「"雑音強度"」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

雑音強度が非常に高い場合にも、変調されたディジタル信号の中から所定のデータ列を検出することを目的とする。例文帳に追加

To detect a prescribed data string from a modulated digital signal even when the strength of noise is very high. - 特許庁

ＧａＮの良好な結晶成長性を損なうことなく、相対雑音強度特性の低下を抑えることのできる半導体レーザ素子を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor laser element in which lowering of relative noise field intensity characteristics can be suppressed without sacrifice of good crystal growth performance of GaN. - 特許庁

振幅制御部は、切り出した帯域雑音信号の振幅と帯域パルス信号の振幅とを帯域雑音強度に応じて変更する。例文帳に追加

An amplitude control part changes the amplitude of an extracted band noise signal and the amplitude of the band pulse signal according to the band noise intensity. - 特許庁

復調されたマルチキャリア信号の雑音強度を最小化する、受信機ウィンドウ設計アルゴリズム（２０）を提供することを目的とする。例文帳に追加

To provide the receiver window design algorithm (20), that is developed which minimizes the noise power of a demodulated multicarrier signal. - 特許庁

低出力時においても相対雑音強度が小さい半導体発光装置を実現できるようにする。例文帳に追加

To realize a semiconductor light emitting device whose relative noise intensity is rather small even when its output power is low. - 特許庁

Ｓ／Ｎ比信号生成部５０は、音声強度信号Ｅｓ−ｋ（ｋ＝１〜ｍ）と雑音強度信号Ｅｎ−ｋ（ｋ＝１〜ｍ）からＳ／Ｎ比信号を演算する。例文帳に追加

An S/N signal generation part 50 computes an S/N signal from the sound intensity signals Es-k (k=1 to m) and noise intensity signals En-k (k=1 to m). - 特許庁

その各トランジスタが飽和領域で発生する所定の低周波におけるドレイン電流雑音強度を、ドレイン電圧が所定値の下でゲート電圧を変化させて測定する（Ｓ２）。例文帳に追加

The intensity of drain current noise of a specified low frequency that each transistor generates in it saturation area is measured while a drain voltage has a specified value and a gate voltage is varied (S2). - 特許庁

例えば、半導体装置の電源／ＧＮＤ端子毎、または所定の電源／ＧＮＤ端子のグループの電源雑音強度または対策優先度を開示した半導体装置を提供する。例文帳に追加

There is provided, for example, a semiconductor device in which power supply noise intensity or countermeasure priority is set for each power supply or GND terminal, or each group of power supply terminals or GND terminals of a semiconductor device. - 特許庁

比較的広い周波数帯域を持つ雑音の測定に際し、各周波数帯域毎に雑音強度を弁別検出し、その強弱を各帯域毎に簡略表示することにより、発生雑音の周波数特性をより広い範囲にわたって容易に把握できる簡易型の雑音検出装置を提供する。例文帳に追加

To provide a simple type noise detector, capable of easily grasping the frequency characteristics of generated noise for wider range by separately detecting noise magnitude for every frequency band and simply indicating the magnitude for each band, when measuring the noise having a relatively side frequency band. - 特許庁

半導体レーザを発光素子として含む送信モジュールにおいてアイソレータや斜め研磨スタブを用いることなく戻り光の半導体レーザに及ぼす影響を除去し相対雑音強度（ＲＩＮ）の充分に低い送信モジュールを与えること。例文帳に追加

To provide a transmission module in which RIN (Relative Intensity of Noise) is sufficiently low by removing influence of return light which exerts an effect on a semiconductor laser without using an isolator and a slantly polished stub in a transmission module which includes a semiconductor laser as a light emitting element. - 特許庁

ＣＰＵ５は、各強度信号から複数の周波数帯域における相対雑音強度を計算し、雑音の周波数依存性を評価して異常が発生したときの光伝送系の劣化内容を判定し、それを光伝送路Ｌの下流に伝える劣化通知信号を出力する。例文帳に追加

The CPU 5 calculates relative noise strength in a plurality of the frequency bands from the intensity signals, evaluates the frequency dependence of the noise, determine deteriorated contents of the optical transmission system on the occurrence of a fault, and outputs a deterioration notice signal to inform the downstream of the optical transmission line L about the determined deteriorated contents. - 特許庁

抽出部２０−ｋ（ｋ＝１〜ｍ）は、マイクロフォン１１−ｋ（ｋ＝１〜ｍ）により得られたデジタルオーディオ信号Ｓ−ｋ（ｋ＝１〜ｍ）から音声強度信号Ｅｓ−ｋ（ｋ＝１〜ｍ）と雑音強度信号Ｅｎ−ｋ（ｋ＝１〜ｍ）を各々抽出する。例文帳に追加

Extraction parts 20-k (k=1 to m) extract sound intensity signals Es-k (k=1 to m) and noise intensity signals En-k (k=1 to m) from digital audio signals S-k (k=1 to m) obtained by microphones 11-k (k=1 to m) respectively. - 特許庁

光ディスク５０を再生する際に、半導体レーザ１２は、再生に支障がな相対雑音強度を実現するパワーＰ_ｒでレーザ光Ｌ_ｓを出射し、スピンドルモータ３０は、パワーＰ_ｒで半導体レーザ１２を発光させたときに再生光劣化が生じない線速度Ｖ_ｒで光ディスク５０を回転させる。例文帳に追加

When the optical disk 50 is played, the semiconductor laser 12 emits a laser beam L_s at power P_r actualizing relative noise intensity not blocking reproduction, and the spindle motor 30 rotates the optical disk 50 at a linear velocity V_r causing no reproduced light deterioration when the semiconductor laser 12 emits a laser beam at the power P_r. - 特許庁