reverse gate voltageとは 意味・読み方・使い方

The protective diode has a reverse breakdown strength which is about half the gate-oxide-film breakdown voltage of the transistor 5.例文帳に追加

保護ダイオード１１は横形ＤＭＯＳトランジスタ５のゲート酸化膜破壊耐圧の約２分の１の逆耐圧をもつ。 - 特許庁

The control unit (5) applies a prescribed gate voltage to switching elements, among the switching elements (Srp, ..., Stn), that have reverse bias applied thereto.例文帳に追加

そして、制御部（5）は、スイッチング素子（Srp,…,Stn）のうち、逆バイアスが印加されているものに所定のゲート電圧を印加する。 - 特許庁

In the power controller for manipulating power by turning on/off a reverse blocking IGBT 5 for increasing a reverse blocking current in response to the temperature rise, the gate voltage of the reverse blocking IGBT 5 is controlled by gate driving circuits 1, 2 as follows.例文帳に追加

温度上昇に応じて逆阻止電流が増加する逆阻止ＩＧＢＴ５をオンオフさせて電力を操作する電力制御装置において、ゲート駆動回路１及び２により、逆阻止ＩＧＢＴ５のゲート電圧を次のように制御する。 - 特許庁

To quantify an operation principle of a gate-source reverse bias drive to show a relationship between a threshold voltage and an operation voltage of an MOST (MOS transistor) thereby enabling high-speed low-voltage operation at an operation voltage of 1 V and under by using a combination of a plurality of MOSTs obtained by utilization of the principle of the reverse bias drive.例文帳に追加

ゲート−ソース逆バイアス駆動の動作原理を定量化し、ＭＯＳＴのしきい電圧と動作電圧の関係を明らかにすることにより、逆バイアス駆動の原理を活用した複数のＭＯＳＴの組み合わせを用いて、動作電圧１Ｖ以下の高速低電圧動作を可能にする。 - 特許庁

The gate-drain capacitance includes at least one maximum value in a given threshold or planar transition in a given reverse voltage.例文帳に追加

ゲート−ドレイン容量は、所定の閾値における少なくとも１つの極大値、または所定の逆電圧における平坦様の推移を含む。 - 特許庁

In this NMOS transistor 10, as a leakage current in the P-N interface is little under a prescribed gate voltage and a reverse short-channel effect is little, the transistor 10 has a large margin to the dimension of a gate length and a prescribed threshold voltage.例文帳に追加

本ＮＭＯＳ１０は、所定ゲート電圧下でｐｎ接合リーク電流が小さく、また、逆短チャネル効果が小さいので、ゲート長の寸法に対する大きなマージンを有しつつ所定のしきい値電圧を示す。 - 特許庁

To reduce the gate-collector capacity of a trench gate type semiconductor device without compromising the carrier storing effect and, in addition, to raise the collector-emitter reverse blocking voltage of the device.例文帳に追加

トレンチゲート型半導体装置において、キャリアの蓄積効果を損なうことなく、ゲート−コレクタ間容量を小さくし、かつコレクタ−エミッタ間の逆方向阻止電圧を高くすること。 - 特許庁

A voltage VGK between the gate and cathode of the SI thyristor 10 is monitored for preventing the reverse current IR flowing in the SI thyristor 10 and the voltage VGK between the gate, so that the cathode is prevented from exceeding a breakdown point VBR, where the voltage is saturated and becomes flat according to the relationship of nearly first-order monotonous increase.例文帳に追加

ＳＩサイリスタ１０のゲート−カソード間電圧ＶGKをモニタして、ＳＩサイリスタ１０内を流れる逆電流ＩRとゲート−カソード間電圧ＶGKが、略一次の単調増加の関係から飽和して平坦になるブレークダウンポイントＶBRを越えないようにする。 - 特許庁