「はんたいせいりょく」に関連した英語例文の一覧と使い方(3ページ目) - Weblio英語例文検索

半導体材料を含む半導体基板にトレンチを形成する方法および構造を提供する。例文帳に追加

To provide a method and structure for forming a trench in a semiconductor substrate including a semiconductor material. - 特許庁

複数の配線は、半導体基板のうち半導体領域にのみ接続されている。例文帳に追加

The plurality of wirings are connected only to the semiconductor region of the semiconductor substrate. - 特許庁

有機半導体薄膜用材料、該材料を用いた有機半導体薄膜の形成方法および有機薄膜トランジスタ例文帳に追加

MATERIAL FOR ORGANIC SEMICONDUCTOR THIN FILM, AND METHOD FOR FORMING ORGANIC SEMICONDUCTOR THIN FILM USING THE SAME - 特許庁

この第２形状の半導体領域は、前記複数の凸端部から延びる結晶領域のそれぞれにチャネル形成領域が形成されるように配置され、チャネル形成領域に隣接する半導体領域は除去する。例文帳に追加

The semiconductor region of second shape is arranged such that the channel forming region is formed in each crystal region extending from the plurality of pointed end parts and the semiconductor region contiguous to the channel forming region is removed. - 特許庁

電極と、その周囲に配置された半導体リングとの間に、堆積物が溜まりにくくする。例文帳に追加

To make a semiconductor substrate processing apparatus to be resistant to the accumulation of deposits between an electrode and a semiconductor ring disposed around the electrode. - 特許庁

その後、その窪み１３の形成領域にメモリセル選択用のｎＭＩＳのチャネル形成用のｐ型の半導体領域を形成する。例文帳に追加

Subsequently, a p-type semiconductor region to form a channel of nMIS for memory cell selection is formed onto the forming region of the recess 13. - 特許庁

熱バックルビーム部は、ポリシリコンなどの半導体材料で形成される。例文帳に追加

The buckle beam part is formed of a semiconductor material such as polysilicon. - 特許庁

高分子化合物、反射防止膜材料及びパターン形成方法例文帳に追加

POLYMER COMPOUND, ANTIREFLECTION FILM MATERIAL, AND METHOD FOR FORMING PATTERN - 特許庁

シリコン化合物、絶縁膜形成材料及び半導体装置例文帳に追加

SILICON COMPOUND, INSULATING FILM FORMING MATERIAL AND SEMICONDUCTOR APPARATUS - 特許庁

相変化材料を含むメモリ装置、半導体装置、及びその形成方法例文帳に追加

MEMORY DEVICE CONTAINING PHASE CHANGE MATERIAL, SEMICONDUCTOR DEVICE, AND MANUFACTURING METHOD OF SAME - 特許庁

絶縁膜の形成材料及び半導体装置の製造方法例文帳に追加

INSULATING FILM FORMING MATERIAL AND MANUFACTURE OF SEMICONDUCTOR DEVICE - 特許庁

半導体基板に、活性領域及び逆導電型活性領域を形成する。例文帳に追加

An active region and an inverse-conductive active region are formed on a semiconductor substrate. - 特許庁

燃料電池において、反応ガスの電気化学反応による生成水の滞留抑制を目的とする。例文帳に追加

To restrain detention of product water in a fuel cell due to electrochemical reaction of reaction gas. - 特許庁

この反射部材（７）は、無機材料により多孔質に形成された反射層６１（７）を有している。例文帳に追加

The reflective member (7) includes a reflective layer 61 (7) formed to be porous using an inorganic material. - 特許庁

搬送工程の後、異なる半導体材料の追加の層を、第二チャンバ２６において、気相堆積によって第一堆積層の上に堆積させる。例文帳に追加

After the transferring step, an additional layer of a different semiconductor material is deposited on the first deposited layer in the second deposition chamber 26 by using vapor deposition. - 特許庁

値引率決定部（１２）は、目標販売量ファイルから抽出した商品目標販売量と商品販売量ファイルから抽出した商品販売量とから求められた累積販売量偏差が所定値を越えた場合商品値引率を更新する。例文帳に追加

The discount rate decision part (12) updates the commodity discount rate when a cumulative sales amount difference found from the commodity target sales amount extracted from the target sales amount file and the commodity sales amount extracted from the commodity sales amount file exceeds a prescribed value. - 特許庁

半導体処理装置の構成部品は、侵食、腐食及び／又は腐食−侵食に耐性のあるセラミック材料で少なくとも部分的に形成される。例文帳に追加

Components of semiconductor processing apparatus are formed at least partially of erosion, corrosion and/or corrosion-erosion resistant ceramic materials. - 特許庁

親／疎水性パターン形成材料、親／疎水性パターン形成方法、平版印刷版、及び平版印刷版の作製方法例文帳に追加

HYDROPHILIC/HYDROPHOBIC PATTERN FORMING MATERIAL, HYDROPHILIC/HYDROPHOBIC PATTERN FORMING METHOD, LITHOGRAPHIC PRINTING PLATE AND METHOD FOR MANUFACTURING LITHOGRAPHIC PRINTING PLATE - 特許庁

有機半導体材料溶液を基板上に供給、塗布して、乾燥させることにより、有機半導体材料薄膜を基板上に形成する有機半導体膜の形成方法において、有機半導体材料溶液の塗布時に、不溶物を含む有機半導体材料溶液を用い、かつ、塗布後、形成される有機半導体膜に熱処理を施すことを特徴とする有機半導体膜の形成方法。例文帳に追加

In the method of forming the organic semiconductor film formed with an organic semiconductor material thin film on the substrate by supplying, coating and drying the organic semiconductor material solution onto the substrate, at application of the organic semiconductor material solution, the organic semiconductor material solution containing an insoluble matter is used, and after coating, the organic semiconductor film to be formed is subjected to heat treatment. - 特許庁

シリコン窒化膜５０４は半導体素子形成領域５１６上には形成されていない。例文帳に追加

The silicon nitride film 504 is not formed on a semiconductor element forming region 516. - 特許庁

セルチャンネル６２０を含む半導体線が、ＳＴＩ領域１２０上に形成される。例文帳に追加

Semiconductor lines comprising cell channels 620 are formed on an STI region 120. - 特許庁

半導体層の所定領域には素子分離膜１０３ａが形成されて活性領域を限定する。例文帳に追加

An element isolation film 103a is formed in a prescribed region of the semiconductor layer to limit an active region. - 特許庁

この伐採木チップと、改良対象の軟弱土とを混合撹拌して改良土層を形成する。例文帳に追加

These trimmed wood chips and the soft earth of an improving object are mixed and agitated to form an improved earth layer. - 特許庁

半導体基板１上の所定領域に下層金属配線層２が形成される。例文帳に追加

A lower metal wiring layer 2 is formed in a prescribed region on a semiconductor substrate 1. - 特許庁

半導体装置１００は、基板（半導体基板１）と、基板に形成され、素子形成領域４を他の領域と分離する素子分離膜２と、素子形成領域４にて基板上に形成された半導体層３と、を有する。例文帳に追加

The semiconductor device 100 comprises: a substrate (a semiconductor substrate 1); an element isolation film 2 that is formed on the substrate and separates an element formation region 4 from the other region; and a semiconductor layer 3 formed on the substrate, in the element formation region 4. - 特許庁

圧電材料チップ３、４の表面に体積収縮材料５の層を形成し、半導体集積回路チップ２および圧電材料チップ３、４を封止材料７で封止した後に体積収縮材料４の体積を減少させることにより圧電材料チップ表面に空間を形成する。例文帳に追加

A volume contraction material 5 layer is formed on the surfaces of piezoelectric material chips 3, 4, and a semiconductor integrated circuit chip 2 and the piezoelectric material chips 3, 4 are sealed with a sealing material 7, and thereafter the volume of the volume contraction material 5 is reduced, whereby a space is formed on the surface of the piezoelectric material chip. - 特許庁

所定のドーピングレベルの半導体基板２に形成された第１および第２電極６を有する半導体装置１であって、第１および第２電極６は半導体領域５により互いに分離され、第３電極３は半導体領域５の導電性を制御し、第１および第２電極６の少なくとも１つは半導体領域５と整流コンタクトを形成し、整流コンタクトはポテンシャルバリアを有する半導体装置を提供する。例文帳に追加

The semiconductor device 1 has a first and second electrodes 6 formed on a semiconductor substrate 2 at a predetermined doping level. - 特許庁

新規化合物、Ａｌ系膜形成材料、Ａｌ系膜形成方法、Ａｌ系膜および半導体素子例文帳に追加

NEW COMPOUND, Al-BASED FILM-FORMING MATERIAL, METHOD OF FORMING Al-BASED FILM, Al-BASED FILM AND SEMICONDUCTOR ELEMENT - 特許庁

①【銀行代理業者及び子金融機関等の顧客の利益相反管理のための態勢整備】例文帳に追加

(1) Development of System for Conflict of Interest Management for Customers of Bank Agents and Related Financial Institutions, etc.  - 金融庁

反射防止膜形成材料、およびこれを用いたレジストパターン形成方法例文帳に追加

ANTI-REFLECTIVE FILM FORMING MATERIAL AND METHOD FOR FORMING RESIST PATTERN USING THE SAME - 特許庁

配線密度の高い領域と低い領域が混在している半導体基板上に形成された配線溝に金属配線を埋め込むための金属メッキ膜をパターン依存性なく表面が平坦に形成される半導体装置の金属配線を形成する方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for forming the metal wiring of a semiconductor device, in which a metal plating film for embedding a metal wiring in a wiring groove formed on a semiconductor substrate in which a high wire dense region and a low wire dense region exist mixedly, is formed without pattern dependency in patterns for flattening the surface. - 特許庁

半導体装置は、半導体ウエハ１に素子が形成された素子形成領域１Ａと、半導体ウエハ１における素子形成領域１Ａの周囲に形成されたスクライブ領域３とを有している。例文帳に追加

The semiconductor device includes an element formation region 1A in which an element is formed on the semiconductor wafer 1, and the scribe region 3 formed in a periphery of the element formation region 1A on the semiconductor wafer 1. - 特許庁

Ｌ負荷アバランシェ耐量（破壊耐量）が高く、信頼性が高い超接合半導体素子を提供する。例文帳に追加

To provide a reliable superjunction semiconductor device which has high L load avalanche withstand (breakdown withstand) amount. - 特許庁

ｐ型半導体領域１７並びにｎ型半導体領域１８表面及びゲート電極７上面にはシリサイド層２１が形成されている。例文帳に追加

Silicide layers 21 are formed on the surface of the region 17 and region 18, and upper faces of the electrodes 7. - 特許庁

その後、分離された記録層形成用材料、反射膜金属、保護層は、それぞれ除去されて、基盤材料が再利用できる状態にする。例文帳に追加

Then, each of the separated recording layer forming material, reflective film metal and protective layer is eliminated to enable reutilization of the board material. - 特許庁

少なくとも表層部が絶縁材料で形成された下地基板１０の上に、半導体材料からなる第１の半導体層１２が形成された積層基板の、第１の半導体層１２に開口を形成する。例文帳に追加

An opening is formed in the first semiconductor layer 12 of a laminated substrate where the first semiconductor layer 12 formed of a semiconductor material is made on a base substrate 10 where at least a surface is formed of an insulating material. - 特許庁

再生リスト変更判定部３３は、その移動距離と距離判定閾値とを比較し、移動距離が距離判定閾値を更新したか否か判定する。例文帳に追加

A reproduction list change determining unit 33 compares the move distance with a distance determining threshold value, and determines whether or not the move distance updates the distance determining threshold value. - 特許庁

半導体ウエハは、スクライブライン領域６０により区画された素子形成領域５０を有している。例文帳に追加

The semiconductor wafer includes an element formation region 50 defined by a scribed line region 60. - 特許庁

武田晴信の北信濃への著しい勢力伸張に反撃すべく、長尾景虎は出陣した。例文帳に追加

To counterattack Takeda's forces whose power became increasingly more dominant in the northern Shinano area, Kagetora NAGAO led his forces to the area.  - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

樹脂組成物、樹脂ワニス、耐熱性接着剤、これを用いた耐熱性接着材料、接着材料付きリードフレーム、および半導体装置例文帳に追加

RESIN COMPOSITION, RESIN VARNISH, HEAT-RESISTANT ADHESIVE, HEAT-RESISTANT ADHESIVE MATERIAL USING THE ADHESIVE, LEAD-FRAME WITH THE ADHESIVE MATERIAL, AND SEMICONDUCTOR DEVICE - 特許庁

Ｐ^＋型半導体領域１とＮ^−型半導体領域２とＮ^＋型半導体領域３とから成る半導体基体４に傾斜側面７を設け、逆方向ベベル構造のダイオード素子を形成する。例文帳に追加

A diode element of an inversely beveled structure is formed by providing a sloping side surface 7 to a semiconductor base material 4 comprising a p^+-type semiconductor region 1, an n^--type semiconductor region 2, and an n^+-type semiconductor region 3. - 特許庁

有機化合物であって、赤外線反射率が高く、有機溶剤にも溶けにくく、耐光堅牢度のよい白色の赤外線反射材料を得る。例文帳に追加

To obtain a white infrared light-reflecting material that is an organic compound, has high infrared ray reflection and is hardly soluble in organic solvent with high color fastness to light. - 特許庁

高品質のオーミックコンタクトをIII−Ｖ族半導体材料に形成して、消費電力が低くて長寿命の半導体デバイスを作製する。例文帳に追加

To manufacture a semiconductor device having a long lifetime with low power consumption by forming an ohmic contact of high quality in a III-V semiconductor material. - 特許庁

上部電極は、金属材料で形成された金属電極部と、半導体基板よりもバンドギャップの狭い半導体材料で形成された半導体電極部を有している。例文帳に追加

The upper electrode includes: a metal electrode portion formed of metallic materials; and a semiconductor electrode portion made of a semiconductor material whose band gap is narrower than that of the semiconductor substrate. - 特許庁

フォトリソグラフィ工程を用いることなく広い領域に単結晶半導体領域を有する半導体素子の形成方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method of forming a semiconductor element having a wide single crystal semiconductor region without using a photolithography process. - 特許庁