「reverse gate current」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

The semiconductor testing device 1 includes a prober 2, the measuring device 3 and an electronic control device 4, and can perform gate leakage current measurement of a semiconductor element 10, reverse withstand voltage measurement between a gate and a drain, and between the gate and a source, breakdown voltage measurement between the gate and the source, and gate threshold voltage measurement.例文帳に追加

本発明に係る半導体試験装置１は、プローバ２、測定装置３、電子制御装置４を備えており、半導体素子１０のゲート漏れ電流測定、ゲート・ドレイン間およびゲート・ソース間の逆耐圧測定、ゲート・ソース間の降伏電圧測定、およびゲート閾値電圧測定が可能である。 - 特許庁

To provide an insulated-gate bipolar transistor in which a leakage current due to a reverse direction voltage is not easily generated in the insulated-gate bipolar transistor for which a collector electrode film formed on the back surface of the forming surface of a gate electrode film is Schottky-joined to a semiconductor substrate.例文帳に追加

ゲート電極膜の形成面の裏面に形成したコレクタ電極膜を半導体基板にショットキー接合させた絶縁ゲート型バイポーラトランジスタにおいて、逆方向電圧によるリーク電流を発生しにくいものを提供すること。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a reverse block-type insulated gate bipolar transistor capable of securing highly-reliable reverse voltage resistance, and suppressing a leakage current in reverse biasing when manufacturing a reverse block-type IGBT having a separation layer formed along a tapered surface of a V-shaped groove formed by anisotropic etching.例文帳に追加

異方性エッチングで形成したＶ字形の溝のテーパー面に沿って形成される分離層を有する逆阻止型ＩＧＢＴを製造する際に、高信頼性の逆耐圧を確保し逆バイアス時のリーク電流を抑えることが可能な逆阻止型絶縁ゲートバイポーラトランジスタの製造方法を提供すること。 - 特許庁

In this NMOS transistor 10, as a leakage current in the P-N interface is little under a prescribed gate voltage and a reverse short-channel effect is little, the transistor 10 has a large margin to the dimension of a gate length and a prescribed threshold voltage.例文帳に追加

本ＮＭＯＳ１０は、所定ゲート電圧下でｐｎ接合リーク電流が小さく、また、逆短チャネル効果が小さいので、ゲート長の寸法に対する大きなマージンを有しつつ所定のしきい値電圧を示す。 - 特許庁

To provide a semiconductor device that prevents reverse current in the boundary between a diode region and IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) region without blocking heat conduction.例文帳に追加

ダイオード領域とＩＧＢＴ領域の間における熱伝導を阻害することなく、境界部における逆電流を抑制することができる半導体装置を提供する。 - 特許庁

Also, a current limiter, having FETs, is used for protecting the down converter against damage caused by a negative voltage appearing at the gate of the GCT thyristor, when the GCT thyristor receives a reverse direction load current.例文帳に追加

また、ＧＣＴサイリスタが逆方向負荷電流を受取る場合に、ＧＣＴのゲートに現れる負電圧によってダウンコンバータが損傷されるのを防止するために、ＦＥＴを有する電流リミッタが使用される。 - 特許庁

A diode 4 is a reverse blocking rectifier diode and is connected in series to an insulated gate bipolar transistor IGBT3 in an orientation such that a forward current flows to the diode 4 when the IGBT3 is turned on.例文帳に追加

ダイオード４は逆阻止用の整流ダイオードであり、ＩＧＢＴ３がオン状態になるとダイオード４に順方向電流が流れる向きで、ＩＧＢＴ３に直列接続されている。 - 特許庁

A diode 40 is provided on the semiconductor substrate, and electrically connects a gate terminal 31 and the first main electrode 21 to each other in an orientation so that transmission of a gate signal to the first main electrode 21 is reverse current.例文帳に追加

ダイオード４０は、半導体基板上に設けられており、ゲート信号の第１の主電極２１への伝搬が逆方向電流となるような向きでゲート端子３１および第１の主電極２１の間を互いに電気的に接続している。 - 特許庁

To provide a semiconductor device on which a reverse bias leak current is reduced in a thin film insulated gate field-effect transistor to be used for an active matrix electric optical device, and to provide a manufacturing method of the semiconductor device.例文帳に追加

アクティブマトリクス型電気光学装置に用いる薄膜絶縁ゲート型電解効果トランジスタにおいて、逆バイアス時のリ−ク電流を減少せしめた半導体装置とその作製方法を提供する。 - 特許庁

Leakage current is prevented, by connecting the source terminal of a switch transistor with the output terminal of an inverter and driving the switch transistor and the inverter with the same signal, thereby applying reverse bias to in between the gate-source, at switch off.例文帳に追加

スイッチトランジスタのソース端子をインバータの出力端子に接続し、スイッチトランジスタとインバータを同一信号で駆動することにより、スイッチオフ時にゲート・ソース間を逆バイアスし、リーク電流を防止する。 - 特許庁

To reduce an electric field applied to a gate insulating film when a reverse bias is applied, and to reduce the channel resistance while making the distribution of the on current uniform in a semiconductor device having a MOS structure.例文帳に追加

ＭＯＳ構造を有する半導体装置において、逆バイアス印加時にゲート絶縁膜に加わる電界を抑えると共に、チャネル抵抗の低減およびオン電流分布の均一化を図る。 - 特許庁

A voltage VGK between the gate and cathode of the SI thyristor 10 is monitored for preventing the reverse current IR flowing in the SI thyristor 10 and the voltage VGK between the gate, so that the cathode is prevented from exceeding a breakdown point VBR, where the voltage is saturated and becomes flat according to the relationship of nearly first-order monotonous increase.例文帳に追加

ＳＩサイリスタ１０のゲート−カソード間電圧ＶGKをモニタして、ＳＩサイリスタ１０内を流れる逆電流ＩRとゲート−カソード間電圧ＶGKが、略一次の単調増加の関係から飽和して平坦になるブレークダウンポイントＶBRを越えないようにする。 - 特許庁

A reverse current preventive diode is provided on the opposite side of the gate to the separate backup capacitor, so charges of the separate capacitor extracted to lower its potential are prevented when the ignition current is supplied from the backup capacitor to lower the potential of the capacitor.例文帳に追加

そして、該別のバックアップ用コンデンサの前記ゲートと反対の側に逆流防止用ダイオードを設け、前記バックアップ用コンデンサから点火電流が流れて該コンデンサの電位が低下した場合、別のコンデンサの電荷が引き抜かれてその電位が低下しないようにしている。 - 特許庁

Gate leak current can be decreased by tunnel magnetic resistance effect, because the magnetization direction of the ferromagnetic layer 6 in the gate electrode is fixed in substantially the reverse direction to each of the magnetization directions of the first ferromagnetic electrode 3 and the second ferromagnetic electrode 4.例文帳に追加

ゲート電極の強磁性体層６の磁化方向が、第１強磁性体電極３及び第２強磁性体電極４のそれぞれの磁化方向と実質的に反対の方向に固定されているので、トンネル磁気抵抗効果によりゲート・リーク電流を低減化することができる。 - 特許庁

The anode of the photodiode PD and the gate of the transistor T1 are separated in terms of direct current by the capacitor C1, so a reverse bias voltage of the photodiode PD is set with the resistance value of a resistance R2 connected to the source of the transistor T1 irrelevantly to the gate voltage of the transistor T1.例文帳に追加

フォトダイオードＰＤのアノードとトランジスタＴ１のゲートはコンデンサＣ１により直流的に分離されているため、フォトダイオードＰＤの逆バイアス電圧は、トランジスタＴ１のゲート電圧に関わらず、トランジスタＴ１のソースに接続した抵抗Ｒ２の抵抗値により設定される。 - 特許庁

When a rated voltage or higher is applied to a signal line 80 connected from the output side of a control board, a reverse bias is applied between the gate and the source; and a current flow between the drain and the source is cut off.例文帳に追加

制御ボードの出力側から繋がる信号線８０に、定格以上の電圧が印加される場合、ゲート及びソース間に逆バイアスがかかり、ドレイン及びソース間の電流の流れが遮断される。 - 特許庁

The GaN-based semiconductor device 20 has a source electrode 31 and a drain electrode 32 configured such that a current flows between the two electrodes through an active layer 25 in an on-state, a gate electrode 33, and a reverse-surface electrode 34.例文帳に追加

ＧａＮ系半導体装置２０は、オン状態で能動層２５を介して相互間に電流が流れるソース電極３１およびドレイン電極３２と、ゲート電極３３と、裏面電極３４とを備える。 - 特許庁

The GaN-based semiconductor device 20 has a source electrode 31 and a drain electrode 32 configured such that a current flows between the two electrodes through an active layer 25 in an on-state, a gate electrode 33, and a reverse-surface electrode 34.例文帳に追加

ＧａＮ系半導体装置２０は、オン状態で２つの電極間で能動層２５を介して電流が流れるソース電極３１およびドレイン電極３２と、ゲート電極３３と、裏面電極３４とを備える。 - 特許庁

Even when a large current is made to flow through the nMOS14 and a parasitic diode 41 in the circuit 12 is forward- biased, since the diode 51 is made to be reverse-biased and a current is not allowed to flow through the diode 41, the potential of the gate terminal of the nMOS14 is not clamped and the gate terminal and the drain terminal of the MOS14 become the same potential.例文帳に追加

パネル放電の際に大電流がｎＭＯＳ１４に流れ、バッファ回路１２内の寄生ダイオード４１が順バイアスされても、逆阻止ダイオード５１が逆バイアスされることにより、寄生ダイオード４１には電流が流れないので、ｎＭＯＳ１４のゲート端子の電位はクランプされず、ゲート端子とドレイン端子とが同電位になる。 - 特許庁

To provide a transistor and its manufacturing method which prevents a leakage current of the source/drain in the LOCOS or shallow trench isolation(STI) process, improves the refresh characteristics of DRAM to avoid damaging a gate oxide film, and reduces the reverse narrow width effect, junction L/C and GOI to improve the characteristics of the transistor, thereby improving the characteristics and the yield of the element.例文帳に追加

ロコス（LOCOS）工程やエス・ティー・アイ（Shallow Trench Isolation：STI）工程時にソース／ドレインの漏洩電流（leakage current）発生を防ぎ、DRAMのリフレッシュ（Refresh）特性を向上させてゲート酸化膜の損傷を防ぎ、逆狭小幅効果（reverse narrow width effect）、接合Ｌ／Ｃ及びGOIを減少させてトランジスタの特性を向上させるため、素子の特性及び収率を向上させることが可能な、トランジスタ及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

When a negative voltage (reverse bias) is applied to the gate electrode 103, a hole is induced in the poly-Si layer 107, but a drain current does not flow because the hole can not pass through the a-Si layer 108.例文帳に追加

ゲート電極１０３に負の電圧（逆バイアス）が印加された場合、ｐｏｌｙ−Ｓｉ層１０７には正孔が誘起されるが、この正孔はａ−Ｓｉ層１０８を通過することができないので、ドレイン電流は流れない。 - 特許庁

Furthermore, a p-type stopper layer 64, whose conductivity type is reverse to that of an epitaxial layer 62, is diffused into the surface of the epitaxial layer 62 near a gap between the tips of the gate extension parts 67a of transistors 10 and 20, to shut off a leakage current nearly completely.例文帳に追加

さらに、両トランジスタ１０と２０のゲート延在部６７ａの先端間の隙間付近のエピタキシャル層６２の表面にストッパ層６４をそれとは逆のｐ型で拡散して漏れ電流をほぼ完全に遮断する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device that has good-linearity gate voltage to gate current characteristics by preventing a reverse narrow-channel effect without changing a threshold voltage depending upon the wide or narrow channel width, and is provided with a trench isolation type MISFET with a constitution that can be manufactured without increasing the manufacturing process.例文帳に追加

逆狭チャネル効果を防止することにより、チャネル幅の広狭に依存してしきい値電圧が変動することがなく、また良好な直線性のゲート電圧−ドレイン電流特性を示し、かつ工程数を増やすことなく作製できる構成を有する溝分離型ＭＩＳＦＥＴを備えた半導体装置を提供する。 - 特許庁

When the current due to the discharge of the excitation energy becomes zero and then s made to flow in the reverse direction, the voltage produced in the saturable core 1 prevents the voltage of the third coil 6c from being applied to the gate of the MOSFET2, and causes this to be turned off.例文帳に追加

励磁エネルギの放出による電流がゼロになって、更に逆流しようとしたときに、可飽和コア１に生じる電圧で第３の巻線６ｃの電圧がＭＯＳＦＥＴ２のゲートに加わるのをはばみ、これをターン・オフさせる。 - 特許庁

Power MOS-FETs (Q1, Q2) having a parasitic diode are connected in reverse series and by driving switch-on by a gate voltage higher than a signal voltage used and by driving switch-off by a voltage lower than that, switching of induction load current with stable switch-on resistance is carried out.例文帳に追加

寄生ダイオ−ドをもつパワーMOS-FET（Q1，Q2）を逆直列接続するとともに，扱う信号電圧より高いゲート電圧でオン駆動し低い電圧でオフ駆動することにより，オン抵抗の安定な誘導負荷電流の切り替えを行う。 - 特許庁

Conversely, when a specified voltage V1 is charged to the capacitor 21, and a gate signal is given to the thyristor module 1, and a resonance current 7 is allowed to flow, the capacitance C12 appears, and a voltage V2 is charged between the capacitors 21, 22 in reverse polarity.例文帳に追加

逆にコンデンサ２１に所定の電圧Ｖ１を充電しておき、サイリスタモジュール１にゲート信号を与え共振電流７を流すと静電容量Ｃ１２が現れ、コンデンサ２１とコンデンサ２２との間には逆極性に電圧Ｖ２が充電される。 - 特許庁

The drain and source of an FET 30 are mutually connected in parallel with the resistor 16 and conductive and blocking operation between the drain and the source is executed by a square pulse Vrf having a horizontal deflection period and supplied to its gate, so that the quantity of a forward direction base current Ib1 and that of the reverse direction base current Ib2 are controlled.例文帳に追加

ＦＥＴ３０は、抵抗１６と並列にドレイン・ソース間が接続され、ゲートに供給される水平偏向周期の方形波パルスＶrfによりドレイン・ソース間の導通,遮断動作を行うことにより、水平出力トランジスタ７の順方向ベース電流Ｉb1の量及び逆方向ベース電流Ｉb２の量を制御する。 - 特許庁

An IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor), in which a reversely conductive diode is incorporated in a driving element for supplying a light emission current, and an IGBT, in which a diode having a reverse stop function is incorporated in a driving element for recovering/charging power are mounted on a driving circuit of the plasma display device.例文帳に追加

プラズマディスプレイ装置の駆動回路において、発光電流を供給する駆動素子に逆導通するダイオードを内蔵したＩＧＢＴを、電力を回収・充電する駆動素子に逆阻止機能を有するダイオードを内蔵したＩＧＢＴを搭載する。 - 特許庁

That is, gates of a transistor M1 and a transistor M2 are mutually connected in common, the gate of the transistor M1 and drain are connected in common, the transistor M1 is grounded through a resistance R1, and a source of the transistor M2 is directly grounded to constitute a reverse wide mirror current mirror circuit.例文帳に追加

すなわち、トランジスタＭ１とトランジスタＭ２のゲートが互いに共通接続され、トランジスタＭ１のゲートとドレインは共通接続され、且つ、トランジスタＭ１は抵抗Ｒ１を介して接地され、トランジスタＭ２のソースは直接接地されて、逆ワイドラーカレントミラー回路を構成している。 - 特許庁

The application of the reverse direction bias is performed by only changing a counter electrode and the increase in the breakdown strength of a TFT caused by a voltage rise of a gate signal line driving circuit that is the problem while greatly changing current supply lines and an increase in power consumption are suppressed.例文帳に追加

また、逆方向バイアスの印加は、対向電極のみを変化させることで行い、電流供給線を大きく変化させる際に問題となるゲート信号線駆動回路の電圧上昇によるＴＦＴの耐圧、消費電力の増大を抑えることが出来る。 - 特許庁

A first operating current I2 is supplied to the source connecting node of first and second CMOS transistors MN1 and MN3 of which the source sides are mutually connected, and input pulse signals PI and NI of common mode and reverse mode are applied to each of the gate nodes of the first and second CMOS transistors MN1 and MN3.例文帳に追加

互いにソース側が接続された第１及び第２のＣＭＯＳトランジスタＭＮ１，ＭＮ３のソース接続ノードに第１の動作電流Ｉ２を供給するとともに、上記第１及び第２のＣＭＯＳトランジスタＭＮ１，ＭＮ３の各ゲートノードに正相と逆相の入力パルス信号ＰＩ，ＮＩを与える。 - 特許庁

A high-speed A/D converting device 8 detects three-phase gate signals Pu, Pv, Pw output from a voltage command PWM modulation device 3 and current response values IuRes, IvRes, IwRes conducted to the synchronous machine 5 by a sampling frequency higher than a switching frequency of a reverse converter 4.例文帳に追加

高速Ａ／Ｄ変換手段８で、電圧指令ＰＷＭ変調手段３から出力される３相ゲート信号Ｐｕ、Ｐｖ、Ｐｗと、同期機５に導通される電流応答値ＩｕＲｅｓ、ＩｖＲｅｓ、ＩｗＲｅｓを、逆変換器４のスイッチング周波数よりも高いサンプリング周波数にて検出する。 - 特許庁

More specifically, by detecting that the voltage between the collector and the emitter of a switching element (IGBT) is moderately raised at the time of a low current compared with a normal time, and by increasing a gate-on resistant value at the time of succeeding switching, a switching operation is moderately performed, thus suppressing the surge voltage at FWD reverse restoration and the vibration of the high frequency.例文帳に追加

即ち、低電流時はスイッチング素子（ＩＧＢＴ）のコレクタ・エミッタ間電圧が通常時に比べ緩やかに上昇することを検出して、次のスイッチングではゲートオン抵抗値を大きくすることにより、スイッチング動作を緩やかにして、ＦＷＤ逆回復時のサージ電圧と高周波の振動を抑制する。 - 特許庁

When introducing p-type impurities, a p-n junction diode is formed from this p+ impurity region 13 and n- impurity region 6, so that even if the p-n bonding diode is made conducting by reverse bias and even if a transistor is conducted by applying voltage to a gate electrode 5, no current will flow from a bit line 19 to the source line 17a.例文帳に追加

ｐ型の不純物が導入される場合、このｐ＋不純物領域１３とｎ−不純物領域６とによってｐｎ接合ダイオードが形成されるので、ゲート電極５に電圧を与えてトランジスタを導通させてもこのｐｎ接合ダイオードが逆バイアスされて導通せず、ビット線１９からソース線１７ａへ電流が流れない。 - 特許庁

A reverse current reduction technique is realized, by mounting a circuit to take in a PWM signal, an output signal of the switching regulator and a supply voltage the and an OR gate for outputting a logic signal for controlling the turning ON/OFF of a PMOS buffer positioning at the output.例文帳に追加

逆電流低減技法が、ＰＷＭ信号と、スイッチングレギュレータの出力信号と、供給電圧とを取り入れて、逆電流の流れの開始を知らせるためのロジック信号を出力する回路、および出力に位置するＰＭＯＳバッファのオン／オフを制御するためのロジック信号を出力するＯＲゲートを実装することによって実現される。 - 特許庁