「はんたいせいりょく」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

(反対勢力の活動を)権力によって抑えつける例文帳に追加

to suppress the movement of an opposing force by using power  - EDR日英対訳辞書

反対勢力には好ましくない決心例文帳に追加

a decision unfavorable to the opposition  - 日本語WordNet

半導体材料の選択堆積方法例文帳に追加

METHOD FOR SELECTIVE DEPOSITION OF SEMICONDUCTOR MATERIAL - 特許庁

半導体材料の選択堆積方法例文帳に追加

METHOD OF SELECTIVELY DEPOSITING SEMICONDUCTOR MATERIAL - 特許庁

親水性膜、平版印刷材料、及び平版印刷材料を用いた平版印刷版の作製方法例文帳に追加

HYDROPHILIC FILM AND LITHOGRAPHIC PRINTING MATERIAL AND METHOD FOR PREPARING LITHOGRAPHIC PRINTING PLATE BY USING THE SAME MATERIAL - 特許庁

公判調書未整理の場合の録音体の再生等例文帳に追加

Playback of a Sound Recording Where a Trial Record Has Not Been Completed, etc.  - 日本法令外国語訳データベースシステム

通信衛星利用商品販売登録データ処理システム例文帳に追加

ARTICLE SALES REGISTRATION DATA PROCESSING SYSTEM USING COMMUNICATION SATELLITE - 特許庁

第２の半導体領域はSiGe若しくはSiGeCで形成する。例文帳に追加

The second semiconductor region is formed of SiGe or SiGeC. - 特許庁

②【反社会的勢力に対応する態勢の整備】例文帳に追加

(2) Development of System for Handling of Anti-Social Forces  - 金融庁

半導体装置及び接着材料付き配線板、ならびに接着材料例文帳に追加

SEMICONDUCTOR DEVICE, BONDING MATERIAL, AND WIRING BOARD HAVING THE SAME - 特許庁

ｎ^＋型半導体領域１８に接続された主電極２６を形成する。例文帳に追加

A main electrode 26 connected to the n^+ type semiconductor region 18 is formed. - 特許庁

複合材料、複合材料の製造方法及び複合材料を用いた半導体製造装置用部材例文帳に追加

COMPOSITE MATERIAL, PRODUCTION METHOD FOR COMPOSITE MATERIAL, AND MEMBER FOR SEMICONDUCTOR PRODUCTION APPARATUS USING THE COMPOSITE MATERIAL - 特許庁

絶縁膜形成材料及びその材料から形成した絶縁膜を含む半導体装置例文帳に追加

INSULATION FILM FORMING MATERIAL AND SEMICONDUCTOR DEVICE CONTAINING INSULATING FILM FORMED OF THE SAME - 特許庁

2つの反対勢力に忠実であることは不可能である例文帳に追加

it is impossible to be allegiant to two opposing forces  - 日本語WordNet

自治体の財政力を判断する指数例文帳に追加

an index of judging financial power of a self-governing body  - EDR日英対訳辞書

他人の侵犯を許さない勢力範囲例文帳に追加

one's sphere of influence where others cannot trespass  - EDR日英対訳辞書

反射防止膜材料、基板、及びパターン形成方法例文帳に追加

ANTIREFLECTION FILM MATERIAL, SUBSTRATE AND PATTERNING PROCESS - 特許庁

反射防止膜材料及びレジストパターン形成方法例文帳に追加

ANTIREFLECTION FILM MATERIAL AND RESIST PATTERN FORMING METHOD - 特許庁

バックルビームは半導体材料で形成される。例文帳に追加

The buckle beams are formed of the semiconductor material. - 特許庁

反射防止膜材料およびパターン形成方法例文帳に追加

ANTIREFLECTION FILM MATERIAL AND PATTERN FORMING METHOD - 特許庁

反射防止膜材料及びパターン形成方法例文帳に追加

ANTIREFLECTION FILM MATERIAL AND PATTERN FORMING METHOD - 特許庁

ｐ^＋型半導体領域２０に接続された主電極２８を形成する。例文帳に追加

A main electrode 28 connected to the p^+ type semiconductor region 20 is formed. - 特許庁

黒色を有するとともに、優れた赤外線反射能を有する赤外線反射材料を提供する。例文帳に追加

To provide an infrared ray reflecting material which has a black color and excellent infrared ray reflecting ability. - 特許庁

絶縁膜形成材料、絶縁膜形成方法及び半導体装置例文帳に追加

MATERIAL FOR INSULATION FILM, METHOD FOR FORMING THE INSULATION FILM, AND SEMICONDUCTOR DEVICE - 特許庁

平坦化材料、反射防止膜形成材料、及びこれらを用いた半導体装置の製造方法例文帳に追加

PLANARIZATION MATERIAL, ANTI-REFLECTION COATING FORMATION MATERIAL, AND METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE USING THEM - 特許庁

半導体装置１は、半導体基板中に形成されたｎ型半導体領域４と、ｎ型半導体領域４よりも半導体基板の表面から深い位置に形成されたｐ型半導体領域３と、ｐ型半導体領域３の一部に形成された重金属捕獲領域５とを有する。例文帳に追加

The semiconductor device 1 comprises an n-type semiconductor region 4 formed in a semiconductor substrate, a p-type semiconductor region 3 formed in a position deeper than the region 4 from the surface of the semiconductor substrate, and a heavy-metal-capturing region 5 formed in a part of the region 3. - 特許庁

１層目、２層目の半導体領域は、それぞれ、ヘテロ半導体領域４、ゲート電極６を形成する半導体膜を利用して形成する。例文帳に追加

Each of semiconductor regions on the first and second layers is formed by using a semiconductor film forming a hetero semiconductor region 4 and the gate electrode 6. - 特許庁

ｐ型の半導体基板１にｎ^−型半導体領域２が形成され、高不純物濃度のｎ^＋型半導体領域４がｎ^−型半導体領域２内に形成され、ｎ^−型半導体領域２の平面的に周囲の位置に高不純物濃度のｐ^＋型半導体領域５が形成されている。例文帳に追加

An n^--type semiconductor region 2 is formed on a p-type semiconductor substrate 1, and an n^+-type semiconductor region 4 with high impurity concentration is formed in the n^--type semiconductor region 2, and then a p^+-type semiconductor region 5 with high impurity concentration is formed in the vicinity of the n^--type semiconductor region 2 in two dimensional manner. - 特許庁

半導体ウエハ１の半導体構造６が形成される半導体構造形成領域５の外周近傍に、半導体構造形成領域５よりも弾性率が大きい半導体ウエハ補強領域３を形成する。例文帳に追加

A semiconductor wafer reinforcing region 3 whose elastic modulus is larger than a semiconductor structure forming region 5 is formed at vicinity of an outer periphery of the semiconductor structure forming region 5 where semiconductor structures 6 of the semiconductor wafer 1 are formed. - 特許庁

半導体装置の層間絶縁膜形成材料及びその形成方法例文帳に追加

MATERIAL FOR FORMING INTERLAYER INSULATION FILM OF SEMICONDUCTOR DEVICE, AND METHOD OF FORMING THE SAME - 特許庁

赤外線反射性緑色顔料、該赤外線反射性緑色顔料を用いた塗料及び樹脂組成物例文帳に追加

INFRARED-REFLECTIVE GREEN PIGMENT, AND COATING MATERIAL AND RESIN COMPOSITION USING THE INFRARED-REFLECTIVE GREEN PIGMENT - 特許庁

半導体基体２０は、Ｐ型半導体基板１１と、絶縁膜１２と、絶縁膜１２上に形成されたＮ^−型半導体領域１３と、Ｎ^＋型半導体領域１４と、Ｎ^−型半導体領域１３を介してＮ^＋型半導体領域１４と対向するＰ^＋型半導体領域１５とを有する。例文帳に追加

The semiconductor substrate 20 has a p-type semiconductor substrate 11, an insulation film 12, an n^--type semiconductor region 13 formed on the film 12, an n^+-type semiconductor region 14, and a p^+-type semiconductor region 15 opposite to the n^+-type semiconductor region 14 through the n^--type semiconductor region 13. - 特許庁

半導体装置２の表面から第３半導体領域１６の深部または第４半導体領域１８に達する少なくとも一対のトレンチが形成されている。例文帳に追加

The second semiconductor region 12 is an opposite conductive type. - 特許庁

彼らは政界浄化を錦の御旗にして反対勢力を粛正している.例文帳に追加

They purge the opposition on the pretext of cleaning up the political world.  - 研究社 新和英中辞典

膜材料生成室で生成した膜材料を搬送管を介して搬送する構成において、好適に膜形成を可能とする構成を実現する。例文帳に追加

To appropriately form a film in such a configuration that a film material produced in a film material producing chamber is carried via a carrying pipe. - 特許庁

半導体デバイス上に材料を選択的に堆積させる電気泳動プロセス例文帳に追加

ELECTROPHORETIC PROCESS FOR SELECTIVELY DEPOSITING MATERIAL ON SEMICONDUCTOR DEVICE - 特許庁

複合半導体整流素子とそれを用いた電力変換装置例文帳に追加

COMBINED SEMICONDUCTOR RECTIFYING DEVICE AND ELECTRIC POWER CONVERTER USING THE SAME - 特許庁

半導体装置１００に、半導体基板１０と、半導体基板の表層の一部に形成されている第１半導体領域４と、第１半導体領域をループ状に囲んでいる第２半導体領域６が形成されている。例文帳に追加

The semiconductor device 100 includes a semiconductor substrate 10, a first semiconductor region 4 formed at a portion of a surface layer of the semiconductor substrate, and a second semiconductor region 6 enclosing the first semiconductor region in the loop shape. - 特許庁

半導体粒子が形状異方性を有し、堆積した半導体粒子積層膜の半導体粒子が配向性を有する。例文帳に追加

The semiconductor particles have shape anisotropy, and the deposited semiconductor particles of the semiconductor particle laminate film have orientation. - 特許庁

この窪み１３の形成領域では上記ｎ型の半導体領域６が除去される。例文帳に追加

In the forming region of the recess 13, the n-type semiconductor region 6 is removed. - 特許庁

Ｐ^＋型半導体領域４は、ｎ^−型半導体層３の所定の領域に形成されている。例文帳に追加

The region 4 is formed on the predetermined region of the layer 3. - 特許庁

はんだ印刷法によって対象物に対してはんだバンプを形成するためのクリームはんだ１７であり、はんだ材料と、はんだ材料の融点よりも８０℃以上低い沸点を有する溶剤とにより構成されている。例文帳に追加

In the creamy solder 17 for forming the solder bump to an objective with a solder printing method, this creamy solder is constituted of a solder material and a solvent having boiling point lower than the melting point of the solder material by ≥80°C. - 特許庁

ｎ+型半導体領域１４Ａは、ｎ+型半導体領域１３Ａと離隔して形成され、ｎ+型半導体領域１４Ｃはｎ+型半導体領域１４Ａと離隔して形成されている。例文帳に追加

The n^+-type semiconductor region 14A is formed apart from the n^+-type semiconductor region 13A, and the n^+-type semiconductor region 14C is formed apart from the n^+-type semiconductor region 14A. - 特許庁

安倍氏は奥六郡に族長制の半独立勢力を形成しており、朝廷と対立。例文帳に追加

The Abe clan obtained a quasi-independent power based on a patriarchal system over Okuroku-gun districts, opposing the Imperial Court.  - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

積層体、これを用いた袋体および半導体製品または半導体材料用包装材例文帳に追加

LAMINATE, AND BAG AND PACKAGING MATERIAL FOR SEMICONDUCTOR PRODUCT OR SEMICONDUCTOR MATERIAL USING THE SAME - 特許庁