「"no P"」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

After the SiO2 film containing P is removed, the SiO2 film containing no P is formed on the surface of the P-type silicon substrate 14, then the P-type silicon substrate 14 is heated.例文帳に追加

その後、Ｐを含んでいたＳｉＯ_２膜を除去した後、Ｐ型シリコン基板14の表面にＰを含まないＳｉＯ_２膜を形成し、さらに当該Ｐ型シリコン基板14を加熱する。 - 特許庁

An n-well 10 having no p-type diffusion layer inside is formed between pads 5 and the outside device region 4 on a chip formed by a p-type substrate 1.例文帳に追加

Ｐ型基板１により形成されたチップ上の、パッド５と外側素子領域４との間に、その内部にＰ型拡散層を有さないＮウェル１０が形成される。 - 特許庁

As a drain current flows region where no P-type embedded region 2 is formed (gap region) when an MOSFET operates, on-resistance is reduced.例文帳に追加

ＭＯＳＦＥＴが動作するとき、Ｐ型埋込領域２が形成されていない領域（ギャップ領域）をドレイン電流が流れるため、オン抵抗が低減される。 - 特許庁

Another portion of the isolation area 16 having no P-type bottom separation area 18 in the vicinity of the bottom does not part the N-type shallow well areas 14 of both sides.例文帳に追加

一方、Ｐ型の底部分離領域１８を底部近傍にもたない他の一部の素子分離領域１６は、両側のＮ型の浅いウェル領域１４を分断していない。 - 特許庁

A gate electrode 7 is formed on the n-type drift region 2 and a second p-type partition region 3b with no p base region 8 among the p-type partition regions via the gate oxide film 6 and the insulating film 16.例文帳に追加

ゲート電極７は、ｎ型ドリフト領域２と、ｐ型仕切領域のうちのｐベース領域８が形成されていない第２ｐ型仕切領域３ｂと、の上に、ゲート酸化膜６と絶縁膜１６を介して設けられている。 - 特許庁

In other words, the strain gauge 24 is constituted of only a single electrically-conductive impurity that is the P-type impurity to provide the strain gauge 24 with a structure having no P-N junction.例文帳に追加

つまり、Ｐ型不純物という単一の導電型の不純物のみによって歪ゲージ２４を構成し、歪ゲージ２４がＰＮ接合が無い構造とする。 - 特許庁

The manufacturing method of 4-ethyl-m-xylene comprises bringing the ethylxylene isomer mixture that contains 4-ethyl-m-xylene while contains substantially no p-diethylbenzene into contact with an adsorbent comprising faujasite-type zeolite.例文帳に追加

パラ−ジエチル−ベンゼンを実質的に含まない４−エチル−メタ−キシレンを含有するエチル−キシレン異性体混合物を、フォージャサイト型ゼオライトを含む吸着剤と接触させることを特徴とする４−エチル−メタ−キシレンの製造方法。 - 特許庁

In the case of bypass processing to a standby system transmission line PL of service traffic on the occurrence of a fault in an active system transmission line SL, a P/T traffic is interrupted through the insertion of an AU-AIS as to a path where the P/T traffic exists and a UNEQ is inserted even to a path where no P/T traffic exists.例文帳に追加

現用系伝送路ＳＬの障害時におけるサービストラフィックの予備系伝送路ＰＬへの迂回処理の際、Ｐ／Ｔトラフィックの存在するパスについてはＡＵ−ＡＩＳの挿入によりＰ／Ｔトラフィックを切断すると共に、Ｐ／Ｔトラフィックの存在しないパスについても、ＵＮＥＱを挿入するようにした。 - 特許庁

In the semiconductor device having a parallel p-n layer with an n-type drift region 2 and a p-type partition region alternately arranged a plurality of times, an insulating film 16 thicker than a gate oxide film 6 is formed on the surface of a region with no p base region 8 between first p-type partition regions 3a having the p base regions 8 among the p-type partition regions.例文帳に追加

ｎ型ドリフト領域２とｐ型仕切領域とを交互に配置した並列ｐｎ層を有する半導体装置において、ｐ型仕切領域のうちのｐベース領域８が形成された第１ｐ型仕切領域３ａ間の、ｐベース領域８が形成されていない領域の表面に、ゲート酸化膜６より厚い絶縁膜１６が設けられている。 - 特許庁

In the process for fabricating a photoelectric conversion element, a p-layer constituting the photoelectric conversion element having a pin junction is formed by depositing a first p-layer 7 having a film thickness of 5 nm or less and added with impurities uniformly, and then depositing a second p-layer 8 on the first p-layer 7 by gas decomposition containing no p-type impurity.例文帳に追加

ｐｉｎ接合を有する光電変換素子を構成するｐ層を、５ｎｍ以下の膜厚を有する均一に不純物が添加された第１ｐ層７を成膜し、該第１ｐ層７上にｐ型不純物を含まないガス分解によって第２ｐ層８を成膜することにより形成する光電変換素子の製造方法を提供することにより、上記課題を解決する。 - 特許庁