reverse gate currentとは 意味・読み方・使い方

To provide a method of manufacturing a reverse block-type insulated gate bipolar transistor capable of securing highly-reliable reverse voltage resistance, and suppressing a leakage current in reverse biasing when manufacturing a reverse block-type IGBT having a separation layer formed along a tapered surface of a V-shaped groove formed by anisotropic etching.例文帳に追加

異方性エッチングで形成したＶ字形の溝のテーパー面に沿って形成される分離層を有する逆阻止型ＩＧＢＴを製造する際に、高信頼性の逆耐圧を確保し逆バイアス時のリーク電流を抑えることが可能な逆阻止型絶縁ゲートバイポーラトランジスタの製造方法を提供すること。 - 特許庁

In this NMOS transistor 10, as a leakage current in the P-N interface is little under a prescribed gate voltage and a reverse short-channel effect is little, the transistor 10 has a large margin to the dimension of a gate length and a prescribed threshold voltage.例文帳に追加

本ＮＭＯＳ１０は、所定ゲート電圧下でｐｎ接合リーク電流が小さく、また、逆短チャネル効果が小さいので、ゲート長の寸法に対する大きなマージンを有しつつ所定のしきい値電圧を示す。 - 特許庁

To provide a semiconductor device that prevents reverse current in the boundary between a diode region and IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) region without blocking heat conduction.例文帳に追加

ダイオード領域とＩＧＢＴ領域の間における熱伝導を阻害することなく、境界部における逆電流を抑制することができる半導体装置を提供する。 - 特許庁

Also, a current limiter, having FETs, is used for protecting the down converter against damage caused by a negative voltage appearing at the gate of the GCT thyristor, when the GCT thyristor receives a reverse direction load current.例文帳に追加

また、ＧＣＴサイリスタが逆方向負荷電流を受取る場合に、ＧＣＴのゲートに現れる負電圧によってダウンコンバータが損傷されるのを防止するために、ＦＥＴを有する電流リミッタが使用される。 - 特許庁

A diode 4 is a reverse blocking rectifier diode and is connected in series to an insulated gate bipolar transistor IGBT3 in an orientation such that a forward current flows to the diode 4 when the IGBT3 is turned on.例文帳に追加

ダイオード４は逆阻止用の整流ダイオードであり、ＩＧＢＴ３がオン状態になるとダイオード４に順方向電流が流れる向きで、ＩＧＢＴ３に直列接続されている。 - 特許庁

A diode 40 is provided on the semiconductor substrate, and electrically connects a gate terminal 31 and the first main electrode 21 to each other in an orientation so that transmission of a gate signal to the first main electrode 21 is reverse current.例文帳に追加

ダイオード４０は、半導体基板上に設けられており、ゲート信号の第１の主電極２１への伝搬が逆方向電流となるような向きでゲート端子３１および第１の主電極２１の間を互いに電気的に接続している。 - 特許庁

To provide a semiconductor device on which a reverse bias leak current is reduced in a thin film insulated gate field-effect transistor to be used for an active matrix electric optical device, and to provide a manufacturing method of the semiconductor device.例文帳に追加

アクティブマトリクス型電気光学装置に用いる薄膜絶縁ゲート型電解効果トランジスタにおいて、逆バイアス時のリ−ク電流を減少せしめた半導体装置とその作製方法を提供する。 - 特許庁

Leakage current is prevented, by connecting the source terminal of a switch transistor with the output terminal of an inverter and driving the switch transistor and the inverter with the same signal, thereby applying reverse bias to in between the gate-source, at switch off.例文帳に追加

スイッチトランジスタのソース端子をインバータの出力端子に接続し、スイッチトランジスタとインバータを同一信号で駆動することにより、スイッチオフ時にゲート・ソース間を逆バイアスし、リーク電流を防止する。 - 特許庁