micro-sとは 意味・読み方・使い方

The pattern molding method includes; a step (S 140) of applying resists on a plurality of small molds marked with the masks or the micro-patterns, a step (S 150) of pressing the plurality of small molds and imprinting the micro-pattern of a curing resist, a step of curing the resist and a step (S 170) of releasing the plurality of small molds from the resist.例文帳に追加

マスクまたは微細パターンの刻印された複数の小型モールドに、レジストを塗布する段階と、前記複数の小型モールドを加圧し、前記レジストに微細パターンをインプリンティングする段階と、前記レジストを硬化する段階と、前記複数の小型モールドを前記レジストから離型する段階とを含む。 - 特許庁

The micro sample piece S is surely fixed because smoothing treatment is executed on the side faces P, Q of the fourth stage 14-54.例文帳に追加

第４段１４〜５４の側面Ｐ，Ｑには平滑化処理が施されているので、微小試料片Ｓを確実に固定できる。 - 特許庁

A product G is punched so as to be connected to a skeleton part S of a plate W through a micro-joint part MJ.例文帳に追加

製品Ｇはミクロジョイント部ＭＪを介して板材Ｗのスケルトン部Ｓに連結するようにパンチプレスでパンチング加工される。 - 特許庁

By applying laser beams to the separator, micro-perforations are given to places where the folds are formed, thus allowing the separator S to be folded easily.例文帳に追加

レーザ光をセパレータに照射することにより、折り目を形成する箇所に、マイクロミシン目をつけて、セパレータＳが容易に折れるようにする。 - 特許庁

The lateral intervals are gradually reduced or sizes of the micro- reflectors are gradually increased as further receding from the reference line S on the respective virtual lines Ki.例文帳に追加

各仮想線Ｋi 上で、基準線Ｓから離れるに従って横間隔を漸減あるいはマイクロレフレクタのサイズを漸増させる。 - 特許庁

A sheet material S subjected to micro joint working in a preprocess working machine 3 is transferred to a breakdown device 11 through control of a controller 39, the breakdown device 11 separates the product from the sheet material S.例文帳に追加

制御装置３９の制御により、前工程加工機３においてミクロジョイント加工されたシート材Ｓはバラシ装置１１に搬送され、このバラシ装置１１が製品Ｐをシート材Ｓから分離する。 - 特許庁

The micro sample piece S is fixed onto the fourth stage 14-54 to make a surface thereof, i.e. a plane for thinning preparation, in parallel to an XZ-plane.例文帳に追加

微小試料片Ｓは、その表面、すなわち薄片化調製が行われる平面がＸＺ面に平行となるように、第４段１４〜５４に固定される。 - 特許庁

Next, the melted semiconductor thin film 105 is cooled, and micro crystal grains S are generated adjacent to a boundary between the external area 107 and the internal area 109.例文帳に追加

次いで溶融した半導体薄膜１０５が冷却し外部領域１０７と内部領域１０９の境界近傍に微小結晶粒Ｓが生成する。 - 特許庁