wloとは 意味・読み方・使い方

Word lines WLO-3, selection gate lines SGDO-3 and SGSO-3 are all floated.例文帳に追加

これにより、ワード線ＷＬ０〜３、選択ゲート線ＳＧＤ０〜３、及びＳＧＳ０〜３は全てフローティング状態にされる。 - 特許庁

The shoulder lateral channel 5 includes a first shoulder lateral channel 6 having large channel width WLo in the peripheral direction at the tread ground contact end E and a second shoulder lateral channel 7 whose channel width WSo in the peripheral direction at the tread ground contact end E is smaller than channel width WLo of the first shoulder lateral channel 6.例文帳に追加

ショルダ横溝５は、トレッド接地端Ｅにおける周方向の溝幅ＷＬｏが大きい第１のショルダ横溝６と、トレッド接地端Ｅにおける周方向の溝幅ＷＳｏが第１のショルダ横溝６の溝幅ＷＬｏよりも小さい第２のショルダ横溝７とを含む。 - 特許庁

Communicating part channel width ratio which is ratio of channel width WLi to WSi (WLi/WSi) in the peripheral direction in communicating parts 6i, 7i of the first and second shoulder lateral channels 5, 7 with the shoulder longitudinal channel 4 is smaller than ground contact end channel width ratio which is ratio of the channel width WLo to WSo (WLo/WSo).例文帳に追加

第１、第２のショルダ横溝５、７のショルダ縦溝４との連通部６ｉ、７ｉにおける周方向の溝幅ＷＬｉ、ＷＳｉの比（ＷＬｉ／ＷＳｉ）である連通部溝巾比を、前記溝幅ＷＬｏ、ＷＳｏの比（ＷＬｏ／ＷＳｏ）である接地端溝幅比よりも小とする。 - 特許庁

A memory cell array is disclosed in which a voltage level of a common plate line of the memory cell connected to a word line WLO is made to change from a voltage VPL to a voltage (VPL-ΔVPL) lower than the VPL in a period T6, while a voltage level of the word line WLO lies in a voltage VPA which is the selection state of the memory cell.例文帳に追加

本発明のメモリセルアレイでは、期間Ｔ６において、ワード線ＷＬ０の電圧レベルがメモリセルの選択状態である電圧ＶＰＡにある間に、このワード線に接続されたメモリセルの共通プレート線の電圧レベルを電圧ＶＰＬからそれよりも低い電圧（ＶＰＬ−ΔＶＰＬ）に変化させる。 - 特許庁

After the voltage level of the word line WLO becomes the non-selection state of the memory cell, the voltage level of the plate line is made to return to the voltage VPL from the voltage (VPL-ΔVPL).例文帳に追加

そして、ワード線ＷＬ０の電圧レベルがメモリセルの非選択状態になった後に、プレート線の電圧レベルを電圧（ＶＰＬ−ΔＶＰＬ）から電圧ＶＰＬに戻す。 - 特許庁

Then, the potential of the channel is boosted by applying a potential Vpass from the row control circuit to wordlines WL1 to SL3 and a potential Vpgm to a wordline WLO.例文帳に追加

その後、チャネルの電位は、ロウ制御回路からワード線ＷＬ１〜ＷＬ３にＶｐａｓｓ電位が、ワード線ＷＬ０にＶｐｇｍ電位が、それぞれ印加されることにより、ブーストアップされる。 - 特許庁

Thus, the word lines WLO-3, selection gate lines SGDO-3 and SGSO-3 enter a state to be charged to voltages V_WLR, V_SGDR, V_SGSR from the floating state.例文帳に追加

これにより、ワード線ＷＬ０〜３、選択ゲート線ＳＧＤ０〜３、及びＳＧＳ０〜３はフローティング状態から、電圧Ｖ_ＷＬＲ、Ｖ_ＳＧＤＲ、Ｖ_ＳＧＳＲを充電される状態に切り替わる。 - 特許庁