spin coefficientとは 意味・読み方・使い方

To provide a golf ball of a composition that achieves desired spin performance, feeling, and reflection coefficient by applying acid copolymer.例文帳に追加

酸コポリマーを適用して、所望のスピン性能、フィーリング、反発係数を実現する構造のゴルフボールを提供する。 - 特許庁

To provide a golf ball which has an excellent feel of hitting the ball and has a high repulsion coefficient, excellent spin characteristics (controllability) and an excellent scratching resistance in an iron shot.例文帳に追加

優れた打球感を有し、高い反発係数、スピン特性（コントロール性）に優れている上、アイアンショットでの耐擦過傷性に優れたゴルフボールを提供する。 - 特許庁

For forming sidewall spacer films necessary for forming an LDD structure, coating-of an insulative liquid having a high-viscosity coefficient, such as a SOG (spin on glass) liquid, is performed on the surface of the substrate 21 including the films 27 and the oxide film 23 and a flat SOG film 28 is formed.例文帳に追加

ＬＤＤ構造を形成するために必要なサイド・ウォール・スペーサ膜を形成すべく、絶縁性の高粘性係数をもった液体、例えばＳＯＧ（Spin On Glass）の塗布を行い、平坦なＳＯＧ膜（２８）を形成する。 - 特許庁

To provide a polyimide compound with small linear expansion coefficient in which film formation by spin coat or the like is possible, a manufacturing method therefor, an optical film and a light waveguide path, obtained from the compound.例文帳に追加

スピンコート等による製膜が可能であり、線膨張係数の小さいポリイミド化合物およびその製法、その化合物より得られる光学フィルム・光導波路を提供する。 - 特許庁

To provide a spin valve sensor using one or a plurality of in situ oxide film as a cap layer or a gap layer in order to increase the GMR coefficient and to improve temperature stability.例文帳に追加

ＧＭＲ係数の増加及び温度安定度の改良を得るために１つ又は複数のインサイチュ酸化膜をキャップ層又はギャップ層として使用するスピンバルブ・センサを提供する。 - 特許庁

The spin valve sensor has a lower structure arranged to increase the GMR coefficient utilizing a seed layer arrange crystallographically in one embodiment or utilizing an improved pin anchor layer in other embodiment.例文帳に追加

スピン・バルブ・センサの下部構造は、一実施態様では結晶学的に配置されたシード層の利用によって、また他の実施態様では改善されたピン留め層の利用によって、ＧＭＲ係数を高めるように構成されている。 - 特許庁

Furthermore, the Co_2Mn(Ge_1-xSn_x) alloy is hard to disperse in a nonmagnetic material layer, for improved spin-dependent interface dispersion coefficient γ at the interface between the free magnetic layer or fixed magnetic layer and the nonmagnetic material layer.例文帳に追加

また、Ｃｏ_２Ｍｎ（Ｇｅ_１−ｘＳｎ_ｘ）合金が非磁性材料層に拡散しにくくなり、フリー磁性層又は固定磁性層と非磁性材料層の界面におけるスピン依存界面散乱係数γが向上する。 - 特許庁

A correction coefficient is calculated based on a spin speed error, and it is applied to at least one data transfer parameter such as a channel reference frequency or read/write gate activation timing before it is applied to a subsequent data transfer process.例文帳に追加

回転速度エラーに基づいて補正係数を計算し且つ爾後のデータ転送処理に適用する前に、チャンネル基準周波数又は読取／書込ゲート活性化タイミング等の少なくとも１つのデータ転送パラメータに対して適用する。 - 特許庁