semiconductor equationとは 意味・読み方・使い方

The electron affinity χ1(eV) of the first semiconductor layer, the prohibition band width Eg1(eV) of the first semiconductor layer, the electron affinity χ2(eV) of the second semiconductor layer and the prohibition band width Eg2 of the second semiconductor layer satisfy the following equation (1).例文帳に追加

前記第１の半導体層の電子親和力χ１（ｅＶ）、前記第１の半導体層の禁制帯幅Ｅｇ１（ｅＶ）、前記第２の半導体層の電子親和力χ２（ｅＶ）、及び前記第２の半導体層の禁制帯幅Ｅｇ２が、下記式（１）に示す関係を満たす。 - 特許庁

The electric field distribution in the semiconductor in the course of diffusing the impurities in the semiconductor is found accurately by using the Poisson equation, without having to use the conventionally used simple approximate expression, and the distributions of the impurities are simulated by using electric field values, obtained from the electric field distribution in the electric-field effect term of a diffusion equation.例文帳に追加

従来のように簡略な近似式を用いることなく、半導体の拡散過程における半導体内部の電界分布をポアソン方程式を用いて正確に求め、これによって得られた電界値を拡散方程式内の電界効果項に用いて不純物分布のシミュレーション計算を行なう。 - 特許庁

The nitride-based compound semiconductor referred to in this invention means a compound expressed by the following general equation: In_XGa_YAl_ZN (x+y+z=1, 0≤x≤1, 0≤y≤1, and 0≤z≤1).例文帳に追加

本発明で言う窒化物系化合物半導体とは、一般式Ｉｎ_XＧａ_YＡｌ_ZＮ（ｘ＋ｙ＋ｚ＝１、０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、０≦ｚ≦１）で表される化合物を意味する。 - 特許庁

The eigen function of the semiconductor region 1 and the extended region 4 is divided into the symmetrical eigen function and the contrary symmetrical eigen function to calculate an eigen value equation.例文帳に追加

そこで、半導体領域１及び拡張領域４の固有関数を対称固有関数と反対称固有関数に分割して固有値方程式を計算する。 - 特許庁

The p-type clad layer 7 and the n-type clad layer 9 are formed from a compound semiconductor of a composition equation Mg_zZn_1-zO (0≤z<1) whose band gap energy Eg is larger than the active layer 8.例文帳に追加

また、ｐ型クラッド層７及びｎ型クラッド層９は活性層８よりもバンドギャップエネルギーＥｇが大きな組成式Ｍｇ_ｚＺｎ_１−ｚＯ（０≦ｚ＜１）からなる化合物半導体で形成されている。 - 特許庁

After obtaining the value P1, a junction temperature Tj is obtained by using a following equation: Tj=Rjc×P1+Tc, thereby enabling the heat value and the heat characteristic of the semiconductor element to be measured.例文帳に追加

Ｐ１＝（（Ｔｂ−Ｔｃ）＋Ｒｊｂ×Ｐ）／（Ｒｊｃ＋Ｒｊｂ）Ｐ１が求められたならジャンクション温度Ｔｊを、Ｔｊ＝Ｒｊｃ×Ｐ１＋Ｔｃの式から求めて、半導体素子の発熱量と温度特性の測定ができる。 - 特許庁

In an address generating section of an arithmetic logic operation section, an address of a semiconductor memory storing a test pattern is generated based on the prescribed calculating equation, this address is sent to a shift register 32 for inputting an address, and a test pattern is written in a semiconductor memory by specifying this address.例文帳に追加

算術論理演算部のアドレス発生部にて、テストパターンを格納すべき半導体メモリのアドレスを所定の演算式に基づいて発生させ、かかるアドレスをアドレス入力用シフトレジスタ３２に送り、このアドレスの指定により半導体メモリにテストパターンが書き込まれる。 - 特許庁

An integral value calculating part 17 is provided wherein the carrier generation/extinction speed acquired by numerically solving a physical equation is integrated for each carrier generation/extinction mechanism in a semiconductor region or outputting an integral value.例文帳に追加

物理方程式を数値的に解くことにより得られるキャリア生成・消滅速度を、半導体領域内でキャリア生成・消滅機構毎に積分し、積分値を出力する積分値計算部１７を具備する。 - 特許庁