sic surface thermalとは 意味・読み方・使い方

The method includes the following steps: (a) applying laser treatment to the SiC surface by superposing laser impacts for the purpose of increasing the roughness of the surface; and (b) depositing a coating 30 on the SiC surface by atmospheric thermal spraying.例文帳に追加

方法は、（ａ）上記表面の粗さを増加させる目的で、レーザー衝突を重ねることにより、ＳｉＣ表面にレーザー処理を適用するステップと、（ｂ）常圧溶射によってＳｉＣ表面上にコーティング（３０）を堆積するステップと、を含む。 - 特許庁

To provide an electrode for p-type SiC wherein surface morphology is superior and thermal damage to a semiconductor crystal layer which is caused by formation of an electrode is little.例文帳に追加

表面モホロジーが良好で、電極の形成に伴う半導体結晶層への熱的損傷が少ないｐ型ＳｉＣ用電極を提供する。 - 特許庁

To provide a method for forming a single crystal SiC by carbonization of a surface of a Si substrate allowing formation of a high quality single crystal 3C-SiC thin film on the surface of the Si substrate by using atmospheric pressure plasma at a lower temperature and a higher speed as compared with a conventional thermal method, and to provide a crystalline SiC substrate.例文帳に追加

大気圧プラズマを用いて、従来の熱的な手法に比べ、より低温で、かつ、より高速に高品位な単結晶３Ｃ-ＳｉＣ薄膜をＳｉ基板上に形成することが可能なＳｉ基板表面の炭化による単結性ＳｉＣの形成方法及び結晶性ＳｉＣ基板を提供する。 - 特許庁

After introducing nitrogen ions 4 into the surface of a p-type SiC substrate 1, the nitrogen atoms present in an impurity-doped layer 6 are made to diffuse toward the rear surface of the SiC substrate 1, by increasing the number of the interstitial silicon atoms of the SiC substrate 1 by its thermal oxidation, so as to form an n-type impurity diffusion layer 7.例文帳に追加

ｐ型ＳｉＣ基板１の表面に窒素イオン４を導入した後、熱酸化によってＳｉＣ基板１の格子間シリコン原子の数を増加させることにより、不純物ドーピング層６の窒素をＳｉＣ基板１の裏面に向かって拡散させて、ｎ型不純物拡散層７を形成する。 - 特許庁

The metal having its surface coated with the ceramic includes: a metal containing chromium; a buffer layer which is located on the top of the metal and has an intermediate coefficient of thermal expansion between those of the metal and an SiC coating layer; and the SiC coating layer located on the top of the buffer layer.例文帳に追加

本発明による表面にセラミックがコーティングされた金属は、クロムを含む金属と、前記金属の上部に位置してその金属とＳｉＣコーティング層の中間熱膨脹係数を有するバッファー層と、前記バッファー層の上部に位置するＳｉＣコーティング層と、を含む。 - 特許庁

On the outer-periphery surface of the SiC pipes 1 and 2, a platinum thin film being formed to a uniform film thickness by barrel sputtering is formed in a spiral shape with fixed width by laser trimming, and thermal coils R1 and R2 are provided.例文帳に追加

このような、ＳｉＣパイプ１、２の外周面には、バレルスパッタリングにより均一な膜厚に形成された白金薄膜をレーザトリミングで一定幅の螺旋状に成形して、感熱コイルＲ１、Ｒ２が設けられている。 - 特許庁

To provide a metal having its surface coated with a ceramic, and to provide a manufacturing method therefor which can coat a metal having a relatively low melting point with pure SiC and can inhibit the occurrence of exfoliation due to the difference of the coefficient of thermal expansion between the metal and the ceramic.例文帳に追加

溶融点が相対的に低い金属に純粋ＳｉＣをコーティングすることができ、熱膨脹係数差による薄利などの発生を防止することができる、表面にセラミックがコーティングされた金属を提供する。 - 特許庁