trench diggingとは 意味・読み方・使い方

The lower part of the rotating shaft 41 is provided with a spiral trench excavating blade 46 for digging up soil in a field.例文帳に追加

回転軸41の下部には、圃場の土を掘り上げる螺旋状の溝掘刃46を設ける。 - 特許庁

The trench digging body has a rotary shaft projecting obliquely downward and inward from the second transmission case 33 and a plurality of trench digging claws rotating together with the rotary shaft.例文帳に追加

溝掘体は、第２伝動ケース33から斜め下内側方に向かって突出する回転軸と、この回転軸とともに回転する複数の溝掘爪とを有する。 - 特許庁

A guide trench A is provided, a guide rail C is constructed, a work for digging a trench D is advanced, a digging bar is pulled out, a unit wall 2 of a double wall type diaphragm wall is put into the trench, an upper unit wall 5 is piled on a lower unit wall 2, and part of the first stage of the diaphragm wall is completed.例文帳に追加

案内溝Ａを設け、案内レールＣを設備し、溝Ｄを掘る施工を進行し、掘り棒を引き抜き、一個の二重壁式の連続壁の単位壁２を溝の中に入れ、上単位壁５を下単位壁２の上に積み重ね、第一段階の連続壁の一部分が施工を完了する。 - 特許庁

Moreover, a gate trench of a step shape of formed by digging the part of the upper surface side of the semiconductor device 100 is provided.例文帳に追加

また，半導体装置１００の上面側の一部を掘り込むことで形成された段差状のゲートトレンチが設けられている。 - 特許庁

In the semiconductor device 1, a trench for a capacitance element 21 is formed by digging down from a surface of a third insulating film 8 to a second insulating film 6.例文帳に追加

半導体装置１では、容量素子用溝２１が、第３絶縁膜８の表面から第２絶縁膜６まで掘り下げて形成されている。 - 特許庁

A solidifying liquid agent is supplied from a liquid line 68 while digging the earth 3, mixed with dug earth to solidify it to form the trench wall.例文帳に追加

掘削と同時に固化性液を液ライン６８より供給し、削られた土壌と混合して、硬化させ、溝壁を形成する。 - 特許庁

The circular diffraction grating 140 includes a grid formed by digging a fixed trench and adjusts the transmissivity, according to polarization direction of light by modulating spacing of the grid and depth of the trench.例文帳に追加

円形回折格子１４０は、一定した溝を掘って形成された格子を有し、格子の間隔と溝の深さとを調節して光の偏光方向による透過率を調節する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device which prevents variations in film thicknesses of the peripheral nitride films of the trench from being generated by etching in digging deeply a trench up to a depth for complete separation so that variations in film thicknesses of the element separating films are suppressed.例文帳に追加

トレンチを完全分離の深さに深掘する際のエッチングによって、当該トレンチの周辺の窒化膜の膜厚にばらつきが生じることを抑制し、これにより素子分離膜の膜厚のばらつきを抑制する半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁