「"P type semiconductor"」に関連した英語例文の一覧と使い方(7ページ目) - Weblio英語例文検索

Two N-type semiconductors 103 and 104 are provided on a P-type semiconductor layer 101 on a P-type silicon board 100.例文帳に追加

Ｐ型シリコン基板１００上のＰ型半導体層１０１上に、２つのＮ型半導体部１０３，１０４を備える。 - 特許庁

A trench type gate insulating film 12 is formed in a P type semiconductor region 11 on a semiconductor substrate.例文帳に追加

半導体基板上におけるＰ型の半導体領域１１に溝形のゲート絶縁膜１２が形成されている。 - 特許庁

An In composition ratio of the first n-side intermediate layer decreases along a first direction toward the p-type semiconductor layer from the n-type semiconductor layer.例文帳に追加

第１ｎ側中間層のＩｎ組成比は、ｎ形半導体層からｐ形半導体層に向かう第１方向に沿って低下する。 - 特許庁

On both the sides of an intrinsic semiconductor layer, n-type semiconductor layers 6 and p-type semiconductor layers 5 are alternately provided.例文帳に追加

真性半導体層の両側にｎ型半導体層６およびｐ型半導体層５を交互に設けた。 - 特許庁

To provide a method for producing a semiconductor device having a semiconductor layer efficiently including a p-type semiconductor and an n-type semiconductor.例文帳に追加

効率よくｐ型半導体とｎ型半導体とを含む半導体層を備える半導体デバイスを製造する方法を提供する。 - 特許庁

The n-type semiconductor layer 12, the active layer and the p-type semiconductor layer 13 form a semiconductor layer for the protection element.例文帳に追加

ｎ型半導体層１２、活性層及びｐ型半導体層１３により保護素子用の半導体層が形成される。 - 特許庁

The group III nitride semiconductor multilayer structure 2 is configured by laminating an n-type semiconductor layer 11, an active layer 10, and a p-type semiconductor layer 12.例文帳に追加

III族窒化物半導体積層構造２は、ｎ型半導体層１１、活性層１０、およびｐ型半導体層１２を積層して構成されている。 - 特許庁

In a CMOS imaging sensor 1, an N-type semiconductor layer 12 is formed on a P-type semiconductor substrate 11.例文帳に追加

ＣＭＯＳイメージセンサ１において、Ｐ型の半導体基板１１上にＮ型の半導体層１２を形成する。 - 特許庁

METHOD FOR FORMING SILICON NITRIDE FILM, METHOD FOR FORMING GATE INSULATION FILM AND METHOD FOR FORMING p-TYPE SEMICONDUCTOR ELEMENT例文帳に追加

窒化シリコン膜の形成方法、ゲート絶縁膜の形成方法及びｐ形半導体素子の形成方法 - 特許庁

To provide a semiconductor element which can obtain superior ohmic contact with a p-type semiconductor layer that uses a zinc oxide material.例文帳に追加

酸化亜鉛系材料を用いたｐ型半導体層に対し、良好なオーミック接触を得ることができる半導体素子を提供する。 - 特許庁

To provide an optical semiconductor device capable of expanding a depletion layer to both sides of a p^- type semiconductor layer and an n^- type semiconductor layer.例文帳に追加

ｐ^−型半導体層とｎ^−半導体層側の両方に空乏層を拡大することができる光半導体装置を提供する。 - 特許庁

A photodiode 103 is formed on the interlayer insulating film 104 side of the p-type semiconductor layer 102 for each pixel.例文帳に追加

Ｐ型半導体層１０２の層間絶縁膜１０４側にはフォトダイオード１０３が画素毎に形成されている。 - 特許庁

The electrically conductive p-type semiconductor layers (4, 6) provide capacitive coupling between electrodes (14, 18) of the device, thereby increasing the output capacitance.例文帳に追加

導電性のｐ型半導体層（４、６）は装置の電極（１４、１８）間に容量性結合を与え、出力キャパシタンスを増加する。 - 特許庁

The group III nitride semiconductor laminate structure 2 is formed by laminating an n-type semiconductor layer 11, a luminescent layer 10, and a p-type semiconductor layer 12.例文帳に追加

III族窒化物半導体積層構造２は、ｎ型半導体層１１、発光層１０、およびｐ型半導体層１２を積層して構成されている。 - 特許庁

The semiconductor layer 10 is provided with a source/drain 11, 12 that are the P+ type semiconductor layer, and thus a PMOS transistor 1 is formed.例文帳に追加

半導体層１０にはＰ^+型半導体層であるソース／ドレイン１１，１２が設けられ、ＰＭＯＳトランジスタ１を形成する。 - 特許庁

A semiconductor layer 150 consists of an N-type semiconductor layer 151, an intrinsic semiconductor layer 152 and a P-type semiconductor layer 153.例文帳に追加

上記光起電力素子の半導体層中に、下記Ａ及びＢに示される少なくとも一つの緩衝層を設ける。 - 特許庁

An electrode 6 for applying the electric field to the light emitting layer together with the electrode 5 is formed on the p-type semiconductor diamond layer 3.例文帳に追加

更にまた、ｐ型半導体ダイヤモンド層３上に、電極５と共に発光層に電界を印加する電極６を形成する。 - 特許庁

The semiconductor light emitting device is provided with a p-type semiconductor layer and an n-type semiconductor layer interposing an active layer and mutually joined.例文帳に追加

半導体発光素子は、活性層を介在させて互いに接合されたｐ型半導体層とｎ型半導体層とを備える。 - 特許庁

The mesa structure part includes a p-type clad layer, an active layer, and an n-type clad layer which are laminated on the p-type semiconductor layer.例文帳に追加

また、メサ構造部は、ｐ型半導体基板の上に積層されたｐ型クラッド層、活性層、及びｎ型クラッド層を含んでいる。 - 特許庁

On a silicon substrate 10, an N^--type semiconductor region 11, a P-type semiconductor region 12, and an N^+-type semiconductor region 13 are formed.例文帳に追加

シリコン基板１０には、Ｎ^-型半導体領域１１、Ｐ型半導体領域１２およびＮ^+型半導体領域１３が形成されている。 - 特許庁

A semiconductor device 100 has a substrate 110, an n-type semiconductor layer 130, a semiconductor light emitting layer 140 and a p-type semiconductor layer 150 in this order.例文帳に追加

半導体素子１００は、基板１１０、ｎ型半導体層１３０、半導体発光層１４０、及びｐ型半導体層１５０を、この順に備える。 - 特許庁

The p-type semiconductor layer 105 is composed of a hexagonal II-VI group compound semiconductor, for example, p-type ZnO.例文帳に追加

ｐ型半導体層１０５は、六方晶のII−VI族化合物半導体、例えばｐ型ＺｎＯにより構成されている。 - 特許庁

That is, in the process of the p-type semiconductor layer activation, the other parts in the semiconductor structure can be prevented from being affected more than necessary.例文帳に追加

言い換えると、本発明の方法はｐ型半導体層活性化の過程で、半導体構造のその他の部分に不必要な影響を与えない。 - 特許庁

The impurity concentration of the P-type semiconductor region 7p and the N-type semiconductor region 7n is higher than the impurity concentration of the semiconductor substrate 3.例文帳に追加

Ｐ型半導体領域７ｐ及びＮ型半導体領域７ｎの不純物濃度は、半導体基板３の不純物濃度より高くなっている。 - 特許庁

A semiconductor laser diode 70 has a p-type semiconductor layer 12 grown on a principal surface of a substrate 1 having a nonpolar surface as the principal surface.例文帳に追加

半導体レーザダイオード７０において、非極性面を主面とする基板１の主面にｐ型半導体層１２を成長させる。 - 特許庁

A semiconductor device 10 has an epitaxial layer 12, a high concentration diffusion area 13, and a p-type semiconductor region 14.例文帳に追加

半導体素子１０は、エピタキシャル層１２と、高濃度拡散領域１３と、Ｐ型半導体領域１４を備える。 - 特許庁

A P-type second drain region 6 is formed in an N-type well region 4 formed in a P-type semiconductor substrate 2.例文帳に追加

Ｐ型半導体基板２に形成されたＮ型ウェル領域４にＰ型第２ドレイン領域６が形成されている。 - 特許庁

Thereafter, a second insulating film 17, extending from the inside of the groove 16 onto the P-type semiconductor layer 12 outside the groove 16, is formed.例文帳に追加

その後、メサ溝１６内からメサ溝１６の外側のＰ型半導体層１２上にかけて延在する第２の絶縁膜１７を形成する。 - 特許庁

The collector layer 11 is an N-type semiconductor region and the first base layer 12 is a P-type semiconductor region.例文帳に追加

コレクタ層１１は、Ｎ型半導体領域であり、第１のベース層１２は、Ｐ型半導体領域である。 - 特許庁

The light-emitting part is provided between the n-type semiconductor layer and the p-type semiconductor layer and includes a first light-emitting layer.例文帳に追加

発光部は、ｎ形半導体層とｐ形半導体層との間に設けられ、第１発光層を含む。 - 特許庁

A light emitting layer including a plurality of island-like crystals isolated mutually is formed on the p-type semiconductor layer group.例文帳に追加

次いで、前記ｐ型半導体層群上において、互いに孤立した複数の島状結晶を含む発光層を形成する。 - 特許庁

The emitter layer 13 is N-type semiconductor region, and the second base layer 14 is a P-type semiconductor region.例文帳に追加

エミッタ層１３は、Ｎ型半導体領域であり、第２のベース層１４は、Ｐ型半導体領域である。 - 特許庁

A stripe-shaped P-side electrode 15 is formed on a P-type contact layer contained in the uppermost layer of the P-type semiconductor layer 14.例文帳に追加

ｐ型半導体層１４の最上層に含まれるｐ型コンタクト層の上には、ストライプ状のｐ側電極１５が形成されている。 - 特許庁

On the n-type semiconductor layer 12 for the protection element, an active layer and a p-type semiconductor layer 13 are layered.例文帳に追加

保護素子用のｎ型半導体層１２には、活性層及びｐ型半導体層１３を積層してある。 - 特許庁

A contact electrode coming into contact with the p-type semiconductor layer in the InP-family compound semiconductor device is made of Au/ AuZn.例文帳に追加

ＩｎＰ系化合物半導体デバイス中のｐ型半導体層と接触するコンタクト電極をＡｕ／ＡｕＺｎとする。 - 特許庁

To provide a carbon manufacturing method which can manufacture p-type semiconductor-like carbon with a simple manufacturing apparatus, and a carbon manufacturing apparatus.例文帳に追加

Ｐ型半導体性のカーボンを簡易な製造装置により製造できるカーボン製造方法及びカーボン製造装置を提供すること。 - 特許庁

The semiconductor device has a vertical p-type semiconductor element 4, a vertical n-type semiconductor element 5, and a common terminal 6.例文帳に追加

本発明に記載の半導体装置は、縦型のｐ型半導体素子４と、縦型のｎ型半導体素子５と、共通端子６とを備えている。 - 特許庁

The optical carrier recombination region is formed in a doping dipole structure having an n-type semiconductor layer and a p-type semiconductor layer adjacent to each other.例文帳に追加

光キャリア再結合領域は、ｎ型半導体層とｐ型半導体層とが隣接して成るドーピングダイポール構造で構成される。 - 特許庁

N-type semiconductor layers 3 and 13 are interposed between the plugs 9 and 19 and a p-type semiconductor layer 2.例文帳に追加

プラグ９，１９とｐ型の半導体層２との間には、ｎ型の半導体層３，１３が介在する。 - 特許庁

To provide a p-type semiconductor nanowire device and an n-type semiconductor nanowire device for achieving a high on current and a low off current.例文帳に追加

高いオン電流、低いオフ電流を与えるｐ型半導体ナノワイヤ・デバイス、ｎ型半導体ナノワイヤ・デバイスを提供する。 - 特許庁

A semiconductor light-emitting element comprises an n-type semiconductor layer, an electrode, a p-type semiconductor layer, and a light-emitting layer.例文帳に追加

実施形態によれば、ｎ形半導体層と、電極と、ｐ形半導体層と、発光層と、を備えた半導体発光素子が提供される。 - 特許庁

A silicide film 5_S on source and a silicide film 5_D on drain are provided on the active area formed of the p-type semiconductor substrate 1.例文帳に追加

Ｐ型半導体基板１からなる活性領域の上には、ソース上シリサイド膜５_Ｓ、ドレイン上シリサイド膜５_Ｄが設けられている。 - 特許庁

The n-type semiconductor layer 6, intrinsic semiconductor layer, and p-type semiconductor layer 5 are continuously arranged in this order to form a pin diode structure.例文帳に追加

ｎ型半導体層６、真性半導体層およびｐ型半導体層５の順で連続したｐｉｎダイオード構造となる。 - 特許庁

A trench 12 is formed to a semiconductor substrate 4 with a p-type semiconductor region 1, an n-type semiconductor region 2 and an n^+-type semiconductor region 3.例文帳に追加

Ｐ型半導体領域１とＮ型半導体領域２とＮ^＋型半導体領域３とを有する半導体基板４にトレンチ１２を設ける。 - 特許庁

Subsequently, a p-type semiconductor region to form a channel of nMIS for memory cell selection is formed onto the forming region of the recess 13.例文帳に追加

その後、その窪み１３の形成領域にメモリセル選択用のｎＭＩＳのチャネル形成用のｐ型の半導体領域を形成する。 - 特許庁