spin orientationとは 意味・読み方・使い方

To provide a grinding device capable of spin cleaning an irregular-shaped wafer, having a plurality of orientation flats formed thereon, by appropriately holding the wafer.例文帳に追加

複数のオリエンテーションフラットが形成されている異形状のウェーハを適切に保持してスピン洗浄することができる研削装置を提供する。 - 特許庁

When spin polarized electrons are injected in the lamination direction, orientation of magnetization of the storage layer changes and recording of information is carried out.例文帳に追加

そして積層方向にスピン偏極した電子を注入することにより、記憶層の磁化の向きが変化して情報の記録が行われる。 - 特許庁

To provide a basic element technology of a novel magnetization orientation control method which can be deployed to a new spin function element and can be operated while saving power.例文帳に追加

新しいスピン機能素子への展開が可能な、省電力で動作可能な新しい磁化配向制御方法の基本要素技術を提供する。 - 特許庁

To improve crystal orientation of a backed layer in the structure of a spin valve type thin-film magnetic element for improved resistance change factor and also to reduce coercive force of a free magnetic layer adjoining the backed layer for improved soft-magnetic characteristics and detection sensitivity.例文帳に追加

本発明はスピンバルブ型の薄膜磁気素子の構造のバックド層の結晶配向性を良好にして抵抗変化率の向上を図ることを目的とする。 - 特許庁

In both end sections of the memory device MM1, a fixed layer 1, the direction of magnetization fixed in one direction, and a free layer 2 with changeable, the direction of magnetizing orientation when the spin-polarized electrons flow in, are respectively included by using a carbon nanotube 10 as one constituent unit and the central part of the tube 10 in the axial direction as a spin conductive layer 3.例文帳に追加

カーボンナノチューブ１０を１構成単位とし、その軸方向における中央部をスピン伝導層３とし、両端部に、磁化配向が一定方向に固定された固定層１，偏極スピン電子の流入によって磁化配向が変化する自由層２がそれぞれ内包されている。 - 特許庁

To form a ferroelectric thin film having an orientation property equal to that of one film-formed by a sputtering method, an MOCVD method or the like, by a coating method such as a spin coating method or an MOD method at a low cost.例文帳に追加

スパッタリング法やＭＯＣＶＤ法などで成膜したのと同等の配向性を有した強誘電体薄膜を、スピンコート法、ＭＯＤ法などの塗布法で安価に成膜することを可能にする。 - 特許庁

Since a grain boundary junction can be realized by simply inserting the orientation converting layer, production is facilitated even in case of a complex high spin polarization material and an excellent magnetoresistive element can be provided stably.例文帳に追加

また方位変換層を挿入するだけで粒界接合が実現できるので、複雑な高スピン分極材料の場合にも作製が容易であり、優れた磁気抵抗素子を安定に提供できる。 - 特許庁

To provide a magnetic spin-torque memory cell, often referred to as a magnetic tunnel junction cell, which has magnetic anisotropies (i.e., magnetization orientation) of an associated ferromagnetic layer aligned perpendicular to a wafer plane, or "out-of-plane", and a method of utilizing them.例文帳に追加

関連の強磁性層の磁気異方性（すなわち、磁化方向）をウェハ面に垂直にまたは「面外に」位置合わせさせた、しばしば磁気トンネル接合セルと称される磁気スピントルクメモリセル、およびそれらを利用する方法を提供する。 - 特許庁