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nd naとは 意味・読み方・使い方
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意味・対訳 未変性DNA; 天然DNA
「nd na」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 10件
In addition to MgNi, at least one modifier element selected from the group consisting of Co, Mn, Al, Fe, Cu, Mo, W, Cr, V, Ti, Zr, Sn, Th, Si, Zn, Li, Cd, Na, Pb, La, Ce, Pr, Nd, Mm, Pd, Pt and Ca is contained.例文帳に追加
MgNiの他にCo,Mn,Al,Fe,Cu,Mo,W,Cr,V,Ti,Zr,Sn,Th,Si,Zn,Li,Cd,Na,Pb,La,Ce,Pr,Nd,Mm,Pd,Pt,Caからなる群から選択された少なくとも1つの変性剤元素を含む。 - 特許庁
In a data processing apparatus, a block unit interleaver performs interleave A being processing for input of data with respect to ND×NB×NA bits in a product code in an order of a column direction as one direction by NB bit (by block), and for reading the data downwards to the oblique right side.例文帳に追加
ブロック単位インタリーバは、積符号のうち、ND×NB×NAビットに対して、データを、NBビット毎(=ブロック毎)に、一方の方向としての列方向の順に入力し、右斜め下方向の順に読み出す処理であるインタリーブAを行う。 - 特許庁
Next, the block unit interleaver performs interleave B being processing for input of data with respect to (NC-ND)×NB×NA bits being a parity part of an inner code indicated as P in the product code in the order of the column direction as one direction by NB bit, and for reading the data in an order of a row direction as another direction.例文帳に追加
次に、ブロック単位インタリーバは、積符号のうち、Pに示される内符号のパリティ部分である(NC-ND)×NB×NAビットに対して、データを、NBビット毎に、一方の方向としての列方向の順に入力し、他方の方向としての行方向の順に読み出す処理であるインタリーブBを行う。 - 特許庁
A clock number setting circuit 43 decides the number of clocks Nd corresponding to a write-in time Tw based on the number of difference clocks Nc between the number of clocks Na and the number of reference clocks Nb.例文帳に追加
クロック数設定回路43は、クロック数Naと標準クロック数Nbとの差分クロック数Ncに基づいて、書き込み時間Twに相当するクロック数Ndを決定する。 - 特許庁
Four image forming units 10a, 10b, 10c and 10d are disposed along the moving direction of an intermediate transfer belt 1 (in the direction shown by an arrow R1) and primary transfer parts Na, Nb, Nc and Nd are formed between the respective photosensitive drums 11a, 11b, 11c and 11d and the belt 1.例文帳に追加
中間転写ベルト1の移動方向(矢印R1方向)に沿って4個の画像形成ユニット10a、10b、10c、10dを配設し、各感光ドラム11a、11b、11c、11dと中間転写ベルト1との間に一次転写部Na、Nb、Nc、Ndを形成する。 - 特許庁
In a solid electrolyte film of zirconia (ZrO2) system, etc., a high conductivity solid electrolyte film is made to include at least one of Si, Na, Ba, Al, Nd, Ce, Pr, Ti, Sm, Fe elements and also to include one of La, Mn, Co, Sr, Ca, Ni elements.例文帳に追加
ジルコニア(ZrO_2)系などの固体電解質膜において、Si、Na、Ba、Al、Nd、Ce、Pr、Ti、Sm、Fe元素の内、少なくとも1種類以上の元素を含ませることにより高導電性固体電解質膜とし、更にLa、Mn、Co、Sr、Ca、Ni元素の内の1種類の元素を含ませる。 - 特許庁
The property-enhancing compound is a compound having an element selected from the group consisting of Mg, Ca, Fe, Na, K, Ce, Pr, Nd, Sm, Eu, Gd, Tb, Dy, Ho, Er, Tm, Yb, Lu, B, Y, Sc, La and combination thereof.例文帳に追加
前記特性増進性化合物は、Mg、Ca、Fe、Na、K、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu、B、Y、Sc、La及びこれらの組み合わせよりなる群から選ばれる元素を有する化合物である。 - 特許庁
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「nd na」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 10件
After the concentrations of the impurities and the variable T of diffusion time have been respectively set at their initial values (Nd and Na) and 0, the electric field distribution in the semiconductor in the course of diffusing the impurities in the semiconductor is found by setting the variable T at T+ΔT.例文帳に追加
まず、不純物濃度の初期値(Nd、Na)を設定し、拡散時間の変数Tに初期値0をセットした後、拡散時間の変数TにT+ΔTを設定し、半導体の拡散過程における半導体内部の電界分布をポアソン方程式を用いて求める。 - 特許庁
A semiconductor device has: an AlGaN buffer layer 18 provided on an SiC substrate 10 and that has an acceptor concentration (Na) higher than a donor concentration (Nd); a GaN electron transit layer 14 provided on the AlGaN buffer layer 18; and an AlGaN electron supply layer 16 provided on the GaN electron transit layer 14 and that has a band gap larger than that of GaN.例文帳に追加
本発明は、SiC基板10上に設けられ、アクセプタ濃度(Na)がドナー濃度(Nd)以上の濃度であるAlGaNバッファ層18と、AlGaNバッファ層18上に設けられたGaN電子走行層14と、GaN電子走行層14上に設けられ、GaNよりもバンドギャップが大きいAlGaN電子供給層16と、を有する半導体装置である。 - 特許庁
The ND filter wherein a layer which has a first area having a fixed transmittance and a second area having a continuously changing transmittance is formed on na substrate is manufactured by depositing raw material of the layer on the substrate through masks 4a, 4b, and 4c having parts which are brought into close contact with the substrate to cover the substrate and parts which are held in positions spaced from the substrate by prescribed gaps.例文帳に追加
透過率が一定な第1の領域と、透過率が連続的に変化する第2の領域とを有する層を基板3に形成するNDフィルターを、前記基板に密着して前記基板を覆う部分と前記基板から所定の間隔離れた位置に保持され前記基板を覆う部分とを有するマスク4a、4b、4cを介して、前記層の原材料を前記基板に堆積させるようにして製造する。 - 特許庁
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