「はんたいせいりょく」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索

親水性膜、それを用いた平版印刷材料、防汚性部材、防曇性部材、及び、平版印刷材料を用いた平版印刷版の作製方法例文帳に追加

HYDROPHILIC FILM, LITHOGRAPHIC PRINTING MATERIAL USING THE SAME, ANTIFOULING COMPONENT, ANTICLOUDING COMPONENT AND METHOD FOR MANUFACTURING LITHOGRAPHIC PRINTING PLATE USING LITHOGRAPHIC PRINTING MATERIAL - 特許庁

（６）蒸留精製したロジン又は合成樹脂を用いたフラックス入りのはんだを使用する。例文帳に追加

(6) The solder, containing rosin purified by distillation or synthetic resin, is used. - 特許庁

（６）蒸留精製したロジン又は合成樹脂を用いたフラックス入りのはんだを使用する。例文帳に追加

(6) A flux-containing solder including distilled and purified rosin or synthetic resin is used. - 特許庁

反射防止膜材料、及びこれを用いたパターン形成方法、基板例文帳に追加

ANTIREFLECTION FILM MATERIAL, AND PATTERN FORMING METHOD AND SUBSTRATE USING THE SAME - 特許庁

反射防止膜材料およびこれを用いたパターン形成方法例文帳に追加

MATERIAL FOR ANTIREFLECTION FILM, AND PATTERN FORMING METHOD USING THE SAME - 特許庁

次に反射電極材料を成膜し、フォトリソグラフィ技術によって反射電極材料をパターニングし反射電極１１を形成する。例文帳に追加

A reflection electrode material is then deposited, and the reflection electrode material is patterned by the photolithographic technique and the reflection electrodes 11 are formed. - 特許庁

銅下地膜形成材料、銅下地膜形成方法、銅下地膜および半導体装置例文帳に追加

COPPER BASE FILM FORMATION MATERIAL, COPPER BASE FILM FORMING METHOD, COPPER BASE FILM, AND SEMICONDUCTOR DEVICE - 特許庁

コンクリート材料を、重力式のミキサに投入して撹拌コンクリート材料を形成し、型枠内に、撹拌コンクリート材料を充填する。例文帳に追加

The concrete material is put into a gravity type mixer to form an agitated concrete material. - 特許庁

有益な薬剤を搬送するための拡張可能な医療器具及びこの医療器具を形成する方法例文帳に追加

EXPANDABLE MEDICAL INSTRUMENT FOR CONVEYING USEFUL MEDICAMENT AND METHOD OF FORMING THIS MEDICAL INSTRUMENT - 特許庁

次に、当該微結晶半導体膜をチャネル形成領域用いて薄膜トランジスタを形成する。例文帳に追加

Then, a thin film transistor is formed using the microcrystal semiconductor film in a channel forming region. - 特許庁

従来はスクライブ線領域に形成されていたプロセスマークを半導体領域に形成する。例文帳に追加

The process mark that has been conventionally formed in the scribe line region is formed in the semiconductor region. - 特許庁

反対勢力がなくなったため光明子は非皇族として初めて立后された。例文帳に追加

As the opposition forces disappeared, Komyoshi was installed as the Empress from the non-imperial family for the first time.  - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

銀をベースとする合金、反射層、スパッタ材料および蒸着材料を形成するためのその使用例文帳に追加

SILVER-BASE ALLOY AND ITS USE FOR FORMING REFLECTIVE LAYER, SPUTTERING MATERIAL AND VAPOR DEPOSITION MATERIAL - 特許庁

半導体基板１０上に、第１半導体領域、第２半導体領域、及びゲート電極を有するセルトランジスタが形成されている。例文帳に追加

A first semiconductor region, a second semiconductor region, and a cell transistor having a gate electrode are formed on a semiconductor substrate 10. - 特許庁

削除規制部１０７は、受け取ったファイル名を判断材料取得・解析部１０８に通知し、判断材料取得・解析部１０８又は条件判定部１１２でなされる削除判定又は削除禁止判定を待つ。例文帳に追加

The deletion regulating part 107 notifies the received file name to a judgment material acquiring/analyzing part 108 and waits for deletion judgment or deletion prohibition judgment to be performed by the judgment material acquiring/analyzing part 108 or a condition judging part 112. - 特許庁

ドロス生成量を抑制し、且つ、機械的特性などに優れた鉛フリーはんだを提供する。例文帳に追加

To provide lead-free solder in which the amount of dross to be formed is suppressed, and which has excellent mechanical properties or the like. - 特許庁

上記各区画には、同一の特性を持つようにされた半導体素子を形成する半導体領域を形成するために不純物がデポジションされる。例文帳に追加

An impurity is deposited on each zone to form a semiconductor region for forming the semiconductor device having identical characteristics. - 特許庁

半導体基板内に活性領域を画定する素子分離膜を形成する。例文帳に追加

An element separation film for demarcating an active region is formed in a semiconductor substrate. - 特許庁

半導体基板に活性領域を画定する素子分離膜を形成する。例文帳に追加

The method forms an element isolation layer defining an active region in a semiconductor substrate. - 特許庁

半金属元素又は金属元素を主成分とする材料の精製方法例文帳に追加

METHOD FOR PURIFYING MATERIAL CONTAINING METALLOID ELEMENT OR METAL ELEMENT AS MAIN COMPONENT - 特許庁

そして、半導体素子１の輪郭に外接する矩形領域１０を求める。例文帳に追加

A rectangular area 10, circumscribed on the contour of the semiconductor element 1, is determined. - 特許庁

被膜形成材料、絶縁膜の製造方法及び半導体装置例文帳に追加

METHOD OF MANUFACTURING INSULATING FILM AND SEMICONDUCTOR DEVICE - 特許庁

半導体封止用エポキシ樹脂成形材料及び蓄熱性成形体例文帳に追加

EPOXY RESIN MOLDING MATERIAL FOR SEALING SEMICONDUCTOR AND THERMAL STORAGE MOLDED ARTICLE - 特許庁

導電性材料（９）は、第１の半導体層（２）にコンタクトを形成する。例文帳に追加

A conductive material (9) forms contact with the first semiconductor (2). - 特許庁

トランジスタは、そのチャネル形成領域に酸化物半導体を含んでいる。例文帳に追加

A channel formation region of the transistor includes an oxide semiconductor. - 特許庁

第３の半導体領域６は、第２の半導体領域５上に、第２の半導体領域５の空乏化時の電位の極大点８の位置が第３の半導体領域６の存在していない場合よりも深くなるように形成する。例文帳に追加

The third semiconductor region 6 is so formed on the second semiconductor region 5 that the position of a maximum point 8 of potential at depletion of the second semiconductor region 5 becomes deeper than the case where the third semiconductor region 6 does not exist. - 特許庁

半導体基板２の下面の表面領域には、第６の半導体領域１２が形成されている。例文帳に追加

In the surface area on the lower part of the surface of the semiconductor board 2, a sixth semiconductor area 12 is formed. - 特許庁

ｐ型のＩＩＩ族窒化物半導体領域を形成する方法、およびＩＩＩ族窒化物半導体素子例文帳に追加

FORMING METHOD OF P-TYPE GROUP III NITRIDE SEMICONDUCTOR REGION, AND GROUP III NITRIDE SEMICONDUCTOR ELEMENT - 特許庁

反射防止膜材料、これを用いた反射防止膜及びパターン形成方法例文帳に追加

MATERIAL FOR ANTIREFLECTION FILM, ANTIREFLECTION FILM USING THE MATERIAL, AND PATTERN FORMING METHOD - 特許庁

反射防止膜材料、及びこれの製造方法、これを用いた反射防止膜、パターン形成例文帳に追加

ANTIREFLECTION FILM MATERIAL, METHOD FOR PRODUCING THE SAME, ANTIREFLECTION FILM USING THE SAME AND PATTERN FORMATION - 特許庁

ｎ^−型半導体領域３には、ｐ^＋型半導体領域７が設けられており、ｎ^−型半導体領域３とｐ^＋型半導体領域７との間にはｐｎ接合が形成されている。例文帳に追加

A p^+-type semiconductor region 7 is provided in the n^--type semiconductor region 3, and a pn junction is formed between the n^--type semiconductor region 3 and p^+-type semiconductor region 7. - 特許庁

耐蝕性セラミック材料、その製造方法および半導体製造用製品例文帳に追加

CORROSION RESISTANT CERAMIC MATERIAL, METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME AND PRODUCT FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR - 特許庁

即ち、太い線はんだの挿着は兎も角、一方の手で付勢力に抗してレバー操作を行いながら、他方の手で細い線はんだを挿着する作業は、線はんだの先端の位置合わせが難しく、チャック内面に当接し屈曲させてしまったりしていた。例文帳に追加

This device for delivering a soft material wire rod comprises at least a pair of rollers between which the wire rod is held to be delivered. - 特許庁

配線材料およびこれを用いた配線を備えた半導体装置およびその作製方法例文帳に追加

WIRING MATERIAL, SEMICONDUCTOR DEVICE WITH WIRING USING THE SAME AND MANUFACTURE OF THE SEMICONDUCTOR DEVICE - 特許庁

複合材料、処理装置、半導体製造用装置および複合材料の製造方法例文帳に追加

COMPOSITE MATERIAL, TREATING DEVICE, EQUIPMENT FOR SEMICONDUCTOR MANUFACTURE, AND PRODUCTION OF COMPOSITE MATERIAL - 特許庁

超臨界流体攪拌機構とこれを組み込んだ超臨界流体洗浄、抽出、反応装置例文帳に追加

SUPERCRITICAL FLUID STIRRING MECHANISM AND SUPERCRITICAL FLUID CLEANING, EXTRACTING AND REACTING EQUIPMENT IN WHICH THE STIRRING MECHANISM IS BUILT-IN - 特許庁

半導体積層１５は、ｎ型ＧａＮ系半導体領域１７、活性層１９及びｐ型ＧａＮ系半導体領域２１を含む。例文帳に追加

The semiconductor laminate 15 includes an n-type GaN semiconductor region 17, an active layer 19, and a p-type GaN semiconductor region 21. - 特許庁

半導体積層部５の側面には、ｐ形半導体領域及びｎ形半導体領域のそれぞれが露出している。例文帳に追加

Each of the p-type semiconductor region and the n-type semiconductor region is exposed at the side face of the semiconductor lamination layer part 5. - 特許庁

ｎ型半導体領域１及びｎ^−型半導体領域２ａが形成された半導体基板１００に、熱拡散法によってｐ型不純物を所定の深さまで拡散させ、ｎ^−型半導体領域２及びｐ型半導体領域３ａを形成する。例文帳に追加

P-type impurity is diffused into a semiconductor substrate 100 with an n-type semiconductor region 1 and an n^--type semiconductor region 2a formed thereon through heat diffusion method, until a predetermined depth is obtained to form an n^--type semiconductor region 2 and a p-type semiconductor region 3a. - 特許庁

表面被覆層の材料として、Ｉｎ系はんだの材料と同様のＩｎが用いられているため、表面被覆層の材料とＩｎ系はんだの材料とが反応してＩｎ系はんだ中に反応生成物が生成されるのを防止することができる。例文帳に追加

Since In made of the same material as a material of In-based solder is used as a material of the surface covered layer, the material of the surface covered layer and the material of In-based solder react to prevent the formation of a reaction product in the In-based solder. - 特許庁

複数の品種に対応して複数の半導体素子形成領域が画定された半導体基板上に、前記複数の半導体素子形成領域に対応し且つ相互に独立したメッキ処理治具を当接し、前記複数の半導体素子形成領域のそれぞれに対して独立にメッキ処理を施す。例文帳に追加

The plating treatment is independently applied to the plurality of semiconductor forming area respectively by coming into contact with an independent plating process tool to correspond to the plurality of the semiconductor element forming areas on the semiconductor substrate where the plurality of the semiconductor forming areas are defined to correspond to the plurality of types. - 特許庁

形成された酸化膜はバーズビークが形成されるため、窒化膜パターンより縮小されたパターンの半導体領域を形成することができる。例文帳に追加

Since bird's beaks are formed in the formed oxidized film, a semiconductor area which is patterned smaller than the nitride film can be formed. - 特許庁

例えば、γ-シクロデキストリンの生成量を１としたときに、α-シクロデキストリンの生成量が0.1〜2の範囲となり、β-シクロデキストリンの生成量が0.1〜2の範囲となるように、反応条件を設定する。例文帳に追加

In one embodiment, the reaction conditions are set so that the amount of α-CD produced is in the range of 0.1-2 and that of β-CD is in the range of 0.1-2 in the case where the amount of γ-CD formed is regarded as 1. - 特許庁

また、金属膜除去部２６は、サブマウント基板２１のほぼ全長にわたって形成されることにより、はんだ形成領域２４に形成されたはんだ層２５の全長に沿って形成されるように構成されている。例文帳に追加

Moreover, the metal film removed part 26 is formed over substantially whole length in the submount substrate 21, and formed along the whole length of the solder layer 25 formed in the solder forming region 24. - 特許庁

半導体ウェハにおける素子形成有効領域内に、半導体素子を形成するため矩形状の領域である複数の単位素子形成領域の配置を決定する半導体素子形成領域の配置決定において、上記半導体ウェハ１枚あたりの上記半導体素子の取得数の最大化を図る。例文帳に追加

To maximize the number of semiconductor elements being acquired per one sheet of semiconductor wafer when arrangement of a plurality of unit element forming regions, i.e. rectangular regions for forming semiconductor elements, is determined in the element formation effective region of the semiconductor wafer. - 特許庁