって制御層２０′を介して再生層１８′に転写される中間温度領域と、制御層２０′のキュリー温度以上の高温領域とが形成される。 - 特許庁
The present disclosure concerns a multilevel magnetic element comprising a first tunnel barrier layer between a soft ferromagnetic layer having a magnetization that can be freely aligned and a first hard ferromagnetic layer having a magnetization that is fixed at a first high temperature threshold and can be freely aligned at a first low temperature threshold.例文帳に追加
本発明は、自由に整列させることができる磁化を有する軟強磁性層と、第１の高温しきい値では固定され、第１の低温しきい値では自由に整列可能な磁化を有する第１の硬強磁性層との間に第１のトンネル障壁層を備えるマルチレベル磁気素子に関する。 - 特許庁
To attain high saturation magnetization and low medium noise and to form a backing layer at normal temperature without applying an external magnetic field with respect to a magnetic information recording medium.例文帳に追加
この発明は、磁気情報記録媒体に関し、高飽和磁化と低媒体ノイズ化を図り、室温かつ外部磁界を印加せすに裏打ち層を形成することを課題とする。 - 特許庁
Excitation and detection waveforms are analyzed in AC magnetization by using a compact probe to a ferromagnetic metal material for a high-temperature structure, such as a low-alloy steel.例文帳に追加
低合金鋼等の高温構造用強磁性金属材料に対して、小型プローブを用いて交流磁化したときの励磁および検出波形を解析する。 - 特許庁
To provide a polycrystal magnetism ceramic in which low-temperature firing is possible while controlling the formation of a hetero-phase, and the ferromagnetic resonance half value width and dielectric loss are small, and which has a temperature coefficient which compensates the temperature characteristic of a permanent magnet about saturation magnetization.例文帳に追加
異相の生成を抑制しつつ低温焼成可能であり、強磁性共鳴半値幅及び誘電損失が小さく、飽和磁化に関して永久磁石の温度特性を補償する温度係数を有する多結晶磁性セラミックを提供する。 - 特許庁
In this magnetic material, low temperature can be realized by using the relatively low magnetic field by taking-in/taking out the entropy between the electro-magnetic spin system and the lattice system in the vicinity of the temperature at which the point of inflection appears on the magnetization curve.例文帳に追加
本発明の磁性材料によれば、磁化曲線に変曲点が現れる温度の近傍において電子磁気スピン系と格子系との間でエントロピーの授受を行わせることによって、比較的低い磁場を用いて低温を生成することができる。 - 特許庁
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「low temperature magnetization」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 14件
According to the magnetic material, low temperature is can be generated using a comparatively low magnetic field by allowing an electronic magnetism spin system and a trellis system to mutually carry out the transfer of entropy at temperatures near a temperature at which the flexion point arises in the magnetization curve.例文帳に追加
本発明の磁性材料によれば、磁化曲線に変曲点が現れる温度の近傍において電子磁気スピン系と格子系との間でエントロピーの授受を行わせることによって、比較的低い磁場を用いて低温を生成することができる。 - 特許庁
To supply at a low cost a ferromagnetic oxide polycrystalline substance which permits to arbitrarily determine the magnitude of residual magnetization, the magnitude of retentivity, resistivity, and so on at room temperature.例文帳に追加
室温での残留磁化の大きさ、保持力の大きさ、抵抗率などを任意に決定することができる強磁性酸化物多結晶体を安価に供給することを目的とする。 - 特許庁
To provide a simple long-pulse magnetic field generating method, that is useful for the magnetization of a high-temperature superconducting bulky body and to provide a low-cost portable long-pulse magnetic field generating device having a light weight and a small size.例文帳に追加
高温超伝導バルク体の着磁に有用で、簡易なロングパルス磁場の発生方法と、低コストで、軽量かつ小型で可搬型のロングパルス磁場の発生装置を提供する。 - 特許庁
The magnetic element further comprises a second tunnel barrier layer and a second hard ferromagnetic layer having a magnetization that is fixed at a second high temperature threshold and can be freely aligned at the first low temperature threshold, and the soft ferromagnetic layer is provided between the first tunnel barrier layer and the second tunnel barrier layer.例文帳に追加
磁気素子は、第２のトンネル障壁層と、第２の高温しきい値では固定され、第１の低温しきい値では自由に整列可能な磁化を有する第２の硬強磁性層とをさらに備え、軟強磁性層が第１のトンネル障壁層と第２のトンネル障壁層の間に備えられる。 - 特許庁
To provide a magnetic oxide thin film and a magnetic memory device that can realize huge change in resistance and hysteresis dependence at a low resistance without narrowing an operating temperature range as well as hysteresis dependence of magnetization in a low magnetic field, in a form of thin film necessary for making devices.例文帳に追加
デバイス化に必要な薄膜の形態において、動作温度範囲を狭めることなく巨大な抵抗変化及び履歴依存特性を低抵抗で実現し、並びに低磁場で磁化の履歴依存特性を実現し得る磁性酸化物薄膜及び磁気メモリ素子を提供する。 - 特許庁
The writing layer 105 shows a low Curie temperature (150 to 300°C), and is capable of magnetization reversal with fewer spin injection when subjected to heat.例文帳に追加
書き込み層105は、高スピン偏極層102、104、106、108からのスピン注入によって磁化方向が反転する磁化反転層であって、キュリー温度が低く（１５０〜３００℃）、加熱されることによって、少ないスピン注入量で磁化反転が可能となっている。 - 特許庁
The doped ferromagnetic material contains at least one ferromagnetic material diluted by at least one non-magnetic material so that the free layer 130 has low saturation magnetization of 1430 emu/cm^3 or less at room temperature, at least one ferromagnetic material doped ferrimagnetically, or at least one ferromagnetic material diluted by at least one non-magnetic material and doped ferrimagnetically.例文帳に追加
被ドープ強磁性材料は、自由層１３０が室温で１４３０ｅｍｕ／ｃｍ^３以下の低飽和磁化を有するように、少なくとも１つの非磁性材料で希釈された少なくとも１つの強磁性材料か、フェリ磁性的にドープされた少なくとも１つの強磁性材料か、又は、少なくとも１つの非磁性材料で希釈され且つフェリ磁性的にドープされた少なくとも１つの強磁性材料を含む。 - 特許庁
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