「"P type semiconductor"」に関連した英語例文の一覧と使い方(6ページ目) - Weblio英語例文検索

A thermal/electrical conversion module 1 according comprises an n-type semiconductor region 2 containing bismuth and tellurium, a p-type semiconductor region 3 containing bismuth and tellurium, porous ceramics 4 for bundling the n-type semiconductor region 2 and the p-type semiconductor region 3, and electrodes 5A, 5B for connecting the n-type semiconductor region 2 and the p-type semiconductor region 3.例文帳に追加

本発明の熱電変換モジュール１によれば、ビスマス及びテルルを含むＮ型半導体領域２と、ビスマス及びテルルを含むＰ型半導体領域３と、Ｎ型半導体領域２と、Ｐ型半導体領域３とを結束する多孔質セラミックス４と、Ｎ型半導体領域２とＰ型半導体領域３とを接続する電極５Ａ、５Ｂとを備えて構成する。 - 特許庁

A hydrogen adsorption layer 221 containing a metal occluding hydrogen is provided located between the p-type electrode 230 and the p-type semiconductor layer.例文帳に追加

ｐ型電極２３０とｐ型半導体層の間に位置して、水素を吸着する金属を含む水素吸着層２２１が設けられている。 - 特許庁

The photocatalyst electrode has the photocatalyst comprising a composite metal sulfide expressed by composition formula (1) and shows p-type semiconductor characteristics.例文帳に追加

光触媒電極は、組成式（１）で表される複合金属硫化物よりなる光触媒を有し、ｐ型半導体特性を示すことを特徴とする。 - 特許庁

The p-side contact layer includes a plurality of protrusions protruding in a first direction toward the p-type semiconductor layer from the n-type semiconductor layer.例文帳に追加

ｐ側コンタクト層は、ｎ形半導体層からｐ形半導体層に向かう第１方向に突出した複数の突起部を含む。 - 特許庁

The n-type semiconductor layer 11 includes an n-type AlGaN clad layer 14 and the p-type semiconductor layer 12 includes a p-type AlGaN clad layer 18.例文帳に追加

ｎ型半導体層１１はｎ型ＡｌＧａＮクラッド層１４を含み、ｐ型半導体層１２はｐ型ＡｌＧａＮクラッド層１８を含む。 - 特許庁

A low concentration source region 7a is formed by implanting phosphorus ion into a p-type semiconductor substrate 1 taking a spacer film 5 as a mask.例文帳に追加

スペーサ膜５をマスクとして、リンイオンをＰ型半導体基板１中にイオン注入することで、低濃度のソース領域７ａを形成する。 - 特許庁

The p-type semiconductor and the n-type semiconductor each have a semiconductor material and a dopant attached to a surface of the semiconductor material.例文帳に追加

ｐ型半導体及びｎ型半導体は、それぞれ、半導体材料と、半導体材料の表面に付着したドーパントと、を有する。 - 特許庁

Specifically, an N-type semiconductor layer 2, a P-type semiconductor layer 3 and pad electrodes 4 and 5 are formed on the surface of the semiconductor substrate 1.例文帳に追加

具体的には半導体基板１の表面上に、Ｎ型半導体層２，Ｐ型半導体層３，及びパッド電極４，５が形成されている。 - 特許庁

The P type semiconductor film is formed as a collector electrode 104a of the horizontal PNP transistor across the element isolation LOCOS film.例文帳に追加

素子分離ＬＯＣＯＳ膜を横切って、Ｐ型半導体膜が横型ＰＮＰトランジスタのコレクタ電極１０４ａとして形成される。 - 特許庁

The semiconductor structure comprises an n-type semiconductor layer, a semiconductor active layer, and a p-type semiconductor layer.例文帳に追加

その内、半導体構造はｎ型半導体層、半導体活性層及びｐ型半導体層で構成される。 - 特許庁

The semiconductor electrode portion is provided on each p-type semiconductor region exposed on the upper face of the semiconductor substrate.例文帳に追加

半導体電極部は、半導体基板の上面に露出するｐ型半導体領域の上に設けられている。 - 特許庁

A diode 1 has a semiconductor substrate 2, a n^--type semiconductor layer 3 and a p^+-type semiconductor region 4.例文帳に追加

ダイオード１は、半導体基板２と、ｎ^−型半導体層３と、Ｐ^＋型半導体領域４とを備えている。 - 特許庁

By this simple technique, iodine-doped p-type semiconductor-like carbon can be manufactured.例文帳に追加

これによって、簡易な手法により、ヨウ素をドーピングしたＰ型半導体性カーボンを製造することができる。 - 特許庁

Then, in the through-holes, an N type semiconductor and a P type semiconductor constituting a Peltier element are formed respectively.例文帳に追加

そして、前記貫通孔には、ペルチェ素子を構成するＮ型半導体及びＰ型半導体が各々形成されていることを特徴とする。 - 特許庁

An n-type semiconductor region 21 and a p-type semiconductor region 22 are provided for constituting a zener diode as a protective element in the semiconductor substrate 5.例文帳に追加

半導体基板５に保護素子としてのツェナーダイオードを構成するためのｎ型半導体領域２１とp型半導体領域２２とを設ける。 - 特許庁

This semiconductor optical element includes a p-type semiconductor substrate, a mesa structure part, a semi-insulating semiconductor embedded layer, and a diffusion prevention layer.例文帳に追加

半導体光素子は、ｐ型半導体基板、メサ構造部、半絶縁性半導体埋込層、及び、拡散防止層を備えている。 - 特許庁

A p-type semiconductor diamond layer 3 serving as a light emitting layer is selectively formed on the high resistive diamond layer 2.例文帳に追加

また、高抵抗ダイヤモンド層２上には、発光層となるｐ型半導体ダイヤモンド層３を選択的に形成する。 - 特許庁

It is preferable that the semiconductor light-emitting element includes an n-type semiconductor layer formed between the substrate and the p-type semiconductor layer.例文帳に追加

ここで、基板とｐ型半導体層との間に設置されたｎ型半導体層を含むことが好ましい。 - 特許庁

The above-described problem is solved by the semiconductor particle having a p-type semiconductor such as nickel oxide and an n-type semiconductor such as zinc oxide.例文帳に追加

酸化ニッケル等のｐ型半導体と、酸化亜鉛等のｎ型半導体とを有する半導体粒子により、上記課題を解決する。 - 特許庁

The board 1 includes a p-type semiconductor board 2 containing B, and an n-type epitaxial growth layer 3 containing P, which is formed on the semiconductor board 2.例文帳に追加

基板１は、Ｂを含むＰ型半導体基板２および基板２上に設けられているリンを含むＮ型エピタキシャル成長層３からなる。 - 特許庁

The p-type semiconductor layer 12 includes a p-type guide layer 16, a p-type AlGaN electron blocking layer 17 and a p-type AlGaN clad layer 18.例文帳に追加

ｐ型半導体層１２は、ｐ型ガイド層１６、ｐ型ＡｌＧａＮ電子ブロック層１７およびｐ型ＡｌＧａＮクラッド層１８を含む。 - 特許庁

The ultraviolet sensor 1 includes a laminate 4 containing a ZnO layer 2 as an n-type semiconductor and a (Ni, Zn)O layer 3 as a p-type semiconductor.例文帳に追加

紫外線センサ１は、ｎ型半導体としてのＺｎＯ層２とｐ型半導体としての（Ｎｉ，Ｚｎ）Ｏ層３とを含む、積層体４を備える。 - 特許庁

An anode electrode 17 is provided above the p-type semiconductor region 15, and a cathode electrode 18 are provided on the substrate 11.例文帳に追加

ｐ形半導体領域１５の上にアノード電極１７を設け、基板１１にカソード電極１８を設ける。 - 特許庁

The semiconductor layer 4 comprises a p-type semiconductor layer 41, an i-type semiconductor layer 42, and an n-type semiconductor layer 43.例文帳に追加

また、半導体層４は、ｐ型半導体層４１、i型半導体層４２、およびｎ型半導体層４３を備えている。 - 特許庁

The functional portion includes a plurality of active layers laminated in a direction toward the p-type semiconductor layer from the n-type semiconductor layer.例文帳に追加

機能部は、ｎ形半導体層からｐ形半導体層に向かう方向に積層された複数の活性層を含む。 - 特許庁

The common terminal 6 is connected by wirings with the emitter electrode of the p-type semiconductor element 4 and the collector electrode of the n-type semiconductor element 5.例文帳に追加

共通端子６は、ｐ型半導体素子４のエミッタ電極及びｎ型半導体素子５のコレクタ電極と配線により接続される。 - 特許庁

The light-emitting device (1) is comprised of a p-type semiconductor substrate (3), a light-emitting semiconductor region (7) and first and second electrodes (8) and (9).例文帳に追加

発光素子部（１）はｐ型半導体基板（３）と発光半導体領域（７）と第１及び第２の電極（８）、（９）とから成る。 - 特許庁

The first metal oxide layer 111 serves as a p-type semiconductor layer and the second metal oxide layer 114 serves as a n-type semiconductor layer.例文帳に追加

第１の金属酸化物層１１１はｐ型の半導体層として、第２の金属酸化物層１１４はｎ型の半導体層として働く。 - 特許庁

The second transparent electrode has a higher contact resistance to the p-type semiconductor layer than the first transparent electrode.例文帳に追加

第２の透明電極は、第１の透明電極よりもｐ型半導体層に対する接触抵抗が高い。 - 特許庁

Furthermore, between the transparent electrode 2 and the p-type semiconductor layer 41, an amorphous carbon layer 3 of a high coupling ratio is formed.例文帳に追加

さらに、透明電極２とｐ型半導体層４１との間には、高結合比アモルファスカーボン層３が形成されている。 - 特許庁

An anode electrode 18 is formed on the P-type semiconductor region 16, and a cathode electrode 19 is formed on the low resistance substrate 11.例文帳に追加

ｐ形半導体領域１６のアノード電極１８を設け、低抵抗性基板１１にカソード電極１９を設ける。 - 特許庁

Carrier extracting electrodes 11b and 11c are electrically connected to the p-type semiconductor layer 10b and the n-type semiconductor layer 10c.例文帳に追加

ｐ形半導体層１０ｂおよびｎ形半導体層１０ｃそれぞれにキャリア引抜用電極１１ｂ，１１ｃが電気的に接続されている。 - 特許庁

Ohmic electrodes 51 are formed within ranges of the bottom surfaces 6c of the grooves 2 to form ohmic junctions J1 with the p-type semiconductor regions 40.例文帳に追加

オーミック電極５１は、溝２の底面６ｃの範囲内に形成されてp型半導体領域４０にオーミック接合Ｊ１している。 - 特許庁

For a scanning electrode driving IC of a p type semiconductor substrate, a fluctuating power supply level shifter IC is manufactured with an n type semiconductor substrate.例文帳に追加

ｐ型半導体基板の走査電極駆動ＩＣに対して、ｎ型半導体基板で揺動電源レベルシフタＩＣを作製する。 - 特許庁

The n-type semiconductor region is provided in the surface of the p-type semiconductor layer between the drain region and the insulator.例文帳に追加

前記ｎ形半導体領域は、前記ドレイン領域と前記絶縁体との間の前記ｐ形半導体層の表面に設けられる。 - 特許庁

The semiconductor device 1 comprises a P-type semiconductor substrate 10 having a transistor forming region 30, and the residual region 20.例文帳に追加

半導体装置１は、トランジスタ形成領域３０とその残余領域２０とを有するＰ型の半導体基板１０を備えている。 - 特許庁

An anode electrode is connected to a p^+ type semiconductor region 6, and a cathode electrode is connected to an n^+ type semiconductor region 3.例文帳に追加

Ｐ^＋形半導体領域６にアノード電極を接続し、Ｎ^＋形半導体領域３にカソード電極を接続する。 - 特許庁

A gate insulating film 203 and a gate electrode lower layer 207 of polysilicon film are formed on a p-type semiconductor substrate 201.例文帳に追加

ｐ型半導体基板２０１上にゲート絶縁膜２０３，ポリシリコン膜からなるゲート電極下層部２０７を形成する。 - 特許庁

The semiconductor layer 2 has an n-type semiconductor region 21, a p-type semiconductor region 22, and an i-type semiconductor region 23.例文帳に追加

半導体層２は、ｎ型半導体領域２１、ｐ型半導体領域２２、及びｉ型半導体領域２３を有する。 - 特許庁

To prevent p-type impurities from mixing into an n-type semiconductor layer and n-type impurities from into a p-type semiconductor layer.例文帳に追加

Ｎ型半導体層へのＰ型不純物の混入およびＰ型半導体層へのＮ型不純物の混入を防止すること。 - 特許庁

A second conductor layer 102 is a p-type semiconductor layer that has 4H-SiC as a main composition, and includes p-type impurities.例文帳に追加

第２導電体層１０２は、４Ｈ−ＳｉＣを主組成とし、Ｐ型不純物を含むＰ型半導体層である。 - 特許庁

The complementary semiconductor device is provided with a semiconductor substrate, a p-type semiconductor device, and an n-type semiconductor device.例文帳に追加

第一の発明の半導体装置は、相補型であり、半導体基板、ｐ型半導体装置およびｎ型半導体装置を具備する。 - 特許庁

A p++ type semiconductor layer 3 and an n-type semiconductor layer 1 are laminated, and an insulating region 2 is selectively disposed on their boundary.例文帳に追加

ｐ＋＋型半導体層３とｎ−型半導体層１を積層し、その境界に絶縁領域２を選択的に配置する。 - 特許庁

A p-type electrode 46 is formed on the p-type semiconductor layer 45, and an n-type electrode 47 is formed on the n-type semiconductor layer 43.例文帳に追加

ｐ型電極４６がｐ型半導体層４５上に形成されて、ｎ型電極４７がｎ型半導体層４３上に形成される。 - 特許庁

An anode electrode 17 is provided on the p-type semiconductor region 15, and a cathode electrode 18 is provided on the low resistance substrate 11.例文帳に追加

ｐ形半導体領域１５の上にアノード電極１７を設け、低抵抗性基板１１にカソード電極１８を設ける。 - 特許庁