solid-state plasmaとは 意味・読み方・使い方

To provide a method of generating radiation light from laser plasma having a means of supplying a material existing in a solid state at room temperature for a long period by a simple device operating with simple adjustment, and a laser plasma radiation light generating device using the above method.例文帳に追加

簡便な調整で動作する簡易な装置により、室温では固体で存在する材料を長時間連続に供給する手段を備えたレーザープラズマから輻射光を発生させる方法、該方法を用いたレーザープラズマ輻射光発生装置を提供することを目的とする。 - 特許庁

In a region where plasma treatment is performed by introducing gas containing fluorine as a constitutive element as the material gas of etching, the plasma of gas containing fluorine is caused to react on carbon 112 under a solid state to generate molecular chemical species of CF_4, CF_2, CF_3, C_2F_4, and the like, used for etching.例文帳に追加

エッチングの原料ガスとして、フッ素を構成元素とするガスを導入し、プラズマ処理するその領域で、固体の状態の炭素１１２にフッ素を含むガスのプラズマを反応させ、ＣＦ_4やＣＦ_2、ＣＦ_3、Ｃ_2Ｆ_4などの分子状の化学種を生成し、この化学種でエッチングする。 - 特許庁

To provide a method for exciting and/or ionizing a material utilizing plasma as an excitation and/or ion source, capable of obtaining high excitation efficiency and ionization efficiency regardless of a material state (in other words, solution state, solid state, composition, size, or the like).例文帳に追加

物質の状態（つまり、溶液状態か固体状態か、組成、または大きさ等）に関わらず、高い励起効率とイオン化効率を得ることができる、プラズマを励起および／またはイオン源とした物質の励起および／またはイオン化方法、およびこの励起方法を利用した分析方法と分析装置を提供する。 - 特許庁

To provide a solid-state image sensor in which an area over a photodiode is prevented from being exposed to a plasma; the flexibility in the thickness of a sidewall film used also as a reflection preventing film is enhanced; and the film thickness of the reflection preventing film is optimized despite the deposited film thickness to enhance the responsivity at the photodiode.例文帳に追加

フォトダイオード上をプラズマに晒さないようにし、反射防止膜と兼用化するサイドウォール膜厚の自由度を増やし、デポ膜厚によらず、反射防止膜の膜厚最適化を図り、フォトダイオードでの受光感度を向上させる。 - 特許庁

A silicon nitriding film formed by a plasma CVD method exists on the peripheral circuit part 24 of the outside of at least an imaging area 23, and a solid-state imaging element 1 without having the silicon nitriding film is constituted on the sensor part 11 of the imaging area 23.例文帳に追加

少なくとも撮像領域２３外の周辺回路部２４上に、プラズマＣＶＤ法により形成されたシリコン窒化膜を有し、撮像領域２３内のセンサ部１１上にはこのシリコン窒化膜を有しない固体撮像素子１を構成する。 - 特許庁

Instead of a conventional method for thinning the SOI wafer accompanying an etching stop, a method including a step of measuring thickness of a semiconductor wafer layer from its mirror finished surface to the solid-state image sensor and a step of plasma-etching the semiconductor wafer layer from the mirror finished surface to a predetermined thickness while controlling the plasma-etching amount based on the residual thickness data, is adopted.例文帳に追加

エッチングストップを伴った従来法のＳＯＩウェーハの薄膜化に代えて、半導体ウェーハ層の鏡面化された面から固体撮像素子までの厚さを測定し、その残厚データに基づき、半導体ウェーハ層を、その鏡面化された面から所定厚さまで、プラズマエッチング量を制御してプラズマエッチングする方法を採用した。 - 特許庁

The substrate processing apparatus includes a processing chamber 1 having a substrate supporting part for supporting a member 18 to be etched and a substrate, a gas supply unit for supplying halogen gas so as to allow the member to be etched in the processing chamber to be exposed therewith, a plasma generation unit for making the supplied gas in a plasma state, and a power source for applying the DC current to a solid metal as the member to be etched.例文帳に追加

被エッチング部材１８及び基板を支持する基板支持部を有する処理室１と、前記処理室内の前記被エッチング部材にハロゲンガスを晒すように供給するガス供給部と、前記供給されたガスをプラズマ状態とするプラズマ生成部と、前記被エッチング部材である固体金属に直流電流を印加する電源とを有する。 - 特許庁

The solid-state imaging element 1 includes: a semiconductor layer 2 where a photodiode for performing photoelectric conversion is formed; a silicon oxide film 21 formed, by using plasma, on the semiconductor layer 2 at least in the region where the photodiode is formed; and a film 22 formed on the silicon oxide film 21 and having negative fixed electric charge.例文帳に追加

光電変換が行われるフォトダイオードが形成された半導体層２と、少なくともフォトダイオードが形成された領域の半導体層２上に、プラズマを用いて形成された酸化シリコン膜２１と、この酸化シリコン膜２１上に形成された負の固定電荷を有する膜２２とを含む固体撮像素子１を構成する。 - 特許庁