「"P type semiconductor"」に関連した英語例文の一覧と使い方(3ページ目) - Weblio英語例文検索

A plurality of right hexagonal P+ type semiconductor regions are provided in a Schottky junction region.例文帳に追加

ショットキー接合領域に、正六角形状のＰ＋型半導体領域を複数設ける。 - 特許庁

Both the (Ga, Mn)N thin film 11 and the (Ga, Mn)_2O_3 thin film 12 are a p-type semiconductor exhibiting ferromagnetism.例文帳に追加

(Ga, Mn)N薄膜１１と(Ga, Mn)_2O_3薄膜１２は共にp型半導体であって強磁性を示す。 - 特許庁

A diode is formed of an N+ diffusion layer 209 and a P-type semiconductor substrate 201.例文帳に追加

Ｎ＋拡散層２０９とＰ型の半導体基板２０１とで、ダイオードが形成される。 - 特許庁

The p-type semiconductor layer is provided between the n-type semiconductor layer and the electrode.例文帳に追加

前記ｐ形半導体層は、前記ｎ形半導体層と前記電極との間に設けられる。 - 特許庁

METHOD OF FORMING SILICON NITRIDE OXIDE FILM AND MANUFACTURE FOR P-TYPE SEMICONDUCTOR ELEMENT例文帳に追加

シリコン窒化酸化膜の形成方法及びｐ形半導体素子の製造方法 - 特許庁

The semiconductor device might be a combination of the p-type semiconductor and an n-type semiconductor.例文帳に追加

半導体デバイスは、本発明に係るｐ型半導体と、ｎ型半導体とを組み合わせて用いても良い。 - 特許庁

An electrode 5 is formed at the n-type semiconductor layer 2, while an electrode 6 is formed at the p-type semiconductor layer.例文帳に追加

ｎ形半導体層２に電極５を形成し、ｐ形半導体層に電極６が形成してある。 - 特許庁

A p-type semiconductor region 12 is formed on one main surface of an n-type semiconductor substrate 51.例文帳に追加

Ｎ型半導体基板５１の一方の主面に、Ｐ型半導体領域１２を形成する。 - 特許庁

Between the n^--type semiconductor layer 4 and the p-type semiconductor layer 5, a pn junction plane 7 is formed.例文帳に追加

ｎ^−型半導体層４とｐ型半導体層５との間にはｐｎ接合面７が形成されている。 - 特許庁

A P-type low-concentration anode region 12 is formed on a P-type semiconductor substrate 2.例文帳に追加

Ｐ型の低濃度アノード領域１２は、Ｐ型半導体基板２に形成される。 - 特許庁

Firstly, an ONO film 12 accumulating charge is formed on a p-type semiconductor substrate 11.例文帳に追加

まず、ｐ型の半導体基板１１の上に、電荷を蓄積するＯＮＯ膜１２を形成する。 - 特許庁

An ONO film 102 for accumulating charges is formed on a p-type semiconductor substrate 101.例文帳に追加

ｐ型の半導体基板１０１の上に、電荷を蓄積するＯＮＯ膜１０２を形成する。 - 特許庁

An n-type extended drain region 2 is formed in a p-type semiconductor substrate 1.例文帳に追加

ｐ型半導体基板１中に、ｎ型の延長ドレイン領域２を形成する。 - 特許庁

The n- type signal accumulating region 2 is formed inside a p type semiconductor substrate 1.例文帳に追加

ｎ^− 型信号蓄積領域２は、ｐ型半導体基板１内に形成される。 - 特許庁

An embedded n-type layer B-N is disposed as an intermediate layer on a p-type semiconductor substrate P-sub.例文帳に追加

Ｐ型の半導体基板Ｐ-subに中間層として埋め込みＮ型層Ｂ-Nが配設されている。 - 特許庁

An n-type photodiode 21 is formed to a p-type semiconductor substrate 30.例文帳に追加

ｐ型の半導体基板３０には、ｎ型のフォトダイオード２１が形成されている。 - 特許庁

Pn junction J is formed by the second n-type semiconductor layer 19 and the p-type semiconductor layer 17.例文帳に追加

第２のｎ型半導体層１９とｐ型半導体層１７とはｐｎ接合Ｊを形成する。 - 特許庁

To provide iron oxide (Fe_2O_3) that is low in manufacturing cost and exhibits p-type semiconductor characteristics.例文帳に追加

製造コストが低いＰ型半導体特性を示す酸化鉄（Ｆｅ_２Ｏ_３）を得る。 - 特許庁

An insulating layer 222 is provided between the p-type electrode 230 and the p-type semiconductor layer.例文帳に追加

ｐ型電極２３０とｐ型半導体層の間に絶縁層２２２が設けられている。 - 特許庁

The p-type NiO_x film 8a is formed to make up a p-type semiconductor.例文帳に追加

ｐ−ＮｉＯ_ｘ膜８ａは、ｐ型半導体になるように形成されている。 - 特許庁

NON-SINGLE CRYSTAL SOLAR CELL AND APPARATUS FOR MANUFACTURING P TYPE SEMICONDUCTOR MATERIAL例文帳に追加

非単結晶太陽電池およびｐ型半導体材料を作製する作製装置 - 特許庁

An N-type semiconductor layer 13 is formed further on the surface of the P+-type semiconductor layer 8.例文帳に追加

Ｐ＋型半導体層８の表面には、さらにＮ型半導体層１３が形成されている。 - 特許庁

The semiconductor device includes a P-type semiconductor region 10 and a MOS transistor PQ.例文帳に追加

半導体装置は、Ｐ型半導体領域１０と、ＭＯＳトランジスタＰＱとを備えている。 - 特許庁

A p-type diffusion layer 201 and a p-type semiconductor layer 202 are provided on a silicon substrate 200.例文帳に追加

シリコン基板２００上に、Ｐ型拡散層２０１とＰ型半導体層２０２を備える。 - 特許庁

Thereafter, a p-type semiconductor layer 2003 is formed on the n-type semiconductor layer 2004.例文帳に追加

次いで、ｎ型半導体層２００４上にｐ型半導体層２００３を形成する。 - 特許庁

A plurality of p-type semiconductor layers 22 are provided on a surface of a photodiode array 2.例文帳に追加

フォトダイオードアレイ２の表面には、複数のｐ型半導体層２２が設けられている。 - 特許庁

NON-SINGLE CRYSTAL SOLAR CELL, AND MANUFACTURING METHOD AND APPARATUS OF P TYPE SEMICONDUCTOR MATERIAL例文帳に追加

非単結晶太陽電池およびｐ型半導体材料の製造方法および製造装置 - 特許庁

Further, the N-type semiconductor 11 and the P-type semiconductor 12 are connected at one end by an electrode 14.例文帳に追加

更に、Ｎ型半導体１１とＰ型半導体１２とは電極１４により一端が接続されている。 - 特許庁

The p-side barrier layer is provided between the well layer and the p-type semiconductor layer.例文帳に追加

ｐ側障壁層は、井戸層とｐ形半導体層との間に設けられる。 - 特許庁

In the front surface of a p-type semiconductor substrate 1, first n-wells 3A and 3B are formed deep.例文帳に追加

Ｐ型の半導体基板１の表面には第１のＮウエル３Ａ，３Ｂが深く形成されている。 - 特許庁

A photodiode array 20 is provided with p-type semiconductor layers 22 on the front surface side thereof.例文帳に追加

フォトダイオードアレイ２における表面側には、ｐ型半導体層２２が設けられている。 - 特許庁

In part of the front surface of the p-type semiconductor layer, another n-type semiconductor region is formed.例文帳に追加

Ｐ型の半導体層表面の一部に、別のＮ型の半導体領域を形成する。 - 特許庁

An n-type semiconductor layer 21 and a p-type semiconductor layer 23 are laminated on one surface of a support layer 1.例文帳に追加

ｎ型半導体層２１及びｐ型半導体層２３は、支持層１の一面上で積層されている。 - 特許庁

A P-type semiconductor substrate 10 includes a first region AA and a second region BB.例文帳に追加

Ｐ型の半導体基板１０は第１領域ＡＡと第２領域ＢＢを有する。 - 特許庁

On a P-type semiconductor substrate 1, a multi-layered N-type epitaxial layer 3 etc., is formed.例文帳に追加

Ｐ型半導体基板１上に多層からなるＮ型エピタキシャル層３等を形成する。 - 特許庁

The n+ type semiconductor region 17E is formed separated from the p+ type semiconductor region 18F.例文帳に追加

また、ｎ^+型半導体領域１７Ｅとｐ^+型半導体領域１８Ｆとを離間して形成する。 - 特許庁

A gate electrode is formed on the exposed part of the p-type semiconductor layer 18 through a lift-off method.例文帳に追加

露出したｐ形半導体層１８上に、リフトオフ法により、ゲート電極を形成する。 - 特許庁

Next, a p-type semiconductor area 7 is formed on the upper surface of the semiconductor substrate 2.例文帳に追加

次に、半導体基板２の上面にｐ型半導体領域７を形成する。 - 特許庁

An active region 13 is provided between a p-type semiconductor layer 15 and an n-type semiconductor layer 17.例文帳に追加

活性領域１３は、ｐ型半導体層１５とｎ型半導体層１７との間に設けられている。 - 特許庁

A composite film consists of titanium oxide and a P-type semiconductor and has photocatalytic activity.例文帳に追加

酸化チタン及びp型半導体からなり、光触媒活性を有する複合膜。 - 特許庁

The light-emitting layer is provided between the n-type semiconductor layer and the p-type semiconductor layer.例文帳に追加

発光層は、前記ｎ形半導体層と前記ｐ形半導体層との間に設けられる。 - 特許庁

On the upper surface of the P-type semiconductor layer 5, a current diffusion layer 6 is formed.例文帳に追加

Ｐ型半導体層５の上面には、電流拡散層６を形成してある。 - 特許庁

The light-emitting layer is provided between the n-type semiconductor layer and the p-type semiconductor layer.例文帳に追加

前記発光層は、前記ｎ型半導体層と前記ｐ型半導体層との間に設けられる。 - 特許庁

The well layer is provided between the n-side barrier layer and the p-type semiconductor layer.例文帳に追加

井戸層は、ｎ側障壁層とｐ形半導体層との間に設けられる。 - 特許庁

The semiconductor chip comprises a p-type semiconductor substrate 40, on which an analog circuit 10 and a digital circuit 20 are provided mixedly.例文帳に追加

アナログ回路１０およびデジタル回路２０がｐ型半導体基板４０に混載されている。 - 特許庁