「semiconductor equation」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

On the basis of the variation distribution of process sensitivity parameters, the characteristics distribution of the semiconductor integrated circuits is extracted by mathematical analysis using a polynomial equation.例文帳に追加

プロセス感度パラメータのばらつき分布に基づいて、多項式を用いた数学的解析により半導体集積回路の特性分布を抽出する。 - 特許庁

The organic thin film transistor having an organic semiconductor layer wherein the organic semiconductor layer includes a fluorinated acene compound which is represented by an equation C_4n+2F_2n+4, where n is an integer of 2 or over.例文帳に追加

有機半導体層を有する有機薄膜トランジスタにおいて、有機半導体層は、式Ｃ_４ｎ十２Ｆ_２ｎ十４で表され、ｎが２以上の整数であるフッ素化アセン化合物を含む。 - 特許庁

The electron affinity χ1(eV) of the first semiconductor layer, the prohibition band width Eg1(eV) of the first semiconductor layer, the electron affinity χ2(eV) of the second semiconductor layer and the prohibition band width Eg2 of the second semiconductor layer satisfy the following equation (1).例文帳に追加

前記第１の半導体層の電子親和力χ１（ｅＶ）、前記第１の半導体層の禁制帯幅Ｅｇ１（ｅＶ）、前記第２の半導体層の電子親和力χ２（ｅＶ）、及び前記第２の半導体層の禁制帯幅Ｅｇ２が、下記式（１）に示す関係を満たす。 - 特許庁

The electric field distribution in the semiconductor in the course of diffusing the impurities in the semiconductor is found accurately by using the Poisson equation, without having to use the conventionally used simple approximate expression, and the distributions of the impurities are simulated by using electric field values, obtained from the electric field distribution in the electric-field effect term of a diffusion equation.例文帳に追加

従来のように簡略な近似式を用いることなく、半導体の拡散過程における半導体内部の電界分布をポアソン方程式を用いて正確に求め、これによって得られた電界値を拡散方程式内の電界効果項に用いて不純物分布のシミュレーション計算を行なう。 - 特許庁

The nitride-based compound semiconductor referred to in this invention means a compound expressed by the following general equation: In_XGa_YAl_ZN (x+y+z=1, 0≤x≤1, 0≤y≤1, and 0≤z≤1).例文帳に追加

本発明で言う窒化物系化合物半導体とは、一般式Ｉｎ_XＧａ_YＡｌ_ZＮ（ｘ＋ｙ＋ｚ＝１、０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、０≦ｚ≦１）で表される化合物を意味する。 - 特許庁

The eigen function of the semiconductor region 1 and the extended region 4 is divided into the symmetrical eigen function and the contrary symmetrical eigen function to calculate an eigen value equation.例文帳に追加

そこで、半導体領域１及び拡張領域４の固有関数を対称固有関数と反対称固有関数に分割して固有値方程式を計算する。 - 特許庁

The p-type clad layer 7 and the n-type clad layer 9 are formed from a compound semiconductor of a composition equation Mg_zZn_1-zO (0≤z<1) whose band gap energy Eg is larger than the active layer 8.例文帳に追加

また、ｐ型クラッド層７及びｎ型クラッド層９は活性層８よりもバンドギャップエネルギーＥｇが大きな組成式Ｍｇ_ｚＺｎ_１−ｚＯ（０≦ｚ＜１）からなる化合物半導体で形成されている。 - 特許庁

After obtaining the value P1, a junction temperature Tj is obtained by using a following equation: Tj=Rjc×P1+Tc, thereby enabling the heat value and the heat characteristic of the semiconductor element to be measured.例文帳に追加

Ｐ１＝（（Ｔｂ−Ｔｃ）＋Ｒｊｂ×Ｐ）／（Ｒｊｃ＋Ｒｊｂ）Ｐ１が求められたならジャンクション温度Ｔｊを、Ｔｊ＝Ｒｊｃ×Ｐ１＋Ｔｃの式から求めて、半導体素子の発熱量と温度特性の測定ができる。 - 特許庁

In an address generating section of an arithmetic logic operation section, an address of a semiconductor memory storing a test pattern is generated based on the prescribed calculating equation, this address is sent to a shift register 32 for inputting an address, and a test pattern is written in a semiconductor memory by specifying this address.例文帳に追加

算術論理演算部のアドレス発生部にて、テストパターンを格納すべき半導体メモリのアドレスを所定の演算式に基づいて発生させ、かかるアドレスをアドレス入力用シフトレジスタ３２に送り、このアドレスの指定により半導体メモリにテストパターンが書き込まれる。 - 特許庁

An integral value calculating part 17 is provided wherein the carrier generation/extinction speed acquired by numerically solving a physical equation is integrated for each carrier generation/extinction mechanism in a semiconductor region or outputting an integral value.例文帳に追加

物理方程式を数値的に解くことにより得られるキャリア生成・消滅速度を、半導体領域内でキャリア生成・消滅機構毎に積分し、積分値を出力する積分値計算部１７を具備する。 - 特許庁

The metal circuit board 3 is attached to the upper face of a ceramic board 1, a projection part 3a mounting a semiconductor element 5 is formed on the upper face of the metal circuit board 3, and the projection part 3a satisfies the following equation.例文帳に追加

セラミック基板１の上面に金属回路板３を取着するとともに該金属回路板３の上面に半導体素子５が載置される凸部３ａを形成して成り、前記凸部３ａが下記式を満足する。 - 特許庁

From these detected values Sp, Ss and a recording power Pw1 outputted from an objective lens of an optical head by laser beams from a semiconductor laser element at the time of recording, an index Rm for detecting the recorded state of the optical disk is obtained by the equation Rm=Sp/Ss/Pw12.例文帳に追加

そして、これらの検出値Ｓｐ，Ｓｓと、記録時に半導体レーザ素子からのレーザ光が光ヘッドの対物レンズから出射される記録パワーＰｗ１とから、Ｒｍ＝Ｓｐ／Ｓｓ／Ｐｗ１^２によって光ディスクの記録状態を検出する指数Ｒｍを求める。 - 特許庁

The element surface protective film 15 is so designed as to satisfy the equation: E t&ap;Esub tsub, wherein E is the Young's modulus of the element surface protective film 15 and t its thickness, and Esub is the Young's modulus of the semiconductor substrate 2 and tsub its thickness.例文帳に追加

また、素子表面保護膜１５は、素子表面保護膜１５のヤング率をＥ、膜厚をｔとして、半導体基板２のヤング率をＥｓｕｂ、膜厚をｔｓｕｂとしたとき、Ｅ・ｔ≒Ｅｓｕｂ・ｔｓｕｂを満たすように設計される。 - 特許庁

All formulae (comprising also a formula for a flow rate and the same for a boundary condition) in a diagram summarizing 5 sets of multi-accelerations flow definitions in addition to a one-dimensional Poisson equation are employed whereby the electric characteristics and the distribution of electric characteristics in the semiconductor device are estimated.例文帳に追加

1次元ポアソン方程式に併せて、5つの多重加速流定義をまとめた図８中のすべての式（流速の式と境界条件の式も含む）を用いることによって、半導体デバイス内部の電気的特性並びに電気的特性分布を推定する。 - 特許庁

Then, a recording power Pw1 of a laser beam from a semiconductor laser element emitted from an objective lens of an optical head at the recording time and the coefficient n are added to the above detected values Sp, Ss to obtain the index Rm for detecting the recorded state of the optical disk by equation Rm=Sp/Ss/Pw1^n.例文帳に追加

そして、これらの検出値Ｓｐ，Ｓｓに、記録時に半導体レーザ素子からのレーザ光が光ヘッドの対物レンズから出射される記録パワーＰｗ１と係数ｎとを加え、Ｒｍ＝Ｓｐ／Ｓｓ／Ｐｗ１^ｎによって光ディスクの記録状態を検出する指数Ｒｍを求める。 - 特許庁

The semiconductor device comprises a transistor Tr5 to be analyzed, and peripheral transistors Tr1-Tr4 and Tr6-Tr9, which are arranged as mirror images of the transistor to be analyzed, wherein thermal insulation boundary conditions of heat conduction equation are established around the transistor Tr5 to be analyzed by applying a predetermined voltage to the peripheral transistors Tr1-Tr4 and Tr6-Tr9.例文帳に追加

解析対象のトランジスタＴｒ５と、解析対象のトランジスタに対して鏡像関係で配置された周辺トランジスタＴｒ１〜Ｔｒ４及びＴｒ６〜Ｔｒ９とを備え、周辺トランジスタＴｒ１〜Ｔｒ４及びＴｒ６〜Ｔｒ９に所定の電圧を印加して解析対象のトランジスタＴｒ５の周囲に熱伝導方程式の断熱境界条件を成立させるようにした。 - 特許庁

In a simulation method of a semiconductor device containing a hetero interface in an information processing apparatus, a carrier current density in a vertical direction to the hetero interface in the vicinity of the hetero interface is calculated by weight-averaging a carrier current density represented based on a drift diffusion equation and a carrier current density represented based on a thermoelectronic emission condition or a thermoelectronic/field emission condition (S04, S05).例文帳に追加

情報処理装置におけるヘテロ界面を含む半導体デバイスのシミュレーション方法であり、ヘテロ界面近傍において、当該ヘテロ界面に垂直な方向のキャリア電流密度を、ドリフト拡散方程式に基づいて表されるキャリア電流密度と熱電子放出条件又は熱電子・電界放出条件に基づいて表されるキャリア電流密度とを加重平均したものとして演算する（Ｓ０４，Ｓ０５）。 - 特許庁